画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | jantxv2n2945aub | 499.2608 | ![]() | 1242 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/382 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 400 MW | ub | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 100 Ma | 10µa(icbo) | PNP | - | 70 @ 1MA 、500mv | - | |||||||||||||||||
![]() | jantxv2n2906aub | - | ![]() | 9142 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/291 | バルク | sicで中止されました | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 2N2906 | 500 MW | ub | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 Ma | 50NA | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 40 @ 150ma 、10V | - | |||||||||||||||
jansh2n2218a | 283.9200 | ![]() | 6140 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/251 | バルク | アクティブ | -55°C〜200°C (TJ | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 800 MW | to-39 | - | 影響を受けていない | 150-jansh2n2218a | 1 | 50 v | 800 Ma | 10na | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 40 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N6185 | 287.8650 | ![]() | 1339 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | スタッドマウント | TO-210AA | 60 W | to-59 | - | 影響を受けていない | 150-2N6185 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 10 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | jan2n3700ub | - | ![]() | 5623 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/391 | バルク | sicで中止されました | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 2N3700 | 500 MW | 3-ub(2.9x2.2) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10na | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 50 @ 500MA 、10V | - | |||||||||||||||
![]() | JANSP2N3439L | 270.2400 | ![]() | 7163 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/368 | バルク | アクティブ | -55°C〜200°C | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 800 MW | to-5aa | - | 影響を受けていない | 150-JANSP2N3439L | 1 | 350 V | 1 a | 2µA | npn | 500MV @ 4MA 、50MA | 40 @ 20MA 、10V | - | |||||||||||||||||||
![]() | MNS2N3637UB | 12.1900 | ![]() | 6676 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-MNS2N3637UB | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jans2n5666u3 | 1.0000 | ![]() | 3822 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/455 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、フラットリード | 2N5666 | 1.5 w | U3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 5 a | 200na | npn | 1V @ 1a 、5a | 40 @ 1a 、5V | - | |||||||||||||||
![]() | jan2n2906aua | 22.8893 | ![]() | 6798 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/291 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 2N2906 | 500 MW | 4-SMD | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 Ma | 50NA | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 40 @ 150ma 、10V | - | |||||||||||||||
![]() | MSC017SMA120J | 66.3200 | ![]() | 8076 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | MSC017 | sicfet (炭化シリコン) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-MSC017SMA120J | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | nチャネル | 1200 v | 88a(tc) | 20V | 22mohm @ 40a 、20V | 2.7V @ 4.5MA(タイプ) | 249 NC @ 20 V | +23V、-10V | 5280 PF @ 1000 V | 278W (TC) | |||||||||||||||
APT20M18LVFRG | 33.5800 | ![]() | 1315 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMosv® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-264-3、TO-264AA | APT20M18 | モスフェット(金属酸化物) | to-264 [l] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 200 v | 100a(tc) | 18mohm @ 50a 、10V | 4V @ 2.5MA | 330 NC @ 10 V | 9880 PF @ 25 V | - | ||||||||||||||||
jansd2N3634 | - | ![]() | 3306 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/357 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 140 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma 、50ma | 50 @ 50ma 、10V | - | ||||||||||||||||||
![]() | jans2N3763U4 | - | ![]() | 5719 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/396 | バルク | アクティブ | -55°C〜200°C (TJ | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 1 W | U4 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 1.5 a | 10µa(icbo) | PNP | 900mv @ 100ma、1a | 20 @ 1a 、1.5V | - | |||||||||||||||||
![]() | TP0620N3-G | 1.9000 | ![]() | 975 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バッグ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | TP0620 | モスフェット(金属酸化物) | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | pチャネル | 200 v | 175ma | 5V、10V | 12OHM @ 200MA 、10V | 2.4V @ 1MA | ±20V | 150 PF @ 25 V | - | 1W | ||||||||||||
APT84F50L | 15.9300 | ![]() | 4464 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | Power Mos 8™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-264-3、TO-264AA | APT84F50 | モスフェット(金属酸化物) | to-264 [l] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 500 V | 84a(tc) | 10V | 65mohm @ 42a 、10V | 5V @ 2.5MA | 340 NC @ 10 V | ±30V | 13500 PF @ 25 V | - | 1135W | ||||||||||||
![]() | DRF1510 | - | ![]() | 1743 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-DRF1510 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
jansl2n5152 | 95.9904 | ![]() | 1871年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/544 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | - | 影響を受けていない | 150-jansl2n5152 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | npn | 1.5V @ 500MA 、5a | 30 @ 2.5a 、5V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2C5003-MSCL | 38.7450 | ![]() | 9736 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-2C5003-MSCL | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC60HM70T3G | 90.1800 | ![]() | 4275 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP3 | APTC60 | モスフェット(金属酸化物) | 250W | SP3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 nチャネル(ハーフブリッジ) | 600V | 39a | 70mohm @ 39a 、10V | 3.9V @ 2.7MA | 259NC @ 10V | 7000pf @ 25V | - | |||||||||||||
![]() | Mic94030ym4tr | - | ![]() | 5977 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-253-4、to-253aa | モスフェット(金属酸化物) | SOT-143 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | pチャネル | 16 v | 1a(ta) | 450mohm @ 100ma 、10V | 1.4V @ 250µA | ±16V | 100 pf @ 12 v | - | 568MW | ||||||||||||||
![]() | 2N5729 | 28.1250 | ![]() | 5471 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 5 W | to-5aa | - | 影響を受けていない | 150-2N5729 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | - | PNP | 1.5V @ 500µA 、2MA | - | - | |||||||||||||||||
![]() | 2N1506 | 34.3500 | ![]() | 1856年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 3 W | to-5aa | - | 影響を受けていない | 150-2N1506 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 500 Ma | - | PNP | 1.5V @ 50µA 、100µA | - | - | |||||||||||||||||
![]() | APTM100DAM90G | 230.0917 | ![]() | 9653 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP6 | APTM100 | モスフェット(金属酸化物) | SP6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 1000 V | 78a(tc) | 10V | 105mohm @ 39a、10V | 5V @ 10MA | 744 NC @ 10 V | ±30V | 20700 PF @ 25 V | - | 1250W | |||||||||||
![]() | jansr2n3439ua | - | ![]() | 7969 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/368 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 800 MW | ua | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 350 V | 2 µA | 2µA | npn | 500MV @ 4MA 、50MA | 40 @ 20MA 、10V | - | |||||||||||||||||
![]() | 2C2432 | 6.9150 | ![]() | 7765 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-2C2432 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
Jan2N5415S | 9.8154 | ![]() | 7015 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/485 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 2N5415 | 750 MW | to-39 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 200 v | 1 a | 1ma | PNP | 2V @ 5MA 、50mA | 30 @ 50ma 、10V | - | ||||||||||||||||
![]() | 2N5327 | 22.2750 | ![]() | 3450 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 7.5 w | to-5aa | - | 影響を受けていない | 150-2N5327 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | 2N4300 | 10.7065 | ![]() | 8311 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 2N4300 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
APT40M70LVRG | 22.3000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMosv® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-264-3、TO-264AA | APT40 | モスフェット(金属酸化物) | TO-264 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-apt40m70lvrg | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 400 V | 57a(tc) | 10V | 70mohm @ 28.5a 、10V | 4V @ 2.5MA | 495 NC @ 10 V | ±30V | 8890 PF @ 25 V | - | 520W | ||||||||||||
![]() | jansr2n2369aub | 214.4100 | ![]() | 8665 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/317 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 2N2369A | 360 MW | ub | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 V | 400na | npn | 450mv @ 10ma 、100ma | 20 @ 100MA、1V | - |
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