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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
1214GN-600VHE	-	RFQ	4714	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	150 v		表面マウント	55-kr		1.2GHz1.4GHz	hemt			55-kr	ダウンロード			影響を受けていない	150-1214GN-600VHE	ear99	8541.29.0095	1			-	100 Ma	600W	17.5dB											-					50 v
VN10KN3-G-P013	0.5400	RFQ	4269	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-226-3	vn10kn3		モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		nチャネル					60 V	310ma	5V、10V	5OHM @ 500MA 、10V	2.5V @ 1MA		±30V	60 pf @ 25 v	-	1W （TC）
2N5743	37.1850	RFQ	6829	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2				43 w		to-66（to-213aa	-			影響を受けていない	150-2N5743	ear99	8541.29.0095	1																			60 V	20 a			-			PNP	1.5V @ 1MA 、10ma	-	-
2N335T2	65.1035	RFQ	4880	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N335						-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
Jan2N3762L	-	RFQ	1365	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/396	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205aa、to-5-3				1 W		to-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			40 v	1.5 a			100µa（icbo）			PNP	900mv @ 100ma、1a	40 @ 500MA、1V	-
2N5853	519.0900	RFQ	1708	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MA				115 W		to-61	-			影響を受けていない	150-2N5853	ear99	8541.29.0095	1																			80 v	10 a			-			PNP	-	-	-
ARF466FL	148.7910	RFQ	6881	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	1000 V			-	ARF466	40.68MHz	モスフェット			T3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1	nチャネル		13a		150W	16dB											-					150 v
APT60GF60JU2	-	RFQ	3870	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止		-	シャーシマウント	ISOTOP				378 w	標準	SOT-227	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	1	シングル																	npt	600 V	93 a	2.5V @ 15V 、60a		80 µA	いいえ	3.59 NF @ 25 V
2N5339T3	164.9700	RFQ	1300	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-2N5339T3	ear99	8541.29.0095	1																			100 V	5 a			100µA			npn	1.2V @ 500MA 、5a	60 @ 2a 、2V	-
Apt10035lllg	32.4904	RFQ	7508	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT10035		モスフェット（金属酸化物）			to-264 [l]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					1000 V	28a（tc）	10V	350mohm @ 14a 、10V	5V @ 2.5MA	186 NC @ 10 V	±30V	5185 PF @ 25 V	-	690W
JANTX2N5660	-	RFQ	7186	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/454	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	TO-213AA、to-66-2	2N5660			2 W		to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			200 v	2 a			200na			npn	800mv @ 400ma 、2a	40 @ 500MA 、5V	-
jantxv2n6690	-	RFQ	4075	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/537	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C（タタ	スタッドマウント	TO-211MA				3 W		to-61	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			400 V	100 µA			100µA			npn	5V @ 5a 、15a	15 @ 1a、3V	-
2N4114	74.8500	RFQ	7895	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3				15 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N4114	ear99	8541.29.0095	1																			80 v	5 a			-			PNP	1.5V @ 500µA 、2MA	-	-
2N6583	110.9100	RFQ	3508	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-204aa、to-3				125 w		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N6583	ear99	8541.29.0095	1																			400 V	10 a			-			npn	-	-	-
MSCSM70DUM07T3AG	283.3800	RFQ	9131	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM70		炭化シリコン（原文）	988W		SP3F	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM70DUM07T3AG	ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）共通ソース						700V	353a		6.4mohm @ 120a 、20V	2.4V @ 12MA	645NC @ 20V		13500pf @ 700V	-
F2N5154	36.6548	RFQ	5778	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-F2N5154	ear99	8541.29.0095	1																			80 v	2 a			50µA			npn	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
jantxv2n2605ub/tr	-	RFQ	2339	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/354	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				400 MW		ub	-			影響を受けていない	150-jantxv2n2605ub/tr			50																			60 V	30 Ma			10na			PNP	300MV @ 500µA 、10mA	150 @ 500µa 、5V	-
APT31M100B2	12.9700	RFQ	7936	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3バリアント	APT31M100		モスフェット（金属酸化物）			T-Max™[B2]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					1000 V	32a	10V	380mohm @ 16a 、10V	5V @ 2.5MA	260 NC @ 10 V	±30V	8500 PF @ 25 V	-	1040W
2N3636ub	13.4995	RFQ	5524	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N3636			1.5 w		3-SMD	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			175 v	1 a			10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
2N3619	30.6450	RFQ	3030	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3				7 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N3619	ear99	8541.29.0095	1																			40 v	2 a			-			PNP	-	-	-
Apt1001r1bn	-	RFQ	1009	マイクロチップテクノロジー	PowerMosiv®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-247AD	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	30		nチャネル					1000 V	10.5a	10V	1.1OHM @ 5.25A 、10V	4V @ 1MA	130 NC @ 10 V	±30V	2950 PF @ 25 V	-	310W
APT50GF120JRDQ3	86.5400	RFQ	8295	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	ISOTOP	APT50GF120			521 w	標準	ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル																	npt	1200 v	120 a	3V @ 15V 、75a		750 µA	いいえ	5.32 NF @ 25 V
2N3751	273.7050	RFQ	9484	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	スタッドマウント	TO-11-4 、スタッド				30 W		TO-111	-			影響を受けていない	150-2N3751	ear99	8541.29.0095	1																			60 V	5 a			-			PNP	-	-	-
Jan2N5339	9.5494	RFQ	6748	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/560	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N5339			1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			100 V	5 a			100µA			npn	1.2V @ 500MA 、5a	60 @ 2a 、2V	-
jansm2n2907aub	59.0304	RFQ	9005	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-JANSM2N2907AUB			1																			60 V	600 Ma			50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N5794	37.4794	RFQ	2843	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N579			600MW		to-78-6	-	ROHS非準拠		影響を受けていない	2N5794MS	ear99	8541.21.0095	1																			40V	600MA			10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	900MV @ 30MA、300MA	100 @ 150ma 、10V	-
Jan2N6277	187.5566	RFQ	1933年年	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/514	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3	2N6277			250 W		to-3（to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			150 v	50 a			50µA			npn	3V @ 10a 、50a	30 @ 20a 、4V	-
jankcam2n3634	-	RFQ	1629	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-jankcam2n3634			100																			140 v	1 a			10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
JANTX2N5151	13.6192	RFQ	6991	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/545	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N5151			1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			80 v	2 a			50µA			PNP	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
APTC60VDAM24T3G	129.7000	RFQ	1745	マイクロチップテクノロジー	coolmos™	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	APTC60		モスフェット（金属酸化物）	462W		SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）						600V	95a		24mohm @ 47.5a 、10V	3.9V @ 5MA	300NC @ 10V		14400pf @ 25V	スーパージャンクション

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²