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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
2N5612	43.0350	RFQ	5901	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	TO-213AA、to-66-2				25 W		to-66（to-213aa	-			影響を受けていない	150-2N5612	ear99	8541.29.0095	1												100 V	5 a									-				npn	-	-	-
Jan2N2432	-	RFQ	6497	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/313	バルク	アクティブ	-65°C〜175°C	穴を通して	to-206aa				360 MW		TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1												30 V	100 Ma									10na				npn	150mv @ 500µa 、10ma	80 @ 1MA 、5V	-
Jan2N2904	10.6533	RFQ	8706	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/290	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N2904			600 MW		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1												40 v	600 Ma									1µA				PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	35 @ 10ma 、10V	-
jansr2n3019s	129.6708	RFQ	4980	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N3019			800 MW		to-39	-			影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1												80 v	1 a									10µa（icbo）				npn	500MV @ 50MA 、500MA	50 @ 500MA 、10V	-
aptgt100du60tg	93.5400	RFQ	5457	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP4	aptgt100			340 w	標準	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	デュアル、共通のソース										トレンチフィールドストップ	600 V	150 a		1.9V @ 15V 、100A							250 µA	はい	6.1 nf @ 25 v
jans2n2222aubc	187.2500	RFQ	3879	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2222			500 MW		3-SMD	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1												50 v	800 Ma									50NA				npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
APTC60HM24T3G	202.0100	RFQ	6687	マイクロチップテクノロジー	coolmos™	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	APTC60		モスフェット（金属酸化物）	462W		SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）			600V	95a	24mohm @ 47.5a 、10V	3.9V @ 5MA	300NC @ 10V	14400pf @ 25V	スーパージャンクション
2N2977	33.4200	RFQ	6858	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N297						-			影響を受けていない	150-2N2977			1
JANTX2N5582	9.1105	RFQ	9264	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/423	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-206ab、to-46-3金属缶	2N5582			500 MW		to-46-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1												50 v	800 Ma									10µa（icbo）				npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N1701	54.5699	RFQ	5863	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N1701						-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
2N4858U/TR	97.8750	RFQ	7098	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N4858			360 MW		ub	-			影響を受けていない	150-2N4858U/TR			100		nチャネル		40 v					18pf @ 10V										40 v	8 ma @ 15 v	800 mV @ 500 Pa				60オーム
jans2n3700ub/tr	38.8102	RFQ	2962	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N3700			500 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans2n3700ub/tr	ear99	8541.21.0095	1												80 v	1 a									10na				npn	500MV @ 50MA 、500MA	50 @ 500MA 、10V	-
2N5739	37.1850	RFQ	4217	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	TO-213AA、to-66-2				35 W		to-66（to-213aa	-			影響を受けていない	150-2N5739	ear99	8541.29.0095	1												60 V	10 a									-				PNP	-	-	-
APTMC170AM30CT1AG	-	RFQ	3978	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP1	APTMC170		炭化シリコン（原文）	700W		SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）			1700V（1.7kV）	100a（tc）	30mohm @ 100a 、20V	2.3V @ 5MA（タイプ）	380NC @ 20V	6160pf @ 1000V	-
APTCV60TLM70T3G	90.4208	RFQ	7374	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	APTCV60			176 W	標準	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	3つのレベルインバーター										トレンチフィールドストップ	600 V	80 a		1.9V @ 15V 、50a							250 µA	はい	3.15 nf @ 25 v
jansm2n2222a	98.5102	RFQ	3426	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa				500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-JANSM2N2222A			1												50 v	800 Ma									50NA				npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jansr2N3440U4	-	RFQ	4853	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				800 MW		U4	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-Jansr2N3440U4	ear99	8541.21.0095	1												250 v	1 a									2µA				npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
2N2904a	21.6258	RFQ	4400	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N2904			600 MW		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2N2904ams	ear99	8541.21.0095	1												60 V	600 Ma									1µA				PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 500MA 、10V	-
89100-04TXV	-	RFQ	8761	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	TO-213AA、to-66-2						to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																						-				-	-	-	-
jans2n3810u/tr	107.5308	RFQ	1809	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N3810			350MW		6-SMD	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans2n3810u/tr	ear99	8541.21.0095	1												60V	50ma									10µa（icbo）				2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
jans2N5154U3	202.2102	RFQ	3694	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W		U3	-			影響を受けていない	2266-Jans2N5154U3	ear99	8541.29.0095	1												80 v	1 Ma									1ma				npn	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
APT40GF120JRDQ2	-	RFQ	3682	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	ISOTOP				347 w	標準	ISOTOP®	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	シングル										npt	1200 v	77 a		3V @ 15V 、40a							500 µA	いいえ	3.46 NF @ 25 V
JANTX2N22222222AUBP/TR	12.5552	RFQ	7372	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-jantx2n22222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222			100												50 v	800 Ma									50NA				npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
APT1201R6BVFRG	18.9800	RFQ	3717	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-247-3	APT1201		モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		1200 v	8a（tc）	1.6OHM @ 4A 、10V	4V @ 1MA	230 NC @ 10 V	3660 PF @ 25 V	-
2N3790	78.5250	RFQ	4009	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3				150 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N3790	ear99	8541.29.0095	1												80 v	10 a									-				PNP	-	-	-
jantxv2n6650	132.2286	RFQ	5141	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/527	バルク	アクティブ	-65°C〜175°C	穴を通して	to-204aa、to-3				5 W		to-204aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1												80 v	10 a									1ma				pnp-ダーリントン	3V @ 100MA 、10a	1000 @ 5a 、3V	-
jantxv2n3810l	32.8909	RFQ	9745	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810			350MW		to-78-6	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1												60V	50ma									10µa（icbo）				2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
APT45GP120BG	17.9200	RFQ	25	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT45GP120	標準		625 w		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			600V 、45A 、5OHM、15V								pt	1200 v	100 a	170 a	3.9V @ 15V 、45a	900µJ（904µj （オフ）	185 NC	18ns/102ns
MSCGLQ50DU120CTBL1NG	119.8600	RFQ	7453	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	mscglq			375 w	標準	-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCGLQ50DU120CTBL1NG	ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ										-	1200 v	110 a		2.4V @ 15V 、50a							25 µA	はい	2.77 NF @ 25 V
jantxv2n3634ub/tr	17.8486	RFQ	7913	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし				1 W		ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1												140 v	10 µA									10µA				PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²