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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
APT15GP60BDQ1G	5.4000	RFQ	100	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT15GP60	標準		250 W		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			400V、15a 、5OHM、15V											pt	600 V	56 a	65 a	2.7V @ 15V 、15a	130µj（オン）、120µj（オフ）	55 NC	8ns/29ns
2N2657	14.9100	RFQ	5217	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3				7 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N2657	ear99	8541.29.0095	1															60 V	5 a						-			npn	500MV @ 100µA、1MA	-	-
JANTX2N3764	-	RFQ	4740	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/396	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-206ab、to-46-3金属缶				500 MW		to-46（to-206ab	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															40 v	1.5 a						10µa（icbo）			PNP	900mv @ 100ma、1a	30 @ 1a 、1.5V	-
JANTXV2N5663U3	240.4640	RFQ	7708	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし						u3（md-0.5）	-			影響を受けていない	150-JANTXV2N5663U3			1															300 V	2 a						-			npn	-	-	-
MSR2N3700	-	RFQ	9388	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa				500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-MSR2N3700			100															80 v	1 a						10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	-
jansf2n2369aub	149.3402	RFQ	1340	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2369A			360 MW		ub	-			影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															15 V	400 na						400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
90024-02TX	-	RFQ	5052	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa、to-3						to-3	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																						-			-	-	-	-
JANTX2N5002	448.0624	RFQ	9730	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/534	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	シャーシ、スタッドマウント	TO-210AA	2N5002			2 W		to-59	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															80 v	5 a						50µA			npn	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
jansh2n2369aub/tr	357.8820	RFQ	1823年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C	表面マウント	3-SMD 、リードなし				400 MW		ub	-			影響を受けていない	150-jansh2n2369aub/tr			50															20 v							400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	40 @ 10ma、1V	-
jansm2n3637ub/tr	147.3102	RFQ	1762	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W		ub	-			影響を受けていない	150-JANSM2N3637UB/TR			50															175 v	1 a						10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
2N5623	74.1300	RFQ	7599	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa、to-3				116 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N5623	ear99	8541.29.0095	1															80 v	10 a						-			PNP	-	-	-
2N5415S	30.6432	RFQ	1957年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N5415			750 MW		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															200 v	1 a						1ma			PNP	2V @ 5MA 、50mA	30 @ 50ma 、10V	-
2N5970	129.5850	RFQ	9040	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3				85 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N5970	ear99	8541.29.0095	1															80 v	15 a						-			npn	-	-	-
Jan2N6298	29.8984	RFQ	6443	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/540	バルク	アクティブ	-65°C〜175°C	穴を通して	TO-213AA、to-66-2	2N6298			64 W		to-66（to-213aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															60 V	8 a						500µA			pnp-ダーリントン	2V @ 80ma 、8a	750 @ 4a、3V	-
JANKCB2N2221A	63.2149	RFQ	2081	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa				500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jankcb2n2221a			1															50 v	800 Ma						50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
Jan2N5671	152.8436	RFQ	3705	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/488	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3	2N5671			6 W		to-3	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															90 v	30 a						10ma			npn	5V @ 6a 、30a	20 @ 20a 、5V	-
aptgt30x60t3g	76.3606	RFQ	2894	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP3	aptgt30			90 w	標準	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	三相インバーター													トレンチフィールドストップ	600 V	50 a		1.9V @ 15V 、30a				250 µA	はい	1.6 nf @ 25 v
JANTX2N6032	442.6240	RFQ	7877	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/528	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C（タタ	穴を通して	to-204aa、to-3				140 w		to-3	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															90 v	50 a						25ma			npn		10 @ 50a 、2.6V	-
jantxv2n5794a	138.7610	RFQ	9548	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/495	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N5794			600MW		to-78-6	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															40V	600MA						10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	900MV @ 30MA、300MA	100 @ 150ma 、10V	-
APT22F80B	9.6400	RFQ	162	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT22F80		モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		800 V	23a（tc）	10V	500mohm @ 12a 、10V	5V @ 1MA	150 NC @ 10 V	±30V	4595 PF @ 25 V	-	625W （TC）
2N3716	55.0620	RFQ	7104	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3	2N3716			5 W		TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2N3716MS	ear99	8541.29.0095	1															80 v	10 a						1ma			npn	2.5V @ 2a 、10a	50 @ 1a 、2V	-
APTMC120HR11CT3AG	-	RFQ	4976	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	APTMC120		炭化シリコン（原文）	125W		SP3	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）			1200V（1.2kv）	26a（tc）		98mohm @ 20a 、20V	3V @ 5MA	62NC @ 20V		950pf @ 1000V	-
jansh2n2218al	283.9200	RFQ	9370	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205aa、to-5-3				800 MW		to-5aa	-			影響を受けていない	150-jansh2n2218al			1															50 v	800 Ma						10na			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
SG2003J-883B	-	RFQ	4237	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	150°C （TJ）	穴を通して	16-CDIP （0.300 "、7.62mm）	SG2003			-		16-CDIP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															50V	500mA						-			7 npnダーリントン	1.6V @ 500µA、350MA	1000 @ 350MA 、2V	-
2N6231	39.3148	RFQ	1973年年	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N6231						-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
Aptm50am38ftg	159.4300	RFQ	2948	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	APTM50		モスフェット（金属酸化物）	694W		SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）			500V	90a		45mohm @ 45a 、10V	5V @ 5MA	246NC @ 10V		11200pf @ 25V	-
2N3501UB	18.0500	RFQ	7452	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N3501			500 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															150 v	300 Ma						10µa（icbo）			npn	400MV @ 15MA、150MA	100 @ 150ma 、10V	-
Jansr2N7591U3	-	RFQ	5421	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ	-	表面マウント	3-SMD 、リードなし			モスフェット（金属酸化物）			u3（md-0.5）	-			影響を受けていない	150-Jansr2N7591U3			1		nチャネル		200 v	16a	-	-	-		-		-	-
2N5408	287.8650	RFQ	1518	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-11-4 、スタッド				52 w		TO-111	-			影響を受けていない	150-2N5408	ear99	8541.29.0095	1															80 v	5 a						-			PNP	-	-	-
2N3634ub/tr	13.5128	RFQ	5416	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W		3-SMD	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2N3634UB/TR	ear99	8541.29.0095	1															140 v	1 a						10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²