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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	テスト条件	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
2N930UB	21.5859	RFQ	1379	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N930							-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
2N3636ub/tr	15.4200	RFQ	6475	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし					1 W		ub	-			影響を受けていない	150-2N3636ub/tr	ear99	8541.29.0095	100																				175 v	1 a							10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50MA 、10V	-
JANTXVR2N222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222	12.4089	RFQ	6203	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし					500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-jantxvr2n222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222			1																				50 v	800 Ma							50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
APT44GA60BD30	7.0200	RFQ	1409	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT44GA60	標準			337 w		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1				400V 、26a 、4.7OHM、15V															pt	600 V	78 a	130 a	2.5V @ 15V 、26a	409µj（オン）、258µj（オフ）	128 NC	16ns/84ns
ARF469AG	70.8500	RFQ	6963	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	500 V		穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	ARF469		45MHz	モスフェット			TO-264	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1	nチャネル		30a		250 µA	350W	16dB											-									150 v
APT7M120B	5.7100	RFQ	1067	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT7M120			モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						1200 v	8a（tc）	10V	2.5OHM @ 3A 、10V	5V @ 1MA	80 NC @ 10 V	±30V	2565 PF @ 25 V	-	335W
2N6326	376.5762	RFQ	8665	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-204aa、to-3					200 W		to-3	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				60 V	30 a							-			PNP	-	-	-
jansr2n2906a	99.0906	RFQ	2123	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C	穴を通して	to-206aa	2N2906				500 MW		TO-18	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-Jansr2N2906a	ear99	8541.21.0095	1																				60 V	600 Ma							50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
APT10021Jll	99.2310	RFQ	6280	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT10021			モスフェット（金属酸化物）			ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						1000 V	37a（tc）	10V	210mohm @ 18.5a 、10V	5V @ 5MA	395 NC @ 10 V	±30V	9750 PF @ 25 V	-	694W
jans2N3634	-	RFQ	5701	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					1 W		to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50																				140 v	10 µA							10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50MA 、10V	-
APT15GT60BRDQ1G	-	RFQ	4503	マイクロチップテクノロジー	Thunderboltigbt®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT15GT60	標準			184 w		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1				400V、15a 、10ohm15V															npt	600 V	42 a	45 a	2.5V @ 15V 、15a	150µj（on ）、 215µj （オフ）	75 NC	6ns/105ns
aptgt300a60d3g	217.9400	RFQ	5607	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	D-3モジュール	aptgt300				940 w	標準	D3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ																		トレンチフィールドストップ	600 V	400 a		1.9V @ 15V 、300A					500 µA	いいえ	18.5 nf @ 25 v
2N6579	174.6150	RFQ	9865	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3					125 w		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N6579	ear99	8541.29.0095	1																				350 V	12 a							-			npn	1.5V @ 500µA、3MA	-	-
jantxv2n3762	-	RFQ	9883	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/396	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					1 W		to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				40 v	1.5 a							10µa（icbo）			PNP	900mv @ 100ma、1a	30 @ 1a 、1.5V	-
jans2n3634ub/tr	-	RFQ	5375	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし					1 W		ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50																				140 v	10 µA							10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50MA 、10V	-
jansf2n3700ub/tr	49.5902	RFQ	7381	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-LCC	2N3700				500 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jansf2n3700ub/tr	ear99	8541.21.0095	1																				80 v	1 a							10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	50 @ 500MA 、10V	-
APT8056BVRG	15.8300	RFQ	5558	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	APT8056			モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	2266-apt8056bvrg	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						800 V	16a（tc）		560mohm @ 500ma 、10V	4V @ 1MA	275 NC @ 10 V		4440 PF @ 25 V	-
JANTX2N3635L	11.9700	RFQ	3312	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3635				1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				140 v	1 a							10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
MSCSM120DUM08T3AG	395.6500	RFQ	1707	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120			炭化シリコン（原文）	1409W		SP3F	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120DUM08T3AG	ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）共通ソース							1200V（1.2kv）	337a（tc）		7.8mohm @ 80a 、20V	2.8V @ 4MA	928NC @ 20V		12100pf @ 1000V	-
APT30GF60JU2	-	RFQ	6554	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止		-	シャーシマウント	ISOTOP					192 w	標準	SOT-227	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	1	シングル																		npt	600 V	58 a		2.5V @ 15V 、30a					40 µA	いいえ	1.85 NF @ 25 V
jans2N5416	-	RFQ	9929	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ			-	-							-	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
2N4930	9.5494	RFQ	8174	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N4930				1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				200 v	200 ma							250na（icbo）			PNP	1.2V @ 3MA 、30ma	50 @ 30ma 、10V	-
APTGT200DA120G	174.0714	RFQ	4898	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	aptgt200				890 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル																		トレンチフィールドストップ	1200 v	280 a		2.1V @ 15V 、200A					350 µA	いいえ	14 nf @ 25 v
2N5303	58.2407	RFQ	6780	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3	2N5303				5 W		TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2N5303ms	ear99	8541.29.0095	1																				80 v	20 a							10µA			npn	2V @ 4a 、20a	15 @ 10a 、2V	-
jantxv2n3724ub	-	RFQ	8721	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし							ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																				30 V	500 Ma							-			npn	-	-	-
aptgt150tl60g	203.2317	RFQ	6012	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP6	aptgt150				480 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	3つのレベルインバーター																		トレンチフィールドストップ	600 V	200 a		1.9V @ 15V 、150a					250 µA	いいえ	9.2 nf @ 25 v
aptgl40x120t3g	112.0000	RFQ	4242	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP3	aptgl40				220 W	標準	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	三相インバーター																		トレンチフィールドストップ	1200 v	65 a		2.25V @ 15V、35a					250 µA	はい	1.95 nf @ 25 v
aptgt200du60tg	118.2500	RFQ	2405	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP4	aptgt200				625 w	標準	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	デュアル、共通のソース																		トレンチフィールドストップ	600 V	290 a		1.9V @ 15V 、200A					250 µA	はい	12.3 nf @ 25 v
89100-04TXV	-	RFQ	8761	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	TO-213AA、to-66-2							to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																												-			-	-	-	-
2N336T2	65.1035	RFQ	4892	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N336							-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²