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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	テスト条件	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
LND150N3-G	0.6000	RFQ	1253	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	LND150			モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1,000		nチャネル						500 V	30MA （TJ）	0V	1000OHM @ 500µA 、0V	-		±20V	10 pf @ 25 V	枯渇モード	740MW
jans2n2221ub/tr	65.0804	RFQ	8581	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/469	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-	表面マウント	3-SMD 、リードなし							ub	-			影響を受けていない	150-jans2n2221ub/tr			50																				30 V								-			npn	-	100 @ 150ma 、10V	250MHz
MCP87018T-U/MF	-	RFQ	6118	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	MCP87018			モスフェット（金属酸化物）			8-PDFN （5x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,300		nチャネル						25 v	100a（tc）	3.3V 、10V	1.9mohm @ 25a 、10V	1.6V @ 250µA	37 NC @ 4.5 v	+10V、-8V	2925 PF @ 12.5 v	-	2.2W
jansm2n3499l	41.5800	RFQ	8939	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3					1 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-JANSM2N3499L			1																				100 V	500 Ma							10µa（icbo）			npn	600MV @ 30MA、300MA	100 @ 150ma 、10V	-
APTGT100DH120TG	148.8000	RFQ	7769	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	シャーシマウント	SP4	aptgt100				480 w	標準	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	非対称ブリッジ																		トレンチフィールドストップ	1200 v	140 a		2.1V @ 15V 、100A					250 µA	はい	7.2 nf @ 25 v
2N5384	163.4171	RFQ	9945	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N5384							-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
APT44F80B2	22.5900	RFQ	9224	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3バリアント	APT44F80			モスフェット（金属酸化物）			T-Max™[B2]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						800 V	47a（tc）	10V	210mohm @ 24a 、10V	5V @ 2.5MA	305 NC @ 10 V	±30V	9330 PF @ 25 V	-	1135W
jansm2n2369aua	166.7004	RFQ	8512	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C	表面マウント	4-SMD 、リードなし					500 MW		ua	-			影響を受けていない	150-JANSM2N2369AUA			1																				15 V								400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	40 @ 10ma、1V	-
APTM20DAM04G	226.1900	RFQ	2713	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	aptm20			モスフェット（金属酸化物）			SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						200 v	372a	10V	5mohm @ 186a 、10V	5V @ 10MA	560 NC @ 10 V	±30V	28900 PF @ 25 V	-	1250W
jansf2n2222a	98.4404	RFQ	8729	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	トレイ	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N2222				500 MW		TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				50 v	800 Ma							50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
APT35GP120B2DQ2G	-	RFQ	2948	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3バリアント	APT35GP120	標準			543 w			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1				600V、35a															pt	1200 v	96 a	140 a	3.9V @ 15V、35a	750µj（680µj （オフ）	150 NC	16ns/95ns
jansr2N4449	129.0708	RFQ	5805	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206ab、to-46-3金属缶					500 MW		to-46	-			影響を受けていない	150-Jansr2N4449			1																				15 V								400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
aptglq150a120tg	151.5300	RFQ	1489	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	aptglq150				750 W	標準	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ																		トレンチフィールドストップ	1200 v	250 a		2.4V @ 15V 、150a					100 µA	はい	8.8 nf @ 25 v
JANTX2N3507AU4	-	RFQ	9513	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/349	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし					1 W		U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				50 v	1 µA							1µA			npn	1.5V @ 250MA 、2.5a	35 @ 500MA、1V	-
2C5333-MSCL	9.6300	RFQ	4693	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ												-			影響を受けていない	150-2C5333-MSCL			1
jansd2n222222aubc	231.8416	RFQ	7749	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし					500 MW		UBC	-			影響を受けていない	150-jansd2n2222aubc			1																				50 v	800 Ma							50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jantxv2n4234l	45.9249	RFQ	3851	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-jantxv2n4234l			1																				40 v	1 a							1ma			PNP	600MV @ 100MA、1A	40 @ 100MA、1V	-
2C3810-MSCL	22.3650	RFQ	7070	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ												-			影響を受けていない	150-2C3810-MSCL			1
2N5068	72.4800	RFQ	9710	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3					87 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N5068	ear99	8541.29.0095	1																				60 V	5 a							-			PNP	-	-	-
aptglq300sk120g	197.0700	RFQ	5772	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	aptglq300				1500 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	バックチョッパー																		トレンチフィールドストップ	1200 v	500 a		2.42V @ 15V 、300A					200 µA	いいえ	17.6 nf @ 25 v
Apt18M100S	10.5700	RFQ	147	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3	APT18M100			モスフェット（金属酸化物）			d3pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt18m100s	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						1000 V	18a（tc）	10V	700mohm @ 9a 、10V	5V @ 1MA	150 NC @ 10 V	±30V	4845 PF @ 25 V	-	625W （TC）
0912GN-15EP	-	RFQ	8741	マイクロチップテクノロジー	ep	バルク	アクティブ	150 v			モジュール			960MHz〜1.215GHz	-			-	ダウンロード			影響を受けていない	150-0912GN-15EP	ear99	8541.29.0095	1	-		-		10 Ma	19W	18.1db											-									50 v
2N4897	16.3650	RFQ	2003年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3					7 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N4897	ear99	8541.29.0095	1																				80 v	5 a							-			npn	-	-	-
aptgt300da60g	168.7800	RFQ	7173	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP6	aptgt300				1150 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル																		トレンチフィールドストップ	600 V	430 a		1.8V @ 15V 、300A					350 µA	いいえ	24 nf @ 25 v
jansr2N3499	41.5800	RFQ	5511	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-Jansr2N3499			1																				100 V	500 Ma							10µa（icbo）			npn	600MV @ 30MA、300MA	100 @ 150ma 、10V	-
2C3741A	24.1650	RFQ	4360	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ												-			影響を受けていない	150-2C3741A			1
APTC60HM70SCTG	178.2800	RFQ	2057	マイクロチップテクノロジー	coolmos™	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	APTC60			モスフェット（金属酸化物）	250W		SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）							600V	39a		70mohm @ 39a 、10V	3.9V @ 2.7MA	259NC @ 10V		7000pf @ 25V	-
APT50M75JLLU2	32.1100	RFQ	8226	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT50M75			モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						500 V	51a（tc）	10V	75mohm @ 25.5a 、10V	5V @ 1MA	123 NC @ 10 V	±30V	5590 PF @ 25 V	-	290W
ARF475FL	150.4100	RFQ	5	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	500 V			-	ARF475		128MHz	モスフェット			-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）共通ソース		10a		15 Ma	900W	16dB											-									150 v
APT56F60L	17.0000	RFQ	4185	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT56F60			モスフェット（金属酸化物）			to-264 [l]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						600 V	60a（tc）	10V	110mohm @ 28a 、10v	5V @ 2.5MA	280 NC @ 10 V	±30V	11300 PF @ 25 V	-	1040W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²