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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
MNS2N3810U	49.7850	RFQ	5309	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N3810			350MW		u	-			影響を受けていない	150-MNS2N3810U			1																			60V	50ma			10µa（icbo）			2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
2N759A	30.5700	RFQ	5001	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-206aa				500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-2N759A	ear99	8541.21.0095	1																			60 V	100 Ma			-			npn	-	-	-
JANKCDL2N5154	-	RFQ	1129	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-jankcdl2n5154			100																			80 v	2 a			50µA			npn	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
2N4999	324.3000	RFQ	5415	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	スタッドマウント	TO-210AA				35 W		to-59	-			影響を受けていない	150-2N4999	ear99	8541.29.0095	1																			80 v	2 a			-			PNP	-	-	-
VN10KN3-G	0.6000	RFQ	5338	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	vn10kn3		モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル					60 V	310ma	5V、10V	5OHM @ 500MA 、10V	2.5V @ 1MA		±30V	60 pf @ 25 v	-	1W （TC）
2N5677	519.0900	RFQ	1898年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	スタッドマウント	TO-211MA				87.5 w		to-61	-			影響を受けていない	150-2N5677	ear99	8541.29.0095	1																			100 V	5 a			-			PNP	-	-	-
ARF476FL	158.3900	RFQ	10	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ	500 V			-	ARF476	128MHz	モスフェット			-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）共通ソース		10a	15 Ma	900W	16dB											-					150 v
DC35GN-15-Q4	-	RFQ	1672	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	125 v		表面マウント	24-TFQFN露出パッド		-	hemt			24-QFN （4x4）	ダウンロード			影響を受けていない	150-DC35GN-15-Q4	ear99	8541.29.0095	10			-	40 Ma	19W	18.6db											-					50 v
MSCSM120AM31CTBL1NG	166.2400	RFQ	1220	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120		炭化シリコン（原文）	310W		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120AM31CTBL1NG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）						1200V	79a		31mohm @ 40a 、20V	2.8V @ 1MA	232NC @ 20V		3020pf @ 1000V	-
aptgt30tl601g	56.5400	RFQ	5616	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP1	aptgt30			90 w	標準	SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	3つのレベルインバーター																	トレンチフィールドストップ	600 V	50 a	1.9V @ 15V 、30a		250 µA	いいえ	1.6 nf @ 25 v
jantxv2n6678	177.2092	RFQ	9132	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/538	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3				6 W		to-3	-			影響を受けていない	jantxv2n6678ms	ear99	8541.29.0095	1																			400 V	15 a			1ma			npn	1V @ 3a 、15a	15 @ 1a、3V	-
MNS2N3501	6.3840	RFQ	1300	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-MNS2N3501			1
2C3440-MSCL	10.1850	RFQ	4619	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-2C3440-MSCL			1
Jan2N3763L	-	RFQ	8203	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/396	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205aa、to-5-3				1 W		to-5aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			60 V	1.5 a			100µa（icbo）			PNP	900mv @ 100ma、1a	40 @ 500MA、1V	-
jansl2n2222al	98.5102	RFQ	9533	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa				500 MW		TO-18（to-206aa	-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																			50 v	800 Ma			50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N3499L	13.5394	RFQ	7909	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3499			1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			100 V	500 Ma			10µa（icbo）			npn	1.4V @ 30MA 、300mA	100 @ 150ma 、10V	-
2N4391UBC/TR	53.5950	RFQ	4163	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ											-			影響を受けていない	150-2N4391UBC/TR			100
2N4348	92.8200	RFQ	9087	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-2N4348			1
2N6294	30.4200	RFQ	6100	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2				50 W		to-66（to-213aa	-			影響を受けていない	150-2N6294	ear99	8541.29.0095	1																			60 V	4 a			500µA			npn-ダーリントン	3V @ 40MA 、4a	750 @ 2a、3V	-
2N5001	287.5460	RFQ	4624	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N5001						-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
MSCSM120AM11CT3AG	387.2000	RFQ	9389	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120		炭化シリコン（原文）	1.067KW		SP3F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120AM11CT3AG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）						1200V（1.2kv）	254a		10.4mohm @ 120a 、20V	2.8V @ 3MA	696NC @ 20V		9060pf @ 1000V	-
ICPB1020-1-110I	-	RFQ	7143	マイクロチップテクノロジー	-	箱	アクティブ	28 v		表面マウント	死ぬ		14GHz	ガン・ヘムト			死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠						1	-		8a	1 a	100W	7.4db											-					28 v
MV2N4859UB	80.4916	RFQ	5348	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					MV2N4859						-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
2N1717S	16.5851	RFQ	6415	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N1717						-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
2N2905AP	24.0750	RFQ	4931	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				600 MW		to-39	-			影響を受けていない	150-2N2905AP	ear99	8541.21.0095	1																			60 V	600 Ma			1µA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N3735	13.6591	RFQ	4177	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N3735			1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			40 v	1.5 a			10µa（icbo）			npn	900mv @ 100ma、1a	20 @ 1a 、1.5V	-
2N2727	15.9600	RFQ	9164	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-205aa、to-5-3				1 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N2727	ear99	8541.29.0095	1																			150 v	500 Ma			-			PNP	-	-	-
2C5339JS	19.2450	RFQ	5584	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-2C5339JS			1
Jan2N4449	12.7015	RFQ	5124	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206ab、to-46-3金属缶	2N4449			360 MW		to-46（to-206ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																			20 v				400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
jantxv2n3700p	16.5053	RFQ	8233	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa				500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jantxv2n3700p			1																			80 v	1 a			10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²