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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
2N6686	755.0400	RFQ	7268	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3				200 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N6686	ear99	8541.29.0095	1																			160 v	25 a			-			npn	1.5V @ 2.5MA 、10MA	-	-
JANTX2N3585	267.5420	RFQ	1213	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/384	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2	2N3585			2.5 W		to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			300 V	2 a			5MA			npn	750mv @ 125ma、1a	25 @ 1a 、10V	-
2N4864	15.6541	RFQ	3512	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N4864						-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
TN2124K1-G	0.8600	RFQ	941	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C （TJ	表面マウント	TO-236-3	TN2124		モスフェット（金属酸化物）			TO-236AB （SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000		nチャネル					240 v	134ma	3V 、4.5V	15OHM @ 120MA 、4.5V	2V @ 1MA		±20V	50 pf @ 25 V	-	360MW
2N3700UB	10.0800	RFQ	1	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N3700			500 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																			80 v	1 a			10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	50 @ 500MA 、10V	-
APT10M25BVRG	9.8900	RFQ	6303	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	APT10M25		モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					100 V	75a（tc）		25mohm @ 500ma 、10V	4V @ 1MA	225 NC @ 10 V		5160 PF @ 25 V	-
jantxv2n4236	45.9249	RFQ	2840	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/580	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N4236			1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			80 v	1 a			1ma			PNP	600MV @ 100MA、1A	30 @ 250ma、1V	-
2N6339	67.2980	RFQ	6983	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N6339						-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
JANSP2N5152U3	229.9812	RFQ	7033	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W		u3（md-0.5）	-			影響を受けていない	150-JANSP2N5152U3			1																			80 v	2 a			50µA			npn	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
APT12057B2LLG	37.4903	RFQ	1574	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-247-3	APT12057		モスフェット（金属酸化物）			T-Max™[B2]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					1200 v	22a（tc）	10V	570mohm @ 11a 、10V	5V @ 2.5MA	290 NC @ 10 V	±30V	6200 PF @ 25 V	-	690W
SG2823J	-	RFQ	7892	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	-	SG2823			-		18-CDIP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	21																			95V	500mA			-			8 npnダーリントン	1.6V @ 500µA、350MA	1000 @ 350MA 、2V	-
JANTX2N5794U	135.1608	RFQ	8529	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/495	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N5794			600MW		6-SMD	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																			40V	600MA			10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	900MV @ 30MA、300MA	100 @ 150ma 、10V	-
jans2n7372	-	RFQ	2330	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/612	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-254-3				4 w		TO-254AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			80 v	5 a			50µA			PNP	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
2N696	26.1478	RFQ	2212	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N696			600 MW		to-5aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																			40 v				10µa（icbo）			npn	1.5V @ 15MA、150ma	20 @ 150ma 、10V	-
Jan2N3418	17.0905	RFQ	1271	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/393	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N3418			1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			60 V	3 a			5µA			npn	500MV @ 200MA 、2a	20 @ 1a 、2V	-
Jan2N6987U	57.6821	RFQ	4589	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/558	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N6987			1W		6-SMD	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			60V	600MA			10µa（icbo）			4 PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jans2n2907al	67.8402	RFQ	3033	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N2907			500 MW		TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																			60 V	600 Ma			50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jantxv2n222222al	8.8578	RFQ	2542	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N2222			500 MW		TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																			50 v	800 Ma			50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N1480	25.4429	RFQ	1213	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3				1 W		to-5	-			影響を受けていない	2N1480ms	ear99	8541.29.0095	1																			55 v	1.5 a			5µa（icbo）			npn	750MV @ 20MA 、200mA	20 @ 200ma 、4V	-
VRF2944	197.8800	RFQ	13	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	170 v			M177		30MHz	モスフェット			M177	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1	nチャネル		50a	250 Ma	400W	22dB											-					50 v
JANTX2N3999	-	RFQ	5530	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/374	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）	シャーシ、スタッドマウント	TO-210AA				2 W		to-59	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			80 v	10 a			10µA			npn	2V @ 500MA 、5a	80 @ 1a 、2V	-
APTM120U10SAG	334.2900	RFQ	5529	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM120		モスフェット（金属酸化物）			SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					1200 v	116a（tc）	10V	120mohm @ 58a 、10V	5V @ 20MA	1100 NC @ 10 V	±30V	28900 PF @ 25 V	-	3290W
Jansr2N5152U3	229.9812	RFQ	8213	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	トレイ	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N5152					U3	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																			80 v	2 a			1ma			npn	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
2N5154U3	107.4906	RFQ	7795	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W		U3	-		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			80 v	1 Ma			1ma			npn	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
APTGT100A60T1G	60.9100	RFQ	3805	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP1	aptgt100			340 w	標準	SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ																	トレンチフィールドストップ	600 V	150 a	1.9V @ 15V 、100A		250 µA	はい	6.1 nf @ 25 v
2N6563	755.0400	RFQ	4184	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MA				100 W		to-61	-			影響を受けていない	150-2N6563	ear99	8541.29.0095	1																			300 V	10 a			-			npn	-	-	-
APTC60HM70RT3G	99.0200	RFQ	5180	マイクロチップテクノロジー	coolmos™	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ		SP3	APTC60		モスフェット（金属酸化物）	250W		SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ） +ブリッジ整流器						600V	39a		70mohm @ 39a 、10V	3.9V @ 2.7MA	259NC @ 10V		7000pf @ 25V	-
jantxv2n6385	69.1068	RFQ	1126	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/523	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	to-204aa、to-3	2N6385			6 W		to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			80 v	10 a			1ma			npn-ダーリントン	3V @ 100MA 、10a	1000 @ 5a 、3V	-
APT17F100B	9.9900	RFQ	1	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-247-3	APT17F100		モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					1000 V	17a（tc）	10V	800mohm @ 9a、10V	5V @ 1MA	150 NC @ 10 V	±30V	4845 PF @ 25 V	-	625W （TC）
jantxv2n918ub	29.3265	RFQ	5341	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/301	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N918			200 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																			15 V	50 Ma			1µa（icbo）			npn	400MV @ 1MA 、10MA	20 @ 3MA、1V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²