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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
CMTDGF50H603G	-	RFQ	1613	マイクロチップテクノロジー	*	トレイ	廃止										-				150-CMTDGF50H603G	廃止		1
APT75GN60SDQ2G	10.6800	RFQ	33	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-268-3	APT75GN60	標準		536 w		d3pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt75gn60sdq2g	ear99	8541.29.0095	30			400V 、75a、1OHM、15V											25 ns	トレンチフィールドストップ	600 V	155 a	225 a	1.85V @ 15V 、75a	2.5MJ （オン）、2.14MJ	485 NC	47ns/385ns
MSC080SMA120B4	13.1900	RFQ	14	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-4	MSC080		sicfet （炭化シリコン）			TO-247-4	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSC080SMA120B4	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		1200 v	37a（tc）	20V	100mohm @ 15a 、20V	2.8V @ 1MA	64 NC @ 20 V	+23V、-10V	838 PF @ 1000 V	-	200W （TC）
APT1201R2BLLG	26.9000	RFQ	16	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT1201		モスフェット（金属酸化物）			TO-247-3	-		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt1201r2bllg	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		1200 v	12a（tc）	10V	1.2OHM @ 6A 、10V	5V @ 1MA	150 NC @ 10 V	±30V	3100 PF @ 25 V	-	400W （TC）
apt5018sfllg/tr	12.2400	RFQ	4194	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3	APT5018		モスフェット（金属酸化物）			d3pak	ダウンロード			影響を受けていない	150-apt5018sfllg/tr	ear99	8541.29.0095	400		nチャネル		500 V	27a（tc）	10V	180mohm @ 13.5a 、10V	5V @ 1MA	58 NC @ 10 V	±30V	2596 PF @ 25 V	-	300W （TC）
MV2N5114UB/TR	95.7866	RFQ	8615	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-MV2N5114UB/TR			100		pチャネル		30 V							25pf @ 15V												30 V	30 mA @ 18 v	5 V @ 1 Na				75オーム
MQ2N4859UB/TR	80.9438	RFQ	5327	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/385	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				360 MW		ub	-			影響を受けていない	150-MQ2N4859UB/TR			100		nチャネル		30 V							18pf @ 10V												30 V	50 mA @ 15 v	4 V @ 500 Pa				25オーム
jantxv2n2369au/tr	-	RFQ	4780	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし				500 MW		u	-			影響を受けていない	150-jantxv2n2369au/tr			50																15 V										400na				npn	450mv @ 10ma 、100ma	40 @ 10ma、1V	-
MQ2N4858UB/TR	80.9438	RFQ	2606	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				360 MW		ub	-			影響を受けていない	150-MQ2N4858UB/TR			100		nチャネル		40 v							18pf @ 10V												40 v	8 ma @ 15 v	800 mV @ 500 Pa				60オーム
2N4416AUB/TR	91.8300	RFQ	2493	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2N4416AUB/TR			100
MS2N5116	-	RFQ	8375	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa				500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-MS2N5116			100		pチャネル		30 V							27pf @ 15V												30 V	5 ma @ 15 v	1 V @ 1 Na				175オーム
2N5277	15.6150	RFQ	4120	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2N5277			1
2N657AL	40.3950	RFQ	2738	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2N657AL			1
jantxv2n3716p	69.9979	RFQ	2737	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/408	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3				5 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-jantxv2n3716p			1																80 v	10 a									1ma				npn	2.5V @ 2a 、10a	50 @ 1a 、2V	-
jans2n2946a	114.7300	RFQ	1283	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/382	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206ab、to-46-3金属缶				400 MW		to-46	-			影響を受けていない	150-Jans2N2946a			1																35 v	100 Ma									10µa（icbo）				PNP	-	50 @ 1MA 、500mv	-
2N3823UB	65.3100	RFQ	9905	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	表面マウント	3-SMD 、リードなし				300 MW		ub	-			影響を受けていない	150-2N3823UB			1		nチャネル		30 V							6PF @ 15V												30 V	4 ma @ 15 v	8 V @ 500 PA
2N2608UB	87.3150	RFQ	6170	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				300 MW		ub	-			影響を受けていない	150-2N2608UB			1		pチャネル									10pf @ 5V												30 V	1 MA @ 5 V	750 mV @ 1 µa
2N4416Aub	91.8300	RFQ	2587	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2N4416Aub			1
MQ2N4392	27.9965	RFQ	1808	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-206aa						TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-MQ2N4392			1		nチャネル									-
MQ2N5114UB	75.6238	RFQ	5556	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-MQ2N5114UB			1		pチャネル		30 V							25pf @ 15V												30 V	30 mA @ 18 v	5 V @ 1 Na				75オーム
2N3488	547.4100	RFQ	6701	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MA				115 W		to-61	-			影響を受けていない	150-2N3488	ear99	8541.29.0095	1																80 v	7 a									-				PNP	-	-	-
MQ2N4858UB	80.7975	RFQ	5576	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				360 MW		ub	-			影響を受けていない	150-MQ2N4858UB			1		nチャネル		40 v							18pf @ 10V												40 v	8 ma @ 15 v	800 mV @ 500 Pa				60オーム
APT150GN60J	32.4300	RFQ	3032	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	シャーシマウント	ISOTOP	APT150			536 w	標準	ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル														トレンチフィールドストップ	600 V	220 a		1.85V @ 15V 、150a							25 µA	いいえ	9.2 nf @ 25 v
APT5018SFLLG	11.5100	RFQ	8686	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		表面マウント	TO-268-3	APT5018		モスフェット（金属酸化物）			d3 [s]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		500 V	27a（tc）		180mohm @ 13.5a 、10V	5V @ 1MA	58 NC @ 10 V		2596 PF @ 25 V	-
jantxv2n5416	13.0606	RFQ	3472	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/485	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N5416			750 MW		to-5aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																300 V	1 a									1ma				PNP	2V @ 5MA 、50mA	30 @ 50ma 、10V	-
JANKCDL2N5152	-	RFQ	1922年年	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-jankcdl2n5152			100																80 v	2 a									50µA				npn	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
APTCV50H60T3G	94.7000	RFQ	9849	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	APTCV50			176 W	標準	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジ														npt 、トレンチフィールドストップ	600 V	80 a		1.9V @ 15V 、50a							250 µA	はい	3.15 nf @ 25 v
jans2n3506a	70.3204	RFQ	7520	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/349	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-Jans2N3506A			1																40 v	3 a									1µA				npn	1.5V @ 250MA 、2.5a	50 @ 500MA、1V	-
JANTX2N2907AUBP/TR	26.7197	RFQ	5890	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-JANTX2N2907AUBP/TR			100																60 V	600 Ma									50NA				PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 1ma 、10V	-
Jan2N2218	3.1388	RFQ	1401	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N2218			800 MW		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																30 V	800 Ma									10na				npn	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²