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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
2N5068	72.4800	RFQ	9710	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3				87 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N5068	ear99	8541.29.0095	1															60 V	5 a						-			PNP	-	-	-
aptglq300sk120g	197.0700	RFQ	5772	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	aptglq300			1500 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	バックチョッパー													トレンチフィールドストップ	1200 v	500 a		2.42V @ 15V 、300A				200 µA	いいえ	17.6 nf @ 25 v
Apt18M100S	10.5700	RFQ	147	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3	APT18M100		モスフェット（金属酸化物）			d3pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt18m100s	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		1000 V	18a（tc）	10V	700mohm @ 9a 、10V	5V @ 1MA	150 NC @ 10 V	±30V	4845 PF @ 25 V	-	625W （TC）
aptgt300da60g	168.7800	RFQ	7173	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP6	aptgt300			1150 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル													トレンチフィールドストップ	600 V	430 a		1.8V @ 15V 、300A				350 µA	いいえ	24 nf @ 25 v
2N4897	16.3650	RFQ	2003年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3				7 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N4897	ear99	8541.29.0095	1															80 v	5 a						-			npn	-	-	-
2C3741A	24.1650	RFQ	4360	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2C3741A			1
jansr2N3499	41.5800	RFQ	5511	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-Jansr2N3499			1															100 V	500 Ma						10µa（icbo）			npn	600MV @ 30MA、300MA	100 @ 150ma 、10V	-
APT56F60L	17.0000	RFQ	4185	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT56F60		モスフェット（金属酸化物）			to-264 [l]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		600 V	60a（tc）	10V	110mohm @ 28a 、10v	5V @ 2.5MA	280 NC @ 10 V	±30V	11300 PF @ 25 V	-	1040W
APT100GT120JR	51.6200	RFQ	1476	マイクロチップテクノロジー	Thunderboltigbt®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT100			570 w	標準	ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル													npt	1200 v	123 a		3.7V @ 15V 、100A				100 µA	いいえ	6.7 nf @ 25 v
APT54GA60BD30	7.7000	RFQ	5341	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT54GA60	標準		416 w		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			400V、32a											pt	600 V	96 a	161 a	2.5V @ 15V、32a	534µj （466µj （オフ）	28 NC	17ns/112ns
APT50GT120B2RG	16.4400	RFQ	228	マイクロチップテクノロジー	Thunderboltigbt®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT50GT120	標準		625 w			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			800V 、50A 、4.7OHM、15V											npt	1200 v	94 a	150 a	3.7V @ 15V 、50a	2330µJ	340 NC	24ns/230ns
APT34M120J	67.4300	RFQ	8823	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT34M120		モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		1200 v	35a（tc）	10V	300mohm @ 25a 、10V	5V @ 2.5MA	560 NC @ 10 V	±30V	18200 pf @ 25 v	-	960W
JANTX2N3507AU4	-	RFQ	9513	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/349	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W		U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															50 v	1 µA						1µA			npn	1.5V @ 250MA 、2.5a	35 @ 500MA、1V	-
2C5333-MSCL	9.6300	RFQ	4693	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2C5333-MSCL			1
APT80GA90B	10.8900	RFQ	8537	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT80GA90	標準		625 w		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			600V 、47A 、4.7OHM、15V											pt	900 V	145 a	239 a	3.1V @ 15V 、47a	1652µj（on ）、 1389 µj（オフ）	200 NC	18ns/149ns
MCP87130T-U/LC	-	RFQ	1441	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	MCP87130		モスフェット（金属酸化物）			8-PDFN （3.3x3.3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,300		nチャネル		25 v	43a（tc）	3.3V 、10V	13.5mohm @ 10a 、10V	1.7V @ 250µA	8 NC @ 4.5 v	+10V、-8V	400 pf @ 12.5 v	-	1.7W
jan2n2906aub/tr	8.0997	RFQ	5364	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2906			500 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-JAN2N2906AUB/TR	ear99	8541.21.0095	1															60 V	600 Ma						50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
LND150N3-G	0.6000	RFQ	1253	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	LND150		モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1,000		nチャネル		500 V	30MA （TJ）	0V	1000OHM @ 500µA 、0V	-		±20V	10 pf @ 25 V	枯渇モード	740MW
jans2n2221ub/tr	65.0804	RFQ	8581	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/469	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	表面マウント	3-SMD 、リードなし						ub	-			影響を受けていない	150-jans2n2221ub/tr			50															30 V							-			npn	-	100 @ 150ma 、10V	250MHz
MCP87018T-U/MF	-	RFQ	6118	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	MCP87018		モスフェット（金属酸化物）			8-PDFN （5x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,300		nチャネル		25 v	100a（tc）	3.3V 、10V	1.9mohm @ 25a 、10V	1.6V @ 250µA	37 NC @ 4.5 v	+10V、-8V	2925 PF @ 12.5 v	-	2.2W
jansr2N4449	129.0708	RFQ	5805	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206ab、to-46-3金属缶				500 MW		to-46	-			影響を受けていない	150-Jansr2N4449			1															15 V							400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
2N5793AU/TR	71.0700	RFQ	4195	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N5793			600MW		u	-			影響を受けていない	150-2N5793AU/TR	ear99	8541.21.0095	100															40V	600MA						10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	900MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-
2N2920A	40.3050	RFQ	6360	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N2920			350MW		to-78-6	-			影響を受けていない	150-2N2920A	ear99	8541.21.0095	1															60V	30ma						10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	300MV @ 100µA、1MA	300 @ 1MA 、5V	-
2N5404	26.8050	RFQ	7674	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3				7 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N5404	ear99	8541.29.0095	1															80 v	5 a						-			PNP	600MV @ 200µA 、2MA	-	-
jansl2n2369au/tr	130.2802	RFQ	8555	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし				500 MW		u	-			影響を受けていない	150-jansl2n2369au/tr			50															15 V							400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	40 @ 10ma、1V	-
jantxv2n6989	51.5242	RFQ	8901	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/559	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	14-dip （0.300 "、7.62mm）	2N6989			1.5W		TO-116	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															50V	800mA						10µa（icbo）			4 npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
JANKCBD2N2221A	-	RFQ	3136	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa				500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jankcbd2n2n2n2221a			100															50 v	800 Ma						50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
2N3627	30.6450	RFQ	5236	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3				7 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N3627	ear99	8541.29.0095	1															50 v	2 a						-			PNP	-	-	-
aptgt300sk170g	269.2320	RFQ	5107	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	aptgt300			1660 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル													トレンチフィールドストップ	1700 v	400 a		2.4V @ 15V 、300A				750 µA	いいえ	26.5 nf @ 25 v
APTGT200DA120D3G	183.8100	RFQ	9223	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	D-3モジュール	aptgt200			1050 w	標準	D3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル													トレンチフィールドストップ	1200 v	300 a		2.1V @ 15V 、200A				6 Ma	いいえ	14 nf @ 25 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²