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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
JAN2N2920A	30.6432	RFQ	9037	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/355	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N2920			350MW	to-78-6	-			影響を受けていない	150-JAN2N2920A			1																		60V	30ma		10µa（icbo）	2 NPN （デュアル）	300MV @ 100µA、1MA	300 @ 1MA 、5V	-
APT39F60J	31.2000	RFQ	6802	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT39F60		モスフェット（金属酸化物）		ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					600 V	42a	10V	110mohm @ 28a 、10v	5V @ 2.5MA	280 NC @ 10 V	±30V	11300 PF @ 25 V	-	480W
DN3145N8-G	0.9000	RFQ	4083	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-243AA	DN3145		モスフェット（金属酸化物）		TO-243AA	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		nチャネル					450 v	100MA （TJ）	0V	60OHM @ 100MA 、0V	-		±20V	120 PF @ 25 V	枯渇モード	1.3W
2N6353	31.0821	RFQ	5847	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-3	2N6353			2 W	to-66（to-213aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																		150 v	5 a		1µA	npn-ダーリントン	2.5V @ 10ma 、5a	1000 @ 5a 、5V	-
Jan2N4930	-	RFQ	2439	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/397	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W	to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																		200 v	200 ma			PNP	1.2V @ 3MA 、30ma	50 @ 30ma 、10V	-
APT21M100J	31.5900	RFQ	6453	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT21M100		モスフェット（金属酸化物）		ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					1000 V	21a（tc）	10V	380mohm @ 16a 、10V	5V @ 2.5MA	260 NC @ 10 V	±30V	8500 PF @ 25 V	-	462W
APTM100H18FG	380.9825	RFQ	4773	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM100		モスフェット（金属酸化物）	780w	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）						1000V（1kv）	43a		210mohm @ 21.5a 、10V	5V @ 5MA	372NC @ 10V		10400pf @ 25V	-
jankcam2n2369a	-	RFQ	6517	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C	穴を通して	to-206aa				500 MW	TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jankcam2n2369a			100																		15 V			400na	npn	450mv @ 10ma 、100ma	40 @ 10ma、1V	-
MVR2N2907AUA	-	RFQ	9805	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし				500 MW	ua	-			影響を受けていない	150-MVR2N2907AUA			100																		60 V	600 Ma		50NA	PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jantxv2n3637l	14.3906	RFQ	8036	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3637			1 W	to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																		175 v	1 a		10µA	PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
jantxv2n5153p	22.4105	RFQ	8946	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/545	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W	to-39	-			影響を受けていない	150-jantxv2n5153p			1																		80 v	2 a		50µA	PNP	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
jantxv2n3637p	19.9234	RFQ	1038	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W	to-39	-			影響を受けていない	150-jantxv2n3637p			1																		175 v	1 a		10µA	PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
jansd2n2218al	98.4404	RFQ	3372	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205aa、to-5-3				800 MW	to-5aa	-			影響を受けていない	150-jansd2n2218al			1																		50 v	800 Ma		10na	npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
VRF152	105.1800	RFQ	2	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	130 v			M174	VRF152	175MHz	モスフェット		M174	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1	nチャネル		50µA	250 Ma	150W	14db											-			50 v
VRF2944	197.8800	RFQ	13	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	170 v			M177		30MHz	モスフェット		M177	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1	nチャネル		50a	250 Ma	400W	22dB											-			50 v
JANTX2N2906AUBC	19.6707	RFQ	1190	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW	UBC	-			影響を受けていない	150-JANTX2N2906AUBC			1																		60 V	600 Ma		50NA	PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
jans2n2221aubc/tr	131.1006	RFQ	6390	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW	UBC	-			影響を受けていない	150-Jans2N2221AUBC/TR	ear99	8541.21.0095	50																		50 v	800 Ma		50NA	npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N3019S	20.4500	RFQ	66	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N3019			800 MW	to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																		80 v	1 a		10µa（icbo）	npn	500MV @ 50MA 、500MA	50 @ 500MA 、10V	-
2N5598	43.0350	RFQ	1723	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2				20 W	to-66（to-213aa	-			影響を受けていない	150-2N5598	ear99	8541.29.0095	1																		60 V	2 a		-	PNP	850MV @ 200µA、1MA	-	-
MSC400SMA330B4	32.1100	RFQ	2341	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-4			sicfet （炭化シリコン）		TO-247-4	-		1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSC400SMA330B4	ear99	8541.29.0095	30		nチャネル					3300 v	11a（tc）	20V	520mohm @ 5a 、20V	2.97V @ 1MA	37 NC @ 20 V	+23V、-10V	579 PF @ 2400 v	-	131W
2N6989U	59.3712	RFQ	2691	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C	表面マウント	20-CLCC	2N6989			1W	20-clcc （8.89x8.89	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2N6989UMS	ear99	8541.29.0095	1																		50V	800mA		10µa（icbo）	4 npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
apt20m16lfllg	26.2700	RFQ	1343	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT20M16		モスフェット（金属酸化物）		to-264 [l]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					200 v	100a（tc）		16mohm @ 50a 、10V	5V @ 2.5MA	140 NC @ 10 V		7220 PF @ 25 V	-
2N5322	17.8486	RFQ	2515	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-205aa、to-5-3				10 W	to-5	-			影響を受けていない	2N5322MS	ear99	8541.29.0095	1																		75 v	2 a		-	PNP	-	-	-
JANTX2N3725	-	RFQ	4069	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																		50 v	500 Ma		-	npn	-	-	-
jantxv2n918ub	29.3265	RFQ	5341	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/301	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N918			200 MW	ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																		15 V	50 Ma		1µa（icbo）	npn	400MV @ 1MA 、10MA	20 @ 3MA、1V	-
MSC180SMA120SA	7.3200	RFQ	8313	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-8	MSC180		sicfet （炭化シリコン）		D2PAK-7	-			影響を受けていない	150-MSC180SMA120SA	ear99	8541.29.0095	50		nチャネル					1200 v	21a（tc）	20V	225mohm @ 8a 、20V	3.26V @ 500µA	34 NC @ 20 V	+23V、-10V	510 pf @ 1000 v	-	125W
2N2222AE3	4.5300	RFQ	4070	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N2222			500 MW	TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																		50 v	800 Ma		50NA	npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jansl2N3636	-	RFQ	9941	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W	to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50																		175 v	10 µA		10µA	PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
aptm50um13Sag	327.9800	RFQ	7092	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM50		モスフェット（金属酸化物）		SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					500 V	335a（tc）	10V	15mohm @ 167.5a 、10V	5V @ 20MA	800 NC @ 10 V	±30V	42200 PF @ 25 V	-	3290W
2N5608	43.0350	RFQ	3302	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2				25 W	to-66（to-213aa	-			影響を受けていない	150-2N5608	ear99	8541.29.0095	1																		80 v	5 a		-	PNP	1.5V @ 500µA 、2.5mA	-	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²