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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
jansl2n2907a	99.0906	RFQ	5767	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa			500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jansl2n2907a			1														60 V	600 Ma		50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
APTM100DAM90G	230.0917	RFQ	9653	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM100	モスフェット（金属酸化物）			SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	1000 V	78a（tc）	10V	105mohm @ 39a、10V	5V @ 10MA	744 NC @ 10 V	±30V	20700 PF @ 25 V	-	1250W
JANSP2N3637L	129.5906	RFQ	2494	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-JANSP2N3637L			1														175 v	1 a		10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
jans2n3501ub/tr	35.4402	RFQ	8704	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし			500 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans2n3501ub/tr	ear99	8541.21.0095	1														150 v	300 Ma		10µa（icbo）			npn	400MV @ 15MA、150MA	100 @ 150ma 、10V	-
MNS2N3637UB	12.1900	RFQ	6676	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-MNS2N3637UB			1
JANSM2N222222AUBC	279.1520	RFQ	8932	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW		UBC	-			影響を受けていない	150-JANSM2N2222AUBC			1														50 v	800 Ma		50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N6185	287.8650	RFQ	1339	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	スタッドマウント	TO-210AA			60 W		to-59	-			影響を受けていない	150-2N6185	ear99	8541.29.0095	1														100 V	10 a		-			PNP	-	-	-
2N5873	41.7354	RFQ	1476	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N5873					-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
MSCSM70AM07CT3AG	362.4800	RFQ	4277	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM70	炭化シリコン（原文）	988W		SP3F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM70AM07CT3AG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）		700V	353a		6.4mohm @ 120a 、20V	2.4V @ 12MA	645NC @ 20V		13500pf @ 700V	-
2N6378	192.4776	RFQ	7445	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa、to-3			250 W		to-3	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														100 V	50 a		-			PNP	-	-	-
JANTXV2N5415U4	-	RFQ	4221	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/485	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W		U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														200 v	50 µA		50µA			PNP	2V @ 5MA 、50mA	30 @ 50ma 、10V	-
JANSP2N3439L	270.2400	RFQ	7163	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/368	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C	穴を通して	to-205aa、to-5-3			800 MW		to-5aa	-			影響を受けていない	150-JANSP2N3439L			1														350 V	1 a		2µA			npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
2N5616	74.1300	RFQ	8759	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa、to-3			58 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N5616	ear99	8541.29.0095	1														80 v	5 a		-			PNP	-	-	-
JANTX2N1893S	27.7172	RFQ	9692	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/182	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N1893		3 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														80 v	500 Ma		10µa（icbo）			npn	5V @ 15MA、150MA	40 @ 150ma 、10V	-
SG2821J	-	RFQ	7033	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜125°C	穴を通して	18-cdip （0.300 "、7.62mm）	SG2821		-		18カーディップ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-SG2821J	ear99	8541.29.0095	21														95V	500mA		-			8 npnダーリントン	1.6V @ 500µA、350MA	1000 @ 350MA 、2V	-
JANTX2N2060L	67.9497	RFQ	7116	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/270	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N2060		2.12w		to-78-6	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														60V	500mA		10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	300mv @ 5ma 、50ma	50 @ 10ma 、5v	-
2N3440	13.1800	RFQ	199	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N3440		800 MW		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	2N3440ms	ear99	8541.21.0095	1														250 v	1 a		2µA			npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
jantxv2n3500	15.7871	RFQ	8075	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W		to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														150 v	300 Ma		-			npn	600MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-
2N6421	27.0655	RFQ	2633	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	TO-213AA、to-66-2			35 W		to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														250 v	2 a		-			PNP	-	-	-
Jan2N2906Aub	7.9667	RFQ	8560	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2906		500 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 Ma		50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
2N5796	37.8518	RFQ	4495	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜175°C	穴を通して	to-78-6金属缶	2N579		500MW		to-78-6	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2N5796ms	ear99	8541.21.0095	1														60V	600MA		10µa（icbo）			2 PNP （デュアル）	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jantxv2n2945aub	499.2608	RFQ	1242	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/382	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし			400 MW		ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														20 v	100 Ma		10µa（icbo）			PNP	-	70 @ 1MA 、500mv	-
jan2n3700ub	-	RFQ	5623	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	sicで中止されました	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N3700		500 MW		3-ub（2.9x2.2）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														80 v	1 a		10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	50 @ 500MA 、10V	-
aptgt50h120t3g	106.2109	RFQ	9439	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	aptgt50		270 w	標準	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジインバーター												トレンチフィールドストップ	1200 v	75 a	2.1V @ 15V 、50a	250 µA	はい	3.6 nf @ 25 v
Jan2N5796U	118.9902	RFQ	1605	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/496	バルク	アクティブ	-65°C〜175°C	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N5796		600MW		6-SMD	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														60V	600MA		10µa（icbo）			2 PNP （デュアル）	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jansg2n2222al	98.4404	RFQ	3927	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa			500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jansg2n2222al			1														50 v	800 Ma		50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
MIC94031YM4-TR	-	RFQ	8930	マイクロチップテクノロジー	tinyfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	to-253-4、to-253aa	MIC94031	モスフェット（金属酸化物）			SOT-143	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000		pチャネル	16 v	1a（ta）	2.7V 、10V	450mohm @ 100ma 、10V	1.4V @ 250µA		16V	100 pf @ 12 v	-	568MW
APT1003RBLLG	8.8800	RFQ	3326	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT1003	モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	Q12300171	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	1000 V	4a（tc）	10V	3OHM @ 2A 、10V	5V @ 1MA	34 NC @ 10 V	±30V	694 PF @ 25 V	-	139W
jansh2n2218a	283.9200	RFQ	6140	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			800 MW		to-39	-			影響を受けていない	150-jansh2n2218a			1														50 v	800 Ma		10na			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
jantxv2n2906aub	-	RFQ	9142	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	sicで中止されました	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2906		500 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 Ma		50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²