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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
Jan2N2904	10.6533	RFQ	8706	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/290	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N2904			600 MW		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															40 v	600 Ma						1µA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	35 @ 10ma 、10V	-
jantxv2n3725l	-	RFQ	1810年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3						to-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1															50 v	500 Ma						-			npn	-	-	-
2N3054A	50.2075	RFQ	4529	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない			0000.00.0000	1
jansr2n2221aub/tr	135.3410	RFQ	1939年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-jansr2n2221aub/tr			50															50 v	800 Ma						50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
2C3790	63.2700	RFQ	4801	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2C3790			1
jantx2n4033ub	25.8020	RFQ	4896	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/512	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N4033			500 MW		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															80 v	1 a						10µa（icbo）			PNP	1V @ 100MA、1a	100 @ 100MA 、5V	-
JANTX2N3441	-	RFQ	6503	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/369	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2	2N3441			3 W		to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															140 v	3 a						-			npn	1V @ 50ma 、500ma	25 @ 500MA 、4V	-
Jan2N5794U	118.9902	RFQ	3692	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/495	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N5794			600MW		6-SMD	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															40V	600MA						10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	900MV @ 30MA、300MA	100 @ 150ma 、10V	-
APTMC120AM20CT1AG	-	RFQ	6497	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP1	APTMC120		炭化シリコン（原文）	600W		SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）			1200V（1.2kv）	143a（tc）		17mohm @ 100a 、20V	2.3V @ 2MA（タイプ）	360NC @ 20V		5960pf @ 1000V	-
VN4012L-G	2.0000	RFQ	647	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	VN4012		モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		400 V	160ma	4.5V	12OHM @ 100MA 、4.5V	1.8V @ 1MA		±20V	110 PF @ 25 V	-	1W （TC）
aptgt300du60g	217.6800	RFQ	5498	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP6	aptgt300			1150 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	aptgt300du60gmp-nd	ear99	8541.29.0095	1	デュアル、共通のソース													トレンチフィールドストップ	600 V	430 a		1.8V @ 15V 、300A				350 µA	いいえ	24 nf @ 25 v
2N2222AE4	3.7772	RFQ	7579	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N2222			500 MW		TO-18（to-206aa	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															50 v	800 Ma						50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
MSC360SMA120S	7.2100	RFQ	210	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ				MSC360						-		1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSC360SMA120S	ear99	8541.29.0095	30
Jan2N3767	26.9724	RFQ	9987	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/518	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2	2N3767			25 W		to-66（to-213aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															80 v	4 a						500µA			npn	2.5V @ 100MA、1a	40 @ 500MA 、5V	-
APT50M75B2LLG	21.0600	RFQ	7827	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3バリアント	APT50M75		モスフェット（金属酸化物）			T-Max™[B2]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		500 V	57a（tc）	10V	75mohm @ 28.5a 、10V	5V @ 2.5MA	125 NC @ 10 V	±30V	5590 PF @ 25 V	-	570W （TC）
APT60M75JVR	82.3510	RFQ	3362	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT60M75		モスフェット（金属酸化物）			ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		600 V	62a（tc）	10V	75mohm @ 500ma 、10V	4V @ 5MA	1050 NC @ 10 V	±30V	19800 pf @ 25 v	-	700W
SG2023J-883B	-	RFQ	7788	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	穴を通して	-	SG2023			-		16-CDIP	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	25															95V	500mA						-			7 npnダーリントン	1.6V @ 500µA、350MA	1000 @ 350MA 、2V	-
2N5793U	71.0700	RFQ	1451	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N5793			600MW		u	-			影響を受けていない	150-2N5793U	ear99	8541.21.0095	1															40V	600MA						10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	900MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-
Jan2N3634	10.5070	RFQ	2468	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N3634			1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															140 v	1 a						10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
MSCSM170AM029T6LIAG	-	RFQ	1769	マイクロチップテクノロジー	-	箱	アクティブ										ダウンロード				150-MSCSM170AM029T6LIAG			1
jansr2n2219al	114.6304	RFQ	3662	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N2219			800 MW		to-5	-			影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															50 v	800 Ma						10na			npn	1V @ 50ma 、500ma	75 @ 1MA 、10V	-
APT75GN60BG	7.0400	RFQ	2648	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	APT75GN60	標準		536 w		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			400V 、75a、1OHM、15V											トレンチフィールドストップ	600 V	155 a	225 a	1.85V @ 15V 、75a	2500µj（on ）、2140µj （オフ）	485 NC	47ns/385ns
Jan2N4237	39.7936	RFQ	8124	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/581	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N4237			1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															40 v	1 a						100na（icbo）			npn	600MV @ 100MA、1A	30 @ 250ma、1V	-
MIC94050YM4-TR	0.6000	RFQ	14	マイクロチップテクノロジー	Symfet™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	to-253-4、to-253aa	MIC94050		モスフェット（金属酸化物）			SOT-143	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000		pチャネル		6 v	1.8a（ta）	1.8V 、4.5V	160mohm @ 100ma 、4.5V	1.2V @ 250µA		6V	600 pf @ 5.5 v	-	568MW
MSC025SMA120B	40.1300	RFQ	120	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	MSC025		sicfet （炭化シリコン）			TO-247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	691-MSC025SMA120B	ear99	8541.29.0095	30		nチャネル		1200 v	103a（tc）	20V	31mohm @ 40a 、20V	2.8V @ 1MA	232 NC @ 20 V	+25V、-10V	3020 pf @ 1000 v	-	500W （TC）
Jan2N6211	-	RFQ	9265	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/461	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	TO-213AA、to-66-2				3 W		to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															225 v	2 a						5MA			PNP	1.4V @ 125MA、1a	30 @ 1a 、5V	-
APT5017SVRG	13.3800	RFQ	2486	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ		表面マウント	TO-268-3	APT5017		モスフェット（金属酸化物）			d3 [s]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		500 V	30a（tc）		170mohm @ 500ma 、10V	4V @ 1MA	300 NC @ 10 V		5280 PF @ 25 V	-
aptgl700sk120d3g	312.7200	RFQ	9898	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	aptgl700			3000 w	標準	D3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル													トレンチフィールドストップ	1200 v	840 a		2.2V @ 15V 、600A				5 Ma	いいえ	37.2 nf @ 25 v
MSCSM120HM16CT3AG	500.5900	RFQ	5926	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120		炭化シリコン（原文）	745W		SP3F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120HM16CT3AG	ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル			1200V（1.2kv）	173a		16mohm @ 80a 、20V	2.8V @ 2MA	464NC @ 20V		6040pf @ 1000V	-
jantxv2n3810l	32.8909	RFQ	9745	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810			350MW		to-78-6	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															60V	50ma						10µa（icbo）			2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²