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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
APT50M75JLLU3	32.1100	RFQ	8351	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT50M75	モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	500 V	51a（tc）	10V	75mohm @ 25.5a 、10V	5V @ 1MA	123 NC @ 10 V	±30V	5590 PF @ 25 V	-	290W
jan2n2907aua/tr	19.0190	RFQ	7620	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2907		500 MW		ua	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan2n2907aua/tr	ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 Ma		50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jankcal2n3810	-	RFQ	7906	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500 /336	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810		350MW		to-78-6	-			影響を受けていない	150-jankcal2n3810			100														60V	50ma		10µa（icbo）			2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
APTC80TDU15PG	164.7513	RFQ	6148	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTC80	モスフェット（金属酸化物）	277W		SP6-P	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	6 N-Channel（3 フェーズブリッジ）		800V	28a		150mohm @ 14a 、10V	3.9V @ 2MA	180NC @ 10V		4507pf @ 25V	-
MSCSM70VM19C3AG	161.1300	RFQ	7818	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM70	炭化シリコン（原文）	365W		SP3F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM70VM19C3AG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）		700V	124a（tc）		19mohm @ 40a 、20V	2.4V @ 4MA	215NC @ 20V		4500pf @ 700V	-
jansl2n22222222222222222222222222	156.9608	RFQ	9711	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし			650 MW		ua	-			影響を受けていない	150-Jansl2N2222222222222222222222222222222222222222222222			1														50 v	800 Ma		50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jantxv2n2369aub/tr	26.9192	RFQ	4209	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし			400 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv2n2369aub/tr	ear99	8541.21.0095	1														20 v			400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
2N6512	78.7200	RFQ	3806	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa、to-3			120 w		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N6512	ear99	8541.29.0095	1														300 V	7 a		-			npn	1.5V @ 800MA 、4a	10 @ 4a、3V	3MHz
2N3302	33.6000	RFQ	3379	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-2N3302			1
2N4895	16.3650	RFQ	8291	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-205aa、to-5-3			7 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N4895	ear99	8541.29.0095	1														60 V	5 a		-			npn	-	-	-
2N2880	137.8412	RFQ	1671	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-210AA	2N2880		2 W		to-59	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														80 v	5 a		20µA			npn	1.5V @ 500MA 、5a	40 @ 1a 、2V	-
jansf2n3637ub	148.5808	RFQ	8182	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W		ub	-			影響を受けていない	150-jansf2n3637ub			1														175 v	1 a		10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
JANTX2N3421P	19.5510	RFQ	5251	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/393	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-jantx2n3421p			1														80 v	3 a		5µA			npn	500MV @ 200MA 、2a	40 @ 1a 、2V	-
jans2n2218al	114.6304	RFQ	7169	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205aa、to-5-3			800 MW		to-5aa	-			影響を受けていない	150-jans2n2218al	ear99	8541.21.0095	1														50 v	800 Ma		10na			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
TN5325N3-G-P002	0.6400	RFQ	2803	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	穴を通して	TO-226-3	TN5325	モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000		nチャネル	250 v	215ma（ta）	4.5V 、10V	7OHM @ 1A 、10V	2V @ 1MA		±20V	110 PF @ 25 V	-	740MW
jansm2n3637l	129.5906	RFQ	6483	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-JANSM2N3637L			1														175 v	1 a		10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
jans2n5794u/tr	299.6420	RFQ	6670	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/495	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N5794		600MW		u	-			影響を受けていない	150-jans2n5794u/tr			50														40V	600MA		10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	900MV @ 30MA、300MA	100 @ 150ma 、10V	-
jankcbf2n3700	-	RFQ	8957	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N3700		500 MW		TO-18（to-206aa	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankcbf2n3700	ear99	8541.21.0095	1														80 v	1 a		10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	-
JANTX2N5416S	10.3208	RFQ	5835	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/485	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N5416		750 MW		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														300 V	1 a		1ma			PNP	2V @ 5MA 、50mA	30 @ 50ma 、10V	-
aptgt75da120tg	89.6700	RFQ	5981	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	aptgt75		357 w	標準	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル												トレンチフィールドストップ	1200 v	110 a	2.1V @ 15V 、75a	250 µA	はい	5.34 NF @ 25 V
APTGF25H120T3G	-	RFQ	1705	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止	-	シャーシマウント	SP3			208 w	標準	SP3	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジインバーター												npt	1200 v	40 a	3.7V @ 15V 、25a	250 µA	はい	1.65 NF @ 25 V
MSCMC120AM07CT6LIAG	-	RFQ	7091	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCMC120	炭化シリコン（原文）	1350W		sp6c li	ダウンロード			影響を受けていない	150-MSCMC120AM07CT6LIAG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）		1200V（1.2kv）	264a（tc）		8.7mohm @ 240a 、20V	4V @ 60ma	690NC @ 20V		11400pf @ 1000V	-
JANTX2N6032	442.6240	RFQ	7877	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/528	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C（タタ	穴を通して	to-204aa、to-3			140 w		to-3	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														90 v	50 a		25ma			npn		10 @ 50a 、2.6V	-
MSC080SMA330B4	138.0600	RFQ	5428	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-4	MSC080	sicfet （炭化シリコン）			TO-247-4	-			影響を受けていない	150-MSC080SMA330B4	ear99	8541.29.0095	30		nチャネル	3300 v	41a（tc）	20V	105mohm @ 30a 、20V	2.97V @ 3MA	55 NC @ 20 V	+23V、-10V	3462 PF @ 2400 v	-	381W
APTGT100TL170G	365.8225	RFQ	2866	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	aptgt100		560 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	3つのレベルインバーター												トレンチフィールドストップ	1700 v	150 a	2.4V @ 15V 、100A	350 µA	いいえ	9 nf @ 25 v
JANSP2N3637L	129.5906	RFQ	2494	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-JANSP2N3637L			1														175 v	1 a		10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
jansm2n2221a	91.0606	RFQ	2766	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa			500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-JANSM2N2221A			1														50 v	800 Ma		50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
jankcal2n3636	-	RFQ	3356	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-JankCal2N3636			100														175 v	1 a		10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
MSR2N2907AUB	-	RFQ	3334	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-MSR2N2907AUB			100														60 V	600 Ma		50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
JANKCDR2N2907A	-	RFQ	3761	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa			500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jankcdr2n2907a			100														60 V	600 Ma		50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²