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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
jansm2n2907aubc	305.9206	RFQ	2103	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW		UBC	-			影響を受けていない	150-JANSM2N2907AUBC			1															60 V	600 Ma		50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jan2n4449ub/tr	26.1478	RFQ	3801	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			400 MW		ub	-			影響を受けていない	150-jan2n4449ub/tr	ear99	8541.21.0095	100															20 v			400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	40 @ 10ma、1V	-
jansd2n2219	114.6304	RFQ	9319	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			800 MW		to-39	-			影響を受けていない	150-Jansd2N2219			1															50 v	800 Ma		10na			npn	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jansr2n2369aua	161.6300	RFQ	2975	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2369A		360 MW		ua	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-Jansr2N2369AUA	ear99	8541.21.0095	1															15 V			400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
aptgt50dh170tg	135.5111	RFQ	9269	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	aptgt50		312 w	標準	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	非対称ブリッジ													トレンチフィールドストップ	1700 v	75 a	2.4V @ 15V 、50a	250 µA	はい	4.4 nf @ 25 v
APT1201R2BFLLG	26.9000	RFQ	6897	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-247-3	APT1201	モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		1200 v	12a（tc）		1.25OHM @ 6A 、10V	5V @ 1MA	100 NC @ 10 V		2540 PF @ 25 V	-
MSCSM120HM083AG	685.2500	RFQ	2170	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120	炭化シリコン（原文）	1.042KW		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120HM083AG	ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（フルブリッジ）			1200V（1.2kv）	251a（tc）		10.4mohm @ 120a 、20V	2.8V @ 9MA	696NC @ 20V		9000pf @ 1000V	-
2N3467	10.5868	RFQ	6176	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N3467		1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2N3467ms	ear99	8541.21.0075	1															40 v	1 a		100NA			PNP	1.2V @ 100MA、1a	40 @ 1a 、5V	500MHz
2N5076	287.8650	RFQ	5905	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-210AA			40 W		to-59	-			影響を受けていない	150-2N5076	ear99	8541.29.0095	1															250 v	3 a		-			npn	2V @ 300µA 、500µA	-	-
MSR2N3501UB	98.5929	RFQ	8851	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ									-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-MSR2N3501UB			1
jansd2n2907aub/tr	101.4500	RFQ	3019	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2907		500 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jansd2n2907aub/tr	ear99	8541.21.0095	1															60 V	600 Ma		50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
JANTX2N7370	-	RFQ	6409	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/624	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-254-3	2N7370		100 W		TO-254AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															100 V	12 a		1ma			npn-ダーリントン	3V @ 120ma 、12a	1000 @ 6a、3V	-
Jan2N3810L	21.9982	RFQ	5793	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810		350MW		to-78-6	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															60V	50ma		10µa（icbo）			2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
aptgt75a60t1g	54.6800	RFQ	5312	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP1	aptgt75		250 W	標準	SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ													トレンチフィールドストップ	600 V	100 a	1.9V @ 15V 、75a	250 µA	はい	4.62 NF @ 25 V
jantx2n2369aua/tr	35.6839	RFQ	6734	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし			360 MW		ua	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx2n2369aua/tr	ear99	8541.21.0095	1															15 V	400 na		400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	40 @ 10ma、1V	-
2N5074	287.8650	RFQ	9636	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-210AA			40 W		to-59	-			影響を受けていない	150-2N5074	ear99	8541.29.0095	1															200 v	3 a		-			npn	2V @ 300µA 、500µA	-	-
APTM100TA35FPG	292.9825	RFQ	3882	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM100	モスフェット（金属酸化物）	390W		SP6-P	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	6 N-Channel（3 フェーズブリッジ）			1000V（1kv）	22a		420mohm @ 11a 、10V	5V @ 2.5MA	186nc @ 10V		5200PF @ 25V	-
2N5783	16.9974	RFQ	3107	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N5783					-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
2N3495	33.6900	RFQ	2211	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			400MW		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N3495	ear99	8541.21.0095	1			-												120V	100mA					PNP		40 @ 50ma 、10V	150MHz	-
jansm2n2221aua/tr	150.3406	RFQ	1506	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし			650 MW		ua	-			影響を受けていない	150-JANSM2N2221AUA/TR			50															50 v	800 Ma		50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
APT4F120K	-	RFQ	4519	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）			TO-220	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル		1200 v	4a（tc）	10V	4.6OHM @ 2A 、10V	5V @ 500µA	43 NC @ 10 V	±30V	1385 PF @ 25 V	-	225W
APTM100TA35SCTPG	417.0600	RFQ	4810	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	APTM100	モスフェット（金属酸化物）	390W		SP6-P	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	6 N-Channel（3 フェーズブリッジ）			1000V（1kv）	22a		420mohm @ 11a 、10V	5V @ 2.5MA	186nc @ 10V		5200PF @ 25V	-
JANTX2N222222AUBP	12.4222	RFQ	1220	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-jantx2N2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222			1															50 v	800 Ma		50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
MSCSM120HRM163AG	282.3100	RFQ	3105	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール		炭化シリコン（原文）			-	-				150-MSCSM120HRM163AG			1	4 nチャネル（3 レベルインバーター）											炭化シリコン（原文）
jantxv2n2906al	12.9276	RFQ	7837	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N2906		500 MW		TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															60 V	600 Ma		50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
APTC80H15T3G	83.6600	RFQ	1643	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	APTC80	モスフェット（金属酸化物）	277W		SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）			800V	28a		150mohm @ 14a 、10V	3.9V @ 2MA	180NC @ 10V		4507pf @ 25V	-
TN0604N3-G	1.3900	RFQ	2	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	TN0604	モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1,000		nチャネル		40 v	700ma	5V、10V	750mohm @ 1.5a、10V	1.6V @ 1MA		±20V	190 pf @ 20 v	-	740MW
2N930UB	21.5859	RFQ	1379	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N930					-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
2N3636ub/tr	15.4200	RFQ	6475	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W		ub	-			影響を受けていない	150-2N3636ub/tr	ear99	8541.29.0095	100															175 v	1 a		10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
JANTXVR2N222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222	12.4089	RFQ	6203	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-jantxvr2n222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222			1															50 v	800 Ma		50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²