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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
JANTXV2N3440U4	-	RFQ	8405	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/368	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			800 MW		U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														250 v	2 µA		2µA			npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
jans2N5667	-	RFQ	3805	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/455	バルク	sicで中止されました	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N5667		1.2 w		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														300 V	5 a		200na			npn	1V @ 1a 、5a	25 @ 1a 、5V	-
jantx2n2222a	2.7300	RFQ	3434	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N2222		500 MW		TO-218	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														50 v	800 Ma		50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jans2N5665	212.4314	RFQ	9995	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/455	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2	2N5665		2.5 W		to-66（to-213aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														300 V	5 a		200na			npn	1V @ 1a 、5a	25 @ 1a 、5V	-
jan2n2369au	-	RFQ	3827	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-CLCC	2N2369A		500 MW		6-LCC	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														15 V			400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	40 @ 10ma、1V	-
APT33N90JCU2	-	RFQ	3880	マイクロチップテクノロジー	coolmos™	トレイ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック		モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	-		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	100		nチャネル	900 V	33a	10V	120mohm @ 26a 、10V	3.5V @ 3MA	270 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 100 V	-	290W
APTMC170AM60CT1AG	-	RFQ	3248	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP1	APTMC170	炭化シリコン（原文）	350W		SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）		1700V（1.7kV）	50a（tc）		60mohm @ 50a 、20V	2.3V @ 2.5MA （タイプ）	190NC @ 20V		3080pf @ 1000V	-
2N6989U	59.3712	RFQ	2691	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C	表面マウント	20-CLCC	2N6989		1W		20-clcc （8.89x8.89	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2N6989UMS	ear99	8541.29.0095	1														50V	800mA		10µa（icbo）			4 npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
JANTXV2N3501U4	-	RFQ	3332	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W		U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														150 v	300 Ma		50na（icbo）			npn	400MV @ 15MA、150MA	100 @ 150ma 、10V	-
jantxv2n6675	177.2092	RFQ	1979年年	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N6675					-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
MSR2N3810	-	RFQ	4609	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810		350MW		to-78-6	-			影響を受けていない	150-MSR2N3810			100														60V	50ma		10µa（icbo）			2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
2N3439UA	47.3081	RFQ	6861	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N3439		800 MW		-	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														350 V	1 a		2µA			npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
APT34F60S	14.4200	RFQ	91	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3	APT34F60	モスフェット（金属酸化物）			d3pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt34f60s	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	600 V	36a（tc）	10V	190mohm @ 17a 、10V	5V @ 1MA	165 NC @ 10 V	±30V	6640 PF @ 25 V	-	624W
2N6227	37.8518	RFQ	2583	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N6227					-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
APT25GLQ120JCU2	36.7400	RFQ	4521	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT25GLQ120		170 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル												トレンチフィールドストップ	1200 v	45 a	2.4V @ 15V 、25a	250 µA	いいえ	1.43 nf @ 25 v
jantxv2n5796	138.7610	RFQ	1216	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/496	バルク	アクティブ	-65°C〜175°C	穴を通して	to-78-6金属缶	2N5796		600MW		to-78-6	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														60V	600MA		10µa（icbo）			2 PNP （デュアル）	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N2906AUB	8.5386	RFQ	8926	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2906		500 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 Ma		50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
SG2023J	-	RFQ	6010	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ	-55°C〜125°C	穴を通して	16-CDIP （0.300 "、7.62mm）	SG2023		-		16-cerdip	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-SG2023J	ear99	8541.29.0095	25														95V	500mA		-			7 npnダーリントン	1.6V @ 500µA、350MA	1000 @ 350MA 、2V	-
jantxv2n6300	39.5675	RFQ	4491	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/539	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	TO-213AA、to-66-2	2N6300		75 W		to-66（to-213aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														60 V	8 a		500µA			npn-ダーリントン	3V @ 80ma 、8a	750 @ 4a、3V	-
jantxv2n6274	247.9918	RFQ	9654	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/514	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3			250 W		to-3	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														100 V	50 µA		50µA			npn	3V @ 10a 、50a	30 @ 20a 、4V	-
jansl2n2369au	130.1402	RFQ	1736	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし			500 MW		u	-			影響を受けていない	150-jansl2n2369au			1														15 V			400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	40 @ 10ma、1V	-
2N3019S	20.4500	RFQ	66	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N3019		800 MW		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														80 v	1 a		10µa（icbo）			npn	500MV @ 50MA 、500MA	50 @ 500MA 、10V	-
APT1001RBVFRG	15.3400	RFQ	8341	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-247-3	APT1001	モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	1000 V	11a（tc）		1OHM @ 5.5A 、10V	4V @ 1MA	150 NC @ 10 V		3050 PF @ 25 V	-
jankccf2n5151	-	RFQ	2593	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/545	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W		to-39	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankccf2n5151	ear99	8541.29.0095	1														80 v	2 a		50µA			PNP	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
2N6686	755.0400	RFQ	7268	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3			200 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N6686	ear99	8541.29.0095	1														160 v	25 a		-			npn	1.5V @ 2.5MA 、10MA	-	-
JANTX2N3585	267.5420	RFQ	1213	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/384	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2	2N3585		2.5 W		to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														300 V	2 a		5MA			npn	750mv @ 125ma、1a	25 @ 1a 、10V	-
2N4864	15.6541	RFQ	3512	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N4864					-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
TN2124K1-G	0.8600	RFQ	941	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	TN2124	モスフェット（金属酸化物）			TO-236AB （SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000		nチャネル	240 v	134ma	3V 、4.5V	15OHM @ 120MA 、4.5V	2V @ 1MA		±20V	50 pf @ 25 V	-	360MW
2N3700UB	10.0800	RFQ	1	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N3700		500 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														80 v	1 a		10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	50 @ 500MA 、10V	-
APT10M25BVRG	9.8900	RFQ	6303	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-247-3	APT10M25	モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	100 V	75a（tc）		25mohm @ 500ma 、10V	4V @ 1MA	225 NC @ 10 V		5160 PF @ 25 V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²