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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電流排水（ id） -最大
jansg2n2221al	100.3204	RFQ	7182	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa				500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jansg2n2221al			1															50 v	800 Ma									50NA				npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
MSCSM120TAM11CTPAG	1.0000	RFQ	3	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120		炭化シリコン（原文）	1.042KW		SP6-P	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120TAM11CTPAG	ear99	8541.29.0095	1	6 N-Channel（3 フェーズブリッジ）			1200V（1.2kv）	251a（tc）		10.4mohm @ 120a 、20V	2.8V @ 3MA	696NC @ 20V		9060pf @ 1000V	-
2N5327	22.2750	RFQ	3450	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-205aa、to-5-3				7.5 w		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N5327	ear99	8541.29.0095	1															80 v	10 a									-				PNP	-	-	-
APT9M100S	5.9400	RFQ	448	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3	APT9M100		モスフェット（金属酸化物）			d3pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt9m100s	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		1000 V	9a（tc）	10V	1.4OHM @ 5A 、10V	5V @ 1MA	80 NC @ 10 V	±30V	2605 PF @ 25 V	-	335W
APTM50DDAM65T3G	106.2109	RFQ	6672	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	APTM50		モスフェット（金属酸化物）	390W		SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）			500V	51a		78mohm @ 25.5a 、10V	5V @ 2.5MA	140NC @ 10V		7000pf @ 25V	-
jantxv2n3507l	17.7023	RFQ	3710	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/349	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3507			1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															50 v	3 a									-				npn	1.5V @ 250MA 、2.5a	30 @ 1.5a 、2V	-
2N3724L	15.6541	RFQ	5447	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ		穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3724					to-5	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
APTM50H10FT3G	119.5500	RFQ	3457	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	APTM50		モスフェット（金属酸化物）	312w		SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）			500V	37a		120mohm @ 18.5a 、10V	5V @ 1MA	96NC @ 10V		4367pf @ 25V	-
APT77N60JC3	38.3900	RFQ	452	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT77N60		モスフェット（金属酸化物）			ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		600 V	77a（tc）	10V	35mohm @ 60a 、10V	3.9V @ 5.4ma	640 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	568W
MX2N4391UB	69.3861	RFQ	1003	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N4391						-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
APTGL700U120D4G	303.3100	RFQ	4905	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	D4	aptgl700			3000 w	標準	D4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル													トレンチフィールドストップ	1200 v	910 a		2.2V @ 15V 、600A							4 Ma	いいえ	37.2 nf @ 25 v
2C6287	29.4994	RFQ	4612	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ										-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2C6287			1
APT20GT60BRDQ1G	-	RFQ	4921	マイクロチップテクノロジー	Thunderboltigbt®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT20GT60	標準		174 w		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			400V 、20A、5OHM15V											npt	600 V	43 a	80 a	2.5V @ 15V 、20a	215µj（on ）、245µj （オフ）	100 NC	8ns/80ns
jansd2n3439	270.2400	RFQ	3352	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/368	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				800 MW		to-39	-			影響を受けていない	150-Jansd2N3439			1															350 V	1 a									2µA				npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
aptglq100h65t3g	113.2700	RFQ	3526	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	aptglq100			350 W	標準	SP3F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジ													トレンチフィールドストップ	650 V	135 a		2.3V @ 15V 、100A							50 µA	はい	6.15 nf @ 25 v
2N498S	21.1350	RFQ	8721	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2N498S			1
MNS2N222222AUB/TR	9.3300	RFQ	6935	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-MNS2N22222AUB/TR	ear99	8541.21.0095	1															50 v	800 Ma									50NA				npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
JANTX2N3700P	11.0390	RFQ	7745	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa				500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jantx2n3700p			1															80 v	1 a									10na				npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	-
APT50M50JVFR	70.9700	RFQ	2022	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ		シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT50M50		モスフェット（金属酸化物）			ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		500 V	77a（tc）		50mohm @ 500ma 、10V	4V @ 5MA	1000 NC @ 10 V		19600 pf @ 25 v	-
2N2978	33.4200	RFQ	3132	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N297						-			影響を受けていない	150-2N2978			1
Jan2N2219a	7.8470	RFQ	9491	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N2219			800 MW		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															50 v	800 Ma									10na				npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N3420S	17.7422	RFQ	4325	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N3420			1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															60 V	3 a									5µA				npn	500MV @ 200MA 、2a	40 @ 1a 、2V	-
APT43M60B2	12.7400	RFQ	7066	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3バリアント	APT43M60		モスフェット（金属酸化物）			T-Max™[B2]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		600 V	45a（tc）	10V	150mohm @ 21a 、10V	5V @ 2.5MA	215 NC @ 10 V	±30V	8590 PF @ 25 V	-	780W
2N3506U4	135.1050	RFQ	3543	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W		U4	-			影響を受けていない	150-2N3506U4	ear99	8541.29.0095	1															40 v	3 a									1µA				npn	1.5V @ 250MA 、2.5a	50 @ 500MA、1V	-
MX2N4092	69.2531	RFQ	6441	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/431	バルク	アクティブ	-65°C〜175°C	穴を通して	to-206aa				360 MW		TO-18（to-206aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1		nチャネル		40 v							16pf @ 20V											40 v	15 mA @ 20 v					50オーム
2N2609	11.4114	RFQ	4430	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N2609			300 MW		TO-18（to-206aa	ダウンロード			影響を受けていない	2N2609ms	ear99	8541.21.0095	1		pチャネル									10pf @ 5V											30 V	2 mA @ 5 v	750 mv @ 1 a									10 Ma
apt6017jfll	50.4100	RFQ	8146	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT6017		モスフェット（金属酸化物）			ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		600 V	31a（tc）		170mohm @ 15.5a 、10V	5V @ 2.5MA	100 NC @ 10 V		4500 PF @ 25 V	-
2N3498U4	135.1050	RFQ	4962	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W		U4	-			影響を受けていない	150-2N3498U4	ear99	8541.29.0095	1															100 V	500 Ma									50na（icbo）				npn	600MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-
2N6248	65.3100	RFQ	4956	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3				125 w		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N6248	ear99	8541.29.0095	1															100 V	15 a									-				PNP	1.3V @ 500µA 、5MA	-	-
VN2406L-G	1.8500	RFQ	9172	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	VN2406		モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		240 v	190ma	2.5V 、10V	6OHM @ 500MA 、10V	2V @ 1MA		±20V	125 pf @ 25 v	-	1W （TC）

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²