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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
APT100GLQ65JU3	28.2300	RFQ	1224	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT100			430 W	標準	ISOTOP®	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	Q10742722	ear99	8541.29.0095	1	シングルチョッパー													トレンチフィールドストップ	650 V	165 a		2.3V @ 15V、1000A				50 µA	いいえ	6.1 nf @ 25 v
jantx2n3250aub/tr	-	RFQ	1165	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/323	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N3250			360 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-JANTX2N3250AUB/TR	ear99	8541.21.0095	1															60 V	200 ma						10µa（icbo）			PNP	500MV @ 5MA 、50mA	50 @ 10ma、1V	-
JANKCBR2N2906A	-	RFQ	2624	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C	穴を通して	to-206aa	2N2906			500 MW		TO-18	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankcbr2n2906a	ear99	8541.21.0095	1															60 V	600 Ma						50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
jansd2n2221aub/tr	150.3406	RFQ	5403	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-jansd2n2221aub/tr			50															50 v	800 Ma						50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
MSCSM70AM10T3AG	206.3200	RFQ	4240	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM70		炭化シリコン（原文）	690W		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM70AM10T3AG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）			700V	241a（tc）		9.5mohm @ 80a 、20V	2.4V @ 8MA	430NC @ 20V		9000pf @ 700V	-
2N6261	40.3050	RFQ	1572	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2N6261			1
JANSM2N3439U4	413.4420	RFQ	3738	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				800 MW		U4	-			影響を受けていない	150-JANSM2N3439U4			1															350 V	1 a						2µA			npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
aptgt200sk120g	174.0714	RFQ	4998	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	aptgt200			890 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル													トレンチフィールドストップ	1200 v	280 a		2.1V @ 15V 、200A				350 µA	いいえ	14 nf @ 25 v
2N2369AU	54.8625	RFQ	5163	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	-	2N2369			500 MW		SMD	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															15 V							400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
apt852bfllg	15.8300	RFQ	5810	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-247-3	APT8052		モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		800 V	15a（tc）		520mohm @ 7.5a 、10V	5V @ 1MA	75 NC @ 10 V		2035 PF @ 25 V	-
jansd2n3057a	127.0302	RFQ	9561	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206ab、to-46-3金属缶				500 MW		to-46	-			影響を受けていない	150-jansd2n3057a			1															80 v	1 a						10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	-
2N3637UB/TR	13.5128	RFQ	8667	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1.5 w		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2N3637UB/TR	ear99	8541.29.0095	1															175 v	1 a						10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
jansd2n5152u3	229.9812	RFQ	1872年	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W		u3（md-0.5）	-			影響を受けていない	150-JANSD2N5152U3			1															80 v	2 a						50µA			npn	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
MVR2N22222AUBC	-	RFQ	3970	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		UBC	-			影響を受けていない	150-MVR2N2222AUBC			100															50 v	800 Ma						50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N5469	40.8150	RFQ	7834	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	TO-213AA、to-66-2				70 W		to-66（to-213aa	-			影響を受けていない	150-2N5469	ear99	8541.29.0095	1															400 V	3 a						-			npn	-	-	-
JANTX2N2907AUBP	26.5867	RFQ	8619	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-jantx2n2907aubp			1															60 V	600 Ma						50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 1ma 、10V	-
MSC025SMA330B4	-	RFQ	1044	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-4	MSC025		sicfet （炭化シリコン）			TO-247-4	-			影響を受けていない	150-MSC025SMA330B4	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		3300 v	104a（tc）	20V	31mohm @ 40a 、20V	2.7V @ 7MA	410 NC @ 20 V	+23V、-10V	8720 PF @ 2640 v	-	-
APT36GA60B	4.8100	RFQ	9843	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT36GA60	標準		290 w		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			400V 、20a 、10ohm15V											pt	600 V	65 a	109 a	2.5V @ 15V 、20a	307µj（オン）、254µj（オフ）	102 NC	16ns/122ns
APT56F50L	13.1000	RFQ	9320	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT56F50		モスフェット（金属酸化物）			to-264 [l]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		500 V	56a（tc）	10V	100mohm @ 28a 、10v	5V @ 2.5MA	220 NC @ 10 V	±30V	8800 PF @ 25 V	-	780W
2N5286	287.8650	RFQ	4839	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-210AA				50 W		to-59	-			影響を受けていない	150-2N5286	ear99	8541.29.0095	1															100 V	5 a						-			PNP	1.5V @ 1MA 、5MA	-	-
2N7376	324.9000	RFQ	6394	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-254-3、to-254aa				58 W		TO-254AA	-			影響を受けていない	150-2N7376	ear99	8541.29.0095	1															200 v	5 a						-			PNP	-	-	-
jansm2n2221aub	150.3406	RFQ	7723	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-JANSM2N2221AUB			1															50 v	800 Ma						50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
SG2004J-883B	-	RFQ	2560	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ	-55°C〜125°C	穴を通して	16-CDIP （0.300 "、7.62mm）	SG2004			-		16-cerdip	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-SG2004J-883B	ear99	8541.29.0095	25															50V	500mA						-			7 npnダーリントン	1.6V @ 500µA、350MA	1000 @ 350MA 、2V	-
jansd2n5153	98.9702	RFQ	6036	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/545	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-Jansd2N5153			1															80 v	2 a						50µA			PNP	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
2N2919U/TR	48.8243	RFQ	8319	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2919			350MW		3-SMD	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2N2919U/TR	ear99	8541.21.0095	1															60V	30ma						10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	300MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
2N5621	74.1300	RFQ	7448	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa、to-3				116 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N5621	ear99	8541.29.0095	1															60 V	10 a						-			PNP	-	-	-
APTM50HM38FG	309.9825	RFQ	1175	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM50		モスフェット（金属酸化物）	694W		SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）			500V	90a		45mohm @ 45a 、10V	5V @ 5MA	246NC @ 10V		11200pf @ 25V	-
JANSP2N2906AUBC/TR	306.0614	RFQ	5006	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		UBC	-			影響を受けていない	150-JANSP2N2906AUBC/TR			50															60 V	600 Ma						50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
jantxv2n2484ub/tr	21.4130	RFQ	3575	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/376	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2484			360 MW		-	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv2n2484ub/tr	ear99	8541.21.0095	1															60 V	50 Ma						2NA			npn	300MV @ 100µA、1MA	225 @ 10MA 、5V	-
Apt60m75jll	69.8500	RFQ	2961	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT60M75		モスフェット（金属酸化物）			ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		600 V	58a	10V	75mohm @ 29a 、10V	5V @ 5MA	195 NC @ 10 V	±30V	8930 PF @ 25 V	-	595W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²