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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	テスト条件	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
2C5880	37.0050	RFQ	6524	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ												-			影響を受けていない	150-2C5880			1
2N3765	21.0938	RFQ	9365	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C	穴を通して	to-206ab、to-46-3金属缶	2N3765				500 MW		to-46	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																					60 V	1.5 a										100NA				PNP	900mv @ 100ma、1a	20 @ 1.5a 、5V	-
jan2n3725ub	-	RFQ	5417	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし							ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																					50 v	500 Ma										-				npn	-	-	-
MV2N5115UB	95.6403	RFQ	7313	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし					500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-MV2N5115UB			1		pチャネル						30 V							25pf @ 15V														30 V	15 mA @ 15 v	3 V @ 1 Na				100オーム
jan2n918ub	22.4105	RFQ	5698	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/301	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、非標準	2N918				200 MW			ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																					15 V	50 Ma										1µa（icbo）				npn	400MV @ 1MA 、10MA	20 @ 3MA、1V	-
MX2N4091UB	89.1233	RFQ	2604	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/431	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	表面マウント	3-SMD 、リードなし					360 MW		3-ub（3.09x2.45）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1		nチャネル						40 v							16pf @ 20V														40 v	30 mA @ 20 v					30オーム
2N5339U3	160.0123	RFQ	9588	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	TO-276AA					1 W		u-3（ to-276aa）	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																					100 V	100 µA										100µA				npn	1.2V @ 500MA 、5a	60 @ 2a 、2V	-
0912GN-650V	-	RFQ	1594	マイクロチップテクノロジー	v	バルク	アクティブ	150 v		表面マウント	55-kr			960MHz〜1.215GHz	hemt			55-kr	ダウンロード			影響を受けていない	150-0912GN-650V	ear99	8541.29.0095	1			-		100 Ma	650W	18db											-										50 v
JANTX2N5672	182.1967	RFQ	2126	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/488	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3	2N5672				6 W		to-3	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																					120 v	30 a										10ma				npn	5V @ 6a 、30a	20 @ 20a 、5V	-
JANTX2N1717	-	RFQ	5957	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		175°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3							to-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																					100 V	750 Ma										-				npn	-	-	-
jantxv2n6987u	90.3306	RFQ	7378	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/558	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N6987				1W		6-SMD	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																					60V	600MA										10µa（icbo）				4 PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jansl2n3810	198.9608	RFQ	3899	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500 /336	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810				350MW		to-78-6	-			影響を受けていない	150-jansl2n3810			1																					60V	50ma										10µa（icbo）				2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
APT5010JVFR	41.0500	RFQ	1	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT5010			モスフェット（金属酸化物）			ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						500 V	44a（tc）		100mohm @ 500ma 、10V	4V @ 2.5MA	470 NC @ 10 V		8900 PF @ 25 V	-
2N6560	148.1850	RFQ	2009年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-204aa、to-3					125 w		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N6560	ear99	8541.29.0095	1																					450 v	10 a										-				npn	-	-	-
jans2N2920U	155.2706	RFQ	7090	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/355	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N2920				350MW		6-SMD	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																					60V	30ma										10µa（icbo）				2 NPN （デュアル）	300MV @ 100µA、1MA	300 @ 1MA 、5V	-
APT50GT60BRDQ2G	11.2700	RFQ	172	マイクロチップテクノロジー	Thunderboltigbt®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT50GT60	標準			446 w		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1				400V 、50A 、5OHM、15V															22 ns	npt	600 V	110 a	150 a	2.5V @ 15V 、50a	995µj（1070µj（オフ）	240 NC	14ns/240ns
jantxv2n1714s	-	RFQ	4232	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		175°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶							to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																					60 V	750 Ma										-				npn	-	-	-
jansm2n3636	-	RFQ	2985	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					1 W		to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50																					175 v	10 µA										10µA				PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
MSC40SM120JCU2	45.0700	RFQ	5301	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	MSC40SM120			sicfet （炭化シリコン）			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSC40SM120JCU2	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						1200 v	55a（tc）	20V	50mohm @ 40a 、20V	2.7V @ 1MA	137 NC @ 20 V	+25V、-10V	1990 pf @ 1000 v	-	245W
MIC94031CYW	-	RFQ	2150	マイクロチップテクノロジー	tinyfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	-	-				モスフェット（金属酸化物）			-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.21.0095	3,000		pチャネル						16 v	1a（ta）	-	450mohm @ 100ma 、10V	1.4V @ 250µA		-		-	568MW
jantxv2n3500	15.7871	RFQ	8075	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					1 W		to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																					150 v	300 Ma										-				npn	600MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-
APT65GP60J	36.0500	RFQ	3440	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT65GP60				431 w	標準	ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル																			pt	600 V	130 a		2.7V @ 15V 、65a								1 Ma	いいえ	7.4 nf @ 25 v
jansm2n5151	95.9904	RFQ	9553	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/545	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-JANSM2N5151			1																					80 v	2 a										50µA				PNP	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
2N6079	63.4350	RFQ	1982年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2					45 W		to-66（to-213aa	-			影響を受けていない	150-2N6079	ear99	8541.29.0095	1																					350 V	7 a										-				PNP	500MV @ 200µA、1.2MA	-	-
JANTX2N3498L	15.1088	RFQ	1068	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3498				1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																					100 V	500 Ma										10µa（icbo）				npn	600MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-
JANKCCF2N3501	-	RFQ	8636	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-jankccf2n3501			100																					150 v	300 Ma										10µa（icbo）				npn	400MV @ 15MA、150MA	100 @ 150ma 、10V	-
janhcb2n2906a	17.1570	RFQ	6102	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C	穴を通して	to-206aa	2N2906				500 MW		TO-18	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-JANHCB2N2906A	ear99	8541.21.0095	1																					60 V	600 Ma										50NA				PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
jansr2n3500	41.5800	RFQ	3507	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-Jansr2N3500			1																					150 v	300 Ma										10µa（icbo）				npn	400MV @ 15MA、150MA	40 @ 150ma 、10V	-
2N6061	613.4700	RFQ	8708	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MB					262 w		to-63	-			影響を受けていない	150-2N6061	ear99	8541.29.0095	1																					100 V	50 a										-				PNP	-	-	-
SG2023L-883B	-	RFQ	9125	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜125°C	表面マウント	20-CLCC	SG2023				-		20-clcc （8.89x8.89	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-SG2023L-883B	ear99	8541.29.0095	50																					95V	500mA										-				7 npnダーリントン	1.6V @ 500µA、350MA	1000 @ 350MA 、2V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²