画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | ciss )( max @ vds | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | 抵抗-RDS (オン) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N4092UB | 44.4087 | ![]() | 9018 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜175°C | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 2N4092 | 360 MW | 3-ub(3.09x2.45) | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 15 mA @ 20 v | 50オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4392UB | 28.0497 | ![]() | 1160 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 2N4392 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4393UB | 28.0497 | ![]() | 6823 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 2N4393 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4856ub | 86.7825 | ![]() | 1464 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 2N4856 | 360 MW | - | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 40 v | 18pf @ 10V | 40 v | 175 mA @ 15 v | 10 V @ 500 PA | 25オーム | |||||||||||||||||||||
2N4857 | 57.9082 | ![]() | 7533 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-206aa | 2N4857 | 360 MW | TO-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | 40 v | 18pf @ 10V | 40 v | 100 mA @ 15 V | 6 V @ 500 PA | 40オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4857UB | 86.7825 | ![]() | 1056 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 2N4857 | 360 MW | - | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 40 v | 18pf @ 10V | 40 v | 100 mA @ 15 V | 6 V @ 500 PA | 40オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N4859UB | 86.7825 | ![]() | 1856年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 2N4859 | 360 MW | - | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 30 V | 18pf @ 10V | 30 V | 175 mA @ 15 v | 10 V @ 500 PA | 25オーム | |||||||||||||||||||||
2N5115 | 35.8568 | ![]() | 6065 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-206aa | 2N5115 | 500 MW | TO-18(to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2N5115ms | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | pチャネル | 30 V | 25pf @ 15V | 30 V | 60ma @ 15 v | 6 V @ 1 Na | 100オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | MV2N4391 | 53.8650 | ![]() | 5552 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | MV2N4391 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MV2N4393UB | 77.8981 | ![]() | 7527 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | MV2N4393 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
MX2N4858 | 74.7593 | ![]() | 1816年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/385 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-206aa | 2N4858 | 360 MW | TO-18(to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | 40 v | 18pf @ 10V | 40 v | 80ma @ 15 v | 4 V @ 0.5 Na | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3822 | - | ![]() | 9123 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/375 | バルク | sicで中止されました | -55°C〜200°C (TJ | 穴を通して | to-206af、to-72-4金属缶 | 300 MW | to-72 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | 50 v | 6PF @ 15V | 50 v | 10 ma @ 15 v | 6 V @ 500 PA | |||||||||||||||||||||||
![]() | MV2N4091UB | 92.3419 | ![]() | 2510 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/431 | バルク | アクティブ | -65°C〜175°C | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 360 MW | 3-ub(3.09x2.45) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 30 mA @ 20 v | 30オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3999 | 143.4538 | ![]() | 3175 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | スタッドマウント | TO-210AA | 2N3999 | 2 W | to-59 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 10µA | npn | 2V @ 500MA 、5a | 80 @ 1a 、2V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | aptglq50h65t1g | 70.0200 | ![]() | 6850 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | aptglq50 | 175 w | 標準 | SP1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | フルブリッジ | トレンチフィールドストップ | 650 V | 70 a | 2.3V @ 15V 、50a | 50 µA | はい | 3.1 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||
![]() | aptgtq150ta65tpg | 289.7800 | ![]() | 4036 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | aptgtq150 | 365 W | 標準 | SP6-P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三相インバーター | - | 650 V | 150 a | 2.2V @ 15V 、150a | 150 µA | はい | 9 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||
![]() | aptgtq200da65t3g | 95.0308 | ![]() | 4359 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | aptgtq200 | 483 w | 標準 | SP3F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ブーストチョッパー | - | 650 V | 200 a | 2.2V @ 15V 、200A | 200 µA | はい | 12 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||
![]() | aptgtq200sk65t3g | 95.0308 | ![]() | 6040 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | aptgtq200 | 483 w | 標準 | SP3F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | バックチョッパー | - | 650 V | 200 a | 2.2V @ 15V 、200A | 200 µA | はい | 12 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||
![]() | APT25GP90bg | - | ![]() | 8000 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMos7® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-247-3 | APT25GP90 | 標準 | 417 w | to-247 [b] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V 、25A 、5OHM、15V | pt | 900 V | 72 a | 110 a | 3.9V @ 15V 、25a | 370µj (オフ) | 110 NC | 13ns/55ns | ||||||||||||||||||
APT40GP90JDQ2 | 40.0700 | ![]() | 3260 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMos7® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | ISOTOP | APT40GP90 | 284 W | 標準 | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | pt | 900 V | 64 a | 3.9V @ 15V 、40a | 350 µA | いいえ | 3.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
APT50GF120B2RG | 21.2700 | ![]() | 7850 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-247-3バリアント | APT50GF120 | 標準 | 781 w | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800V 、50A、1OHM、15V | npt | 1200 v | 135 a | 150 a | 3V @ 15V 、50a | 3.6MJ (オン)、2.64MJ | 340 NC | 25ns/260ns | ||||||||||||||||||||
![]() | aptgt200h120g | 376.3125 | ![]() | 4805 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP6 | aptgt200 | 890 w | 標準 | SP6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | フルブリッジインバーター | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 280 a | 2.1V @ 15V 、200A | 350 µA | いいえ | 14 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||
APT50GT120JU2 | - | ![]() | 1347 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | ISOTOP | 347 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | シングル | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 75 a | 2.1V @ 15V 、50a | 5 Ma | いいえ | 3.6 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n2919 | 38.2508 | ![]() | 8473 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/355 | バルク | アクティブ | 200°C (TJ) | 穴を通して | to-78-6金属缶 | 2N2919 | 350MW | to-78-6 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30ma | 10µa(icbo) | 2 NPN (デュアル) | 300MV @ 100µA、1MA | 150 @ 1MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n3635ub/tr | 17.8486 | ![]() | 8260 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/357 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 1.5 w | 3-SMD | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv2n3635ub/tr | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 50ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT225DU170G | 342.6400 | ![]() | 2292 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP6 | APTGT225 | 1250 w | 標準 | SP6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | デュアル、共通のソース | トレンチフィールドストップ | 1700 v | 340 a | 2.4V @ 15V 、225a | 500 µA | いいえ | 20 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||
![]() | MSCGTQ100HD65C1AG | 131.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MSC | チューブ | アクティブ | - | シャーシマウント | モジュール | MSCGTQ100 | 標準 | SP1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-MSCGTQ100HD65C1AG | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ハーフブリッジ | 溝 | 650 V | 80 a | - | 80 a | いいえ | ||||||||||||||||||||
![]() | JANSM2N3810U | 262.3106 | ![]() | 6432 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/336 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、リードなし | 2N3810 | 350MW | u | - | 影響を受けていない | 150-JANSM2N3810U | 1 | 60V | 50ma | 10µa(icbo) | 2 PNP (デュアル) | 250MV @ 100µA、1MA | 150 @ 1MA 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4112 | 74.8500 | ![]() | 3675 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 15 W | TO-204AD(to-3) | - | 影響を受けていない | 150-2N4112 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 5 a | - | PNP | 1.5V @ 500µA 、2MA | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MSR2N222222AUA/TR | 159.2276 | ![]() | 8580 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/255 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 500 MW | ua | - | 影響を受けていない | 150-MSR2N2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 | 100 | 50 v | 800 Ma | 50NA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - |
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