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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
APTGT150A60T3AG	105.0300	RFQ	1279	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP3	aptgt150			600 W	標準	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ															トレンチフィールドストップ	600 V	225 a		1.9V @ 15V 、150a							250 µA	はい	9.2 nf @ 25 v
Jansr2N7591U3	-	RFQ	5421	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ	-	表面マウント	3-SMD 、リードなし			モスフェット（金属酸化物）			u3（md-0.5）	-			影響を受けていない	150-Jansr2N7591U3			1		nチャネル			200 v	16a	-	-	-		-		-	-
APTC60DAM70T1G	59.3700	RFQ	7279	マイクロチップテクノロジー	coolmos™	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP1	APTC60		モスフェット（金属酸化物）	250W		SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 n チャンネル（デュアルバックチョッパー）				600V	39a		70mohm @ 39a 、10V	3.9V @ 2.7MA	259NC @ 10V		7000pf @ 25V	-
jantxv2n3468	-	RFQ	9722	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/348	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W		to-39	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																	50 v	1 a									100na（icbo）				PNP	1.2V @ 100MA、1a	25 @ 500MA、1V	-
jans2n2222aua	142.5900	RFQ	3840	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし				650 MW		ua	ダウンロード			影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																	50 v	800 Ma									50NA				npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N3773	179.3250	RFQ	5351	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2N3773			1
2C6059	33.2700	RFQ	5155	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2C6059			1
Mic94030ym4tr	-	RFQ	5977	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-253-4、to-253aa			モスフェット（金属酸化物）			SOT-143	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		pチャネル			16 v	1a（ta）		450mohm @ 100ma 、10V	1.4V @ 250µA		±16V	100 pf @ 12 v	-	568MW
APT5020BVFRG	10.6100	RFQ	6646	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-247-3	APT5020		モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル			500 V	26a（tc）		200mohm @ 500ma 、10V	4V @ 1MA	225 NC @ 10 V		4440 PF @ 25 V	-
2N6182	287.8650	RFQ	1956年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-210AA				60 W		to-59	-			影響を受けていない	150-2N6182	ear99	8541.29.0095	1																	80 v	10 a									-				PNP	700MV @ 200µA、2MA	-	-
JANSP2N2369AU	130.1402	RFQ	2691	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし				500 MW		u	-			影響を受けていない	150-JANSP2N2369AU			1																	15 V										400na				npn	450mv @ 10ma 、100ma	40 @ 10ma、1V	-
2N1490	58.8900	RFQ	9306	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3				75 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N1490	ear99	8541.29.0095	1																	55 v	6 a									25µa（icbo）				npn	3V @ 300MA 、1.5a	25 @ 1.5a 、4V	-
2N3996	273.7050	RFQ	3138	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-11-4 、スタッド				2 W		TO-111	-			影響を受けていない	150-2N3996	ear99	8541.29.0095	1																	80 v	10 a									10µA				npn	2V @ 500MA 、5a	40 @ 1a 、2V	-
JAN2N3743U4	-	RFQ	3270	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/397	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W		U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																	300 V	200 ma													PNP	1.2V @ 3MA 、30ma	50 @ 30ma 、10V	-
2N3799	11.8800	RFQ	2794	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa				1.2W		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-2N3799	ear99	8541.29.0095	1				-													60V	50ma													npn		300 @ 500µA 、5V	-	-
APT68GA60B	8.0900	RFQ	6	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT68GA60	標準		520 W		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			400V 、40a 、4.7OHM、15V													pt	600 V	121 a	202 a	2.5V @ 15V 、40a	715µj（on 607µj （オフ）	298 NC	21ns/133ns
2N6340	67.2980	RFQ	6892	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N6340						-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
NSA2079	-	RFQ	3446	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ										-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-NSA2079			1
MSC025SMA120S	41.0600	RFQ	634	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-268-3	MSC025		sicfet （炭化シリコン）			d3pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	691-MSC025SMA120S	ear99	8541.29.0095	30		nチャネル			1200 v	89a（tc）	-	-	-		-		-	-
APT20GF120BRDG	7.1600	RFQ	22	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT20GF120	標準		200 W		TO-247-3	-		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt20gf120brdg	ear99	8541.29.0095	1			792v												85 ns	npt	1200 v	32 a	64 a	3.2V @ 15V 、15a	-	140 NC	17ns/93ns
APT75GN60BDQ2G	10.1200	RFQ	70	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	APT75GN60	標準		536 w		TO-247-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt75gn60bdq2g	ear99	8541.29.0095	30			400V 、75a、1OHM、15V												25 ns	トレンチフィールドストップ	600 V	155 a	225 a	1.85V @ 15V 、75a	2.5MJ （オン）、2.14MJ	485 NC	47ns/385ns
MSC750SMA170B4	5.6100	RFQ	137	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-4			sicfet （炭化シリコン）			TO-247-4	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSC750SMA170B4	ear99	8541.29.0095	90		nチャネル			1700 v	7a（tc）	20V	940mohm @ 2.5a 、20V	3.25V @ 100µA	11 NC @ 20 V	+23V、-10V	184 pf @ 1360 v	-	68W （TC）
MSCSM120AM027CT6AG	1.0000	RFQ	5319	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120		炭化シリコン（原文）	2.97KW		SP6C	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120AM027CT6AG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）				1200V（1.2kv）	733a（tc）		3.5mohm @ 360a 、20V	2.8V @ 9MA	2088NC @ 20V		27000pf @1000V	-
CMAVC60VRM99T3AMG	-	RFQ	2479	マイクロチップテクノロジー	*	トレイ	廃止										-				150-CMAVC60VRM99T3AMG	廃止		1
CMSDC60H19B3G	-	RFQ	8142	マイクロチップテクノロジー	*	トレイ	廃止										-				150-CMSDC60H19B3G	廃止		1
2N5114UB/TR	55.2349	RFQ	6557	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2N5114UB/TR	ear99	8541.21.0095	1		pチャネル			30 V							25pf @ 15V												30 V	90 mA @ 18 v	10 V @ 1 Na				75オーム
2N4391UB/TR	28.2359	RFQ	6767	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ										-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2N4391UB/TR			1
2N5115UB/TR	52.7212	RFQ	4697	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2N5115UB/TR	ear99	8541.21.0095	1		pチャネル			30 V							25pf @ 15V												30 V	60ma @ 15 v	6 V @ 1 Na				100オーム
jantxv2n5153u3/tr	92.9138	RFQ	6626	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/545	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1.16 w		U3	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv2n5153u3/tr	ear99	8541.29.0095	1																	80 v	1 Ma									1ma				PNP	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
2N4859UB/TR	86.9554	RFQ	7659	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N4859			360 MW		-	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2N4859UB/TR			1		nチャネル			30 V							18pf @ 10V												30 V	175 mA @ 15 v	10 V @ 500 PA				25オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²