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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
NCC1053/TR	-	RFQ	8468	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ									-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-NCC1053/tr			1
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jansl2N3634	-	RFQ	5267	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W	to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50														140 v	10 µA						10µA	PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
jansf2n2369aubc	305.8602	RFQ	8516	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2369A			360 MW	3-SMD	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														15 V	400 na						400na	npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
JANTX2N3767	26.4005	RFQ	1333	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/518	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C	穴を通して	TO-213AA、to-66-2	2N3767			25 W	to-66（to-213aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														80 v	4 a						500µA	npn	2.5V @ 100MA、1a	40 @ 500MA 、5V	-
2N2432AUB	17.9151	RFQ	3061	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2432			360 MW	ub	-			影響を受けていない	2N2432AUBMS	ear99	8541.21.0095	1														45 v	100 Ma						10na	npn	150mv @ 500µa 、10ma	80 @ 1MA 、5V	-
jans2n3810l	88.5404	RFQ	8440	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810			350MW	to-78-6	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														60V	50ma						10µa（icbo）	2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
Jan2N6213	-	RFQ	4384	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/461	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C（タタ	穴を通して	TO-213AA、to-66-2				3 W	to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														350 V	5 Ma						5MA	PNP	2V @ 125MA、1a	30 @ 1a 、5V	-
APT40GP90B2DQ2G	18.8700	RFQ	4555	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3バリアント	APT40GP90	標準		543 w		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		600V 、40A 、4.3OHM、15V											pt	900 V	101 a	160 a	3.9V @ 15V 、40a	795µJ	145 NC	14ns/90ns
Jan2N3810	-	RFQ	4731	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	バルク	sicで中止されました	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810			350MW	to-78-6	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														60V	50ma						10µa（icbo）	2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
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jansd2n3634ub/tr	-	RFQ	5268	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし				1 W	ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50														140 v	10 µA						10µA	PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
jantxv2n2484	-	RFQ	3249	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/376	バルク	sicで中止されました	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N2484			360 MW	TO-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														60 V	50 Ma						2NA	npn	300MV @ 100µA、1MA	225 @ 10MA 、5V	-
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APT5020BVFRG	10.6100	RFQ	6646	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-247-3	APT5020		モスフェット（金属酸化物）		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	nチャネル		500 V	26a（tc）		200mohm @ 500ma 、10V	4V @ 1MA	225 NC @ 10 V		4440 PF @ 25 V	-
jantxv2n2906a	6.7830	RFQ	9471	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N2906			500 MW	TO-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 Ma						50NA	PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
JANTX2N5796U	-	RFQ	6715	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/496	バルク	sicで中止されました	-65°C〜175°C	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N5796			600MW	6-SMD	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														60V	600MA						10na （icbo）	2 PNP （デュアル）	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N6437	72.8175	RFQ	2635	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3					to-3	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														100 V	25 a						-	PNP	-	-	-
2N5337	12.6882	RFQ	5980	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N5337					-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
2N5151U3	85.8382	RFQ	4433	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1.16 w	U3	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														80 v	1 Ma						1ma	PNP	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
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jansl2n3636l	-	RFQ	5151	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3				1 W	to-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50														175 v	10 µA						10µA	PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
JANTX2N5416U4	-	RFQ	6583	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/485	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N5416			1 W	U4	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														300 V	1 a						1ma	PNP	2V @ 5MA 、50mA	30 @ 50ma 、10V	-
jans2n2369aua	76.1504	RFQ	2797	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2369A			360 MW	ua	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														15 V							400na	npn	450mv @ 10ma 、100ma	40 @ 10ma、1V	-
Jan2N5684	173.7512	RFQ	6458	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/466	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3	2N5684			300 W	to-3（to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														80 v	50 a						5µA	npn	5V @ 10a 、50a	30 @ 5a 、2V	-
jantxv2n1714s	-	RFQ	4232	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	175°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1														60 V	750 Ma						-	npn	-	-	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²