画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価( amp) | テスト条件 | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ノイズ図 | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | jantxv2n2920a | 38.1577 | ![]() | 4051 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/355 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-78-6金属缶 | 2N2920 | 350MW | to-78-6 | - | 影響を受けていない | 150-jantxv2n2920a | 1 | 60V | 30ma | 10µa(icbo) | 2 NPN (デュアル) | 300MV @ 100µA、1MA | 300 @ 1MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jansl2n2906a | 99.9500 | ![]() | 5474 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/291 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C | 穴を通して | to-206aa | 500 MW | TO-18(to-206aa | - | 影響を受けていない | 150-jansl2n2906a | 1 | 60 V | 600 Ma | 50NA | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 40 @ 150ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan2n3635l | 10.5868 | ![]() | 7488 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/357 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 2N3635 | 1 W | to-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 50ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT10021Jll | 99.2310 | ![]() | 6280 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMos7® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | APT10021 | モスフェット(金属酸化物) | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 1000 V | 37a(tc) | 10V | 210mohm @ 18.5a 、10V | 5V @ 5MA | 395 NC @ 10 V | ±30V | 9750 PF @ 25 V | - | 694W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6326 | 376.5762 | ![]() | 8665 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 200 W | to-3 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 30 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jans2n3634ub/tr | - | ![]() | 5375 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/357 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 1 W | ub | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 140 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma 、50ma | 50 @ 50ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT5017SVRG | 13.3800 | ![]() | 2486 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMosv® | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-268-3 | APT5017 | モスフェット(金属酸化物) | d3 [s] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 500 V | 30a(tc) | 170mohm @ 500ma 、10V | 4V @ 1MA | 300 NC @ 10 V | 5280 PF @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT8056BVRG | 15.8300 | ![]() | 5558 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMosv® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | APT8056 | モスフェット(金属酸化物) | to-247 [b] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2266-apt8056bvrg | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 800 V | 16a(tc) | 560mohm @ 500ma 、10V | 4V @ 1MA | 275 NC @ 10 V | 4440 PF @ 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
APT30GF60JU2 | - | ![]() | 6554 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | 廃止 | - | シャーシマウント | ISOTOP | 192 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | npt | 600 V | 58 a | 2.5V @ 15V 、30a | 40 µA | いいえ | 1.85 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptgl700sk120d3g | 312.7200 | ![]() | 9898 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | aptgl700 | 3000 w | 標準 | D3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 840 a | 2.2V @ 15V 、600A | 5 Ma | いいえ | 37.2 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N3635L | 11.9700 | ![]() | 3312 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/357 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 2N3635 | 1 W | to-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 50ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120HRM163AG | 282.3100 | ![]() | 3105 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | 炭化シリコン(原文) | - | - | 150-MSCSM120HRM163AG | 1 | 4 nチャネル(3 レベルインバーター) | 炭化シリコン(原文) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT7M120B | 5.7100 | ![]() | 1067 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | APT7M120 | モスフェット(金属酸化物) | to-247 [b] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 1200 v | 8a(tc) | 10V | 2.5OHM @ 3A 、10V | 5V @ 1MA | 80 NC @ 10 V | ±30V | 2565 PF @ 25 V | - | 335W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXVR2N222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 | 12.4089 | ![]() | 6203 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/255 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 500 MW | ub | - | 影響を受けていない | 150-jantxvr2n222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 | 1 | 50 v | 800 Ma | 50NA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jantxv2n2906al | 12.9276 | ![]() | 7837 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/291 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-206aa | 2N2906 | 500 MW | TO-18(to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 Ma | 50NA | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 40 @ 150ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT44GA60BD30 | 7.0200 | ![]() | 1409 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | Power Mos 8™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | APT44GA60 | 標準 | 337 w | to-247 [b] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V 、26a 、4.7OHM、15V | pt | 600 V | 78 a | 130 a | 2.5V @ 15V 、26a | 409µj(オン)、258µj(オフ) | 128 NC | 16ns/84ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT15GT60BRDQ1G | - | ![]() | 4503 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | Thunderboltigbt® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | APT15GT60 | 標準 | 184 w | to-247 [b] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V、15a 、10ohm15V | npt | 600 V | 42 a | 45 a | 2.5V @ 15V 、15a | 150µj(on )、 215µj (オフ) | 75 NC | 6ns/105ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN0604N3-G | 1.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バッグ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | TN0604 | モスフェット(金属酸化物) | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | nチャネル | 40 v | 700ma | 5V、10V | 750mohm @ 1.5a、10V | 1.6V @ 1MA | ±20V | 190 pf @ 20 v | - | 740MW | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ARF469AG | 70.8500 | ![]() | 6963 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | 500 V | 穴を通して | TO-264-3、TO-264AA | ARF469 | 45MHz | モスフェット | TO-264 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | nチャネル | 30a | 250 µA | 350W | 16dB | - | 150 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
jans2N3634 | - | ![]() | 5701 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/357 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 140 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma 、50ma | 50 @ 50ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jansr2n2906a | 99.0906 | ![]() | 2123 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/291 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C | 穴を通して | to-206aa | 2N2906 | 500 MW | TO-18 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-Jansr2N2906a | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 Ma | 50NA | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 40 @ 150ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
jan2n333at2 | - | ![]() | 4566 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | to-39 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | 10 Ma | - | npn | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT95GR65B2 | 8.9400 | ![]() | 6811 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | APT95GR65 | 標準 | 892 w | T-Max™[B2] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 433V 、95A 、4.3OHM、15V | npt | 650 V | 208 a | 400 a | 2.4V @ 15V 、95a | 3.12MJ (オン)、2.55MJ | 420 NC | 29ns/226ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120DUM08T3AG | 395.6500 | ![]() | 1707 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | MSCSM120 | 炭化シリコン(原文) | 1409W | SP3F | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-MSCSM120DUM08T3AG | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 nチャンネル(デュアル)共通ソース | 1200V(1.2kv) | 337a(tc) | 7.8mohm @ 80a 、20V | 2.8V @ 4MA | 928NC @ 20V | 12100pf @ 1000V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jansf2n3700ub/tr | 49.5902 | ![]() | 7381 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/391 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-LCC | 2N3700 | 500 MW | ub | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jansf2n3700ub/tr | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10na | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 50 @ 500MA 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
aptgt75s k120tg | 89.6700 | ![]() | 4707 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP4 | aptgt75 | 357 w | 標準 | SP4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 110 a | 2.1V @ 15V 、75a | 250 µA | はい | 5.34 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMFCLGF100X120BTAM-AS | - | ![]() | 2605 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | 前回購入します | - | 150-CMFCLGF100X120BTAM-AS | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT47F60J | 35.5400 | ![]() | 2211 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | Power Mos 8™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | APT47F60 | モスフェット(金属酸化物) | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 600 V | 49a(tc) | 10V | 90mohm @ 33a 、10V | 5V @ 2.5MA | 330 NC @ 10 V | ±30V | 13190 PF @ 25 V | - | 540W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | apt5024bfllg | 8.4200 | ![]() | 8545 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMos7® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | APT5024 | モスフェット(金属酸化物) | to-247 [b] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 500 V | 22a(tc) | 240mohm @ 11a 、10V | 5V @ 1MA | 43 NC @ 10 V | 1900 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptgt50du120tg | 101.3000 | ![]() | 1027 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP4 | aptgt50 | 277 W | 標準 | SP4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | デュアル、共通のソース | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 75 a | 2.1V @ 15V 、50a | 250 µA | はい | 3.6 nf @ 25 v |
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