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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
JANTX2N335	-	RFQ	6642	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	175°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3					to-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1														45 v						-				npn	-	-	-
2N5314	519.0900	RFQ	5879	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	スタッドマウント	TO-211MA			87.5 w		to-61	-			影響を受けていない	150-2N5314	ear99	8541.29.0095	1														100 V	20 a					-				PNP	-	-	-
aptgt100du60tg	93.5400	RFQ	5457	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP4	aptgt100		340 w	標準	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	デュアル、共通のソース												トレンチフィールドストップ	600 V	150 a	1.9V @ 15V 、100A				250 µA	はい	6.1 nf @ 25 v
2N1701	54.5699	RFQ	5863	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N1701					-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
2N4858U/TR	97.8750	RFQ	7098	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N4858		360 MW		ub	-			影響を受けていない	150-2N4858U/TR			100		nチャネル	40 v							18pf @ 10V							40 v	8 ma @ 15 v	800 mV @ 500 Pa				60オーム
APTMC170AM30CT1AG	-	RFQ	3978	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP1	APTMC170	炭化シリコン（原文）	700W		SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）		1700V（1.7kV）	100a（tc）		30mohm @ 100a 、20V	2.3V @ 5MA（タイプ）	380NC @ 20V		6160pf @ 1000V	-
APTCV60TLM70T3G	90.4208	RFQ	7374	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	APTCV60		176 W	標準	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	3つのレベルインバーター												トレンチフィールドストップ	600 V	80 a	1.9V @ 15V 、50a				250 µA	はい	3.15 nf @ 25 v
jansm2n2222a	98.5102	RFQ	3426	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa			500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-JANSM2N2222A			1														50 v	800 Ma					50NA				npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jans2n3810u/tr	107.5308	RFQ	1809	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N3810		350MW		6-SMD	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans2n3810u/tr	ear99	8541.21.0095	1														60V	50ma					10µa（icbo）				2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
APT40GF120JRDQ2	-	RFQ	3682	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	ISOTOP			347 w	標準	ISOTOP®	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	シングル												npt	1200 v	77 a	3V @ 15V 、40a				500 µA	いいえ	3.46 NF @ 25 V
APT1201R6BVFRG	18.9800	RFQ	3717	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-247-3	APT1201	モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	1200 v	8a（tc）		1.6OHM @ 4A 、10V	4V @ 1MA	230 NC @ 10 V		3660 PF @ 25 V	-
2N3790	78.5250	RFQ	4009	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3			150 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N3790	ear99	8541.29.0095	1														80 v	10 a					-				PNP	-	-	-
jansd2n3810	198.9608	RFQ	6853	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500 /336	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810		350MW		to-78-6	-			影響を受けていない	150-Jansd2N3810			1														60V	50ma					10µa（icbo）				2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
jansr2n2369au	130.1402	RFQ	8591	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし			500 MW		u	-			影響を受けていない	150-Jansr2N2369AU			1														15 V						400na				npn	450mv @ 10ma 、100ma	40 @ 10ma、1V	-
jans2n5796a	403.6818	RFQ	1865年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/496	バルク	アクティブ	-65°C〜175°C	穴を通して	to-78-6金属缶	2N5796		600MW		to-78-6	-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														60V	600MA					10µa（icbo）				2 PNP （デュアル）	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N1613	18.7397	RFQ	9938	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			800 MW		to-39	-			影響を受けていない	2N1613ms	ear99	8541.21.0095	1														30 V	500 Ma					10na （icbo）				npn	1.5V @ 15MA、150ma	40 @ 150ma 、10V	-
JanHCA2N3634	-	RFQ	2079	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W		to-39	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-janhca2n3634	ear99	8541.29.0095	1														140 v	1 a					10µA				PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
jansl2n5153u3	229.9812	RFQ	6434	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/545	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1.16 w		U3	-			影響を受けていない	150-Jansl2N5153U3			1														80 v	2 a					50µA				PNP	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
aptgt200tl60g	247.5900	RFQ	6461	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP6	aptgt200		652 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	3つのレベルインバーター												トレンチフィールドストップ	600 V	300 a	1.9V @ 15V 、200A				350 µA	いいえ	12.2 nf @ 25 v
2N5786	20.8411	RFQ	8143	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N5786					-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
jantxv2n3902	64.7311	RFQ	7954	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/371	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3	2N3902		5 W		to-204aa	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														400 V	3.5 a					250µA				npn	2.5V @ 700MA 、3.5a	30 @ 1a 、5V	-
MSCSM120AM042T6LIAG	771.2600	RFQ	9051	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120	炭化シリコン（原文）	2.031KW		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120AM042T6LIAG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）		1200V（1.2kv）	495a		5.2mohm @ 240a 、20V	2.8V @ 18MA	1392NC @ 20V		18100pf @ 1000V	-
Jan2N6350	-	RFQ	1300	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/472	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-205AC、to-33-4金属缶			1 W		to-33	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														80 v	5 a					-				npn-ダーリントン	1.5V @ 5MA 、5a	2000 @ 5a 、5V	-
2N6357	77.9550	RFQ	4478	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-2N6357			1
Jan2N6676T1	-	RFQ	8088	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	200°C （TJ）	穴を通して	TO-254-3					TO-254	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1														300 V	15 a					-				npn	-	-	-
89100-06TX	-	RFQ	8567	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	TO-213AA、to-66-2					to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																				-				-	-	-	-
TN0620N3-G-P014	1.3200	RFQ	6992	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	TN0620	モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		nチャネル	200 v	250ma	5V、10V	6OHM @ 500MA 、10V	1.6V @ 1MA		±20V	150 PF @ 25 V	-	1W （TC）
jantxv2n4930	-	RFQ	3012	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/397	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W		to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														200 v	200 ma									PNP	1.2V @ 3MA 、30ma	50 @ 30ma 、10V	-
DN2535N5-G	1.6900	RFQ	162	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	DN2535	モスフェット（金属酸化物）			TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル	350 V	500MA （TJ）	0V	25OHM @ 120MA 、0V	-		±20V	300 pf @ 25 V	枯渇モード	15W （TC）
JANTX2N3501U4	-	RFQ	6406	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W		U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														150 v	300 Ma					50na（icbo）				npn	400MV @ 15MA、150MA	100 @ 150ma 、10V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²