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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
jansm2n3637ub	147.1604	RFQ	1338	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W		ub	-			影響を受けていない	150-JANSM2N3637UB			1																		175 v	1 a			10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
2N3506A	12.2626	RFQ	8828	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N3506			1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																		40 v	3 a			1µA			npn	1.5V @ 250MA 、2.5a	50 @ 500MA、1V	-
2N5627	74.1300	RFQ	5729	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-204aa、to-3				116 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N5627	ear99	8541.29.0095	1																		100 V	10 a			-			PNP	-	-	-
jansd2n3636ub/tr	-	RFQ	6422	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし				1.5 w		ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50																		175 v	10 µA			10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50MA 、10V	-
2C5686	131.4300	RFQ	9723	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-2C5686			1
jantxv2n7369	-	RFQ	9348	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/621	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-254-3				115 W		TO-254AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																		80 v	10 a			5MA			PNP	1V @ 500MA 、5a	30 @ 3a 、2V	-
jansd2n2906aua	152.8908	RFQ	7317	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C	表面マウント	4-SMD 、リードなし				500 MW		ua	-			影響を受けていない	150-jansd2n2906aua			1																		60 V	600 Ma			50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
jansm2n3019	114.8808	RFQ	6135	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3				800 MW		to-5aa	-			影響を受けていない	150-JANSM2N3019			1																		80 v	1 a			10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	-
jansg2n2221aubc	276.1002	RFQ	8496	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		UBC	-			影響を受けていない	150-Jansg2N2221AUBC			1																		50 v	800 Ma			50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N5011U4	93.8250	RFQ	9864	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W		U4	-			影響を受けていない	150-2N5011U4	ear99	8541.29.0095	1																		600 V	200 ma			10na （icbo）			npn	1.5V @ 5MA 、25mA	30 @ 25MA 、10V	-
2N3628	30.9300	RFQ	6846	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3				7 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N3628	ear99	8541.29.0095	1																		40 v	5 a			-			npn	-	-	-
ARF449bg	-	RFQ	9572	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止	450 v			TO-247-3	ARF449	81.36MHz	モスフェット			TO-247	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	nチャネル		9a	90W	13dB											-					150 v
jansd2n2221aua/tr	150.3406	RFQ	3576	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし				650 MW		ua	-			影響を受けていない	150-jansd2n2221aua/tr			50																		50 v	800 Ma			50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
jans2n5154u3/tr	204.3006	RFQ	9642	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W		U3	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans2n5154u3/tr	ear99	8541.29.0095	1																		80 v	1 Ma			1ma			npn	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
jansg2n2221a	100.3204	RFQ	4325	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa				500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-Jansg2N2221a			1																		50 v	800 Ma			50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
2C3724	6.1500	RFQ	4378	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-2C3724			1
jansf2n2221aua	154.1904	RFQ	2592	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし				650 MW		ua	-			影響を受けていない	150-jansf2n2221aua			1																		50 v	800 Ma			50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
MSR2N2907AUA/TR	163.0048	RFQ	3483	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし				500 MW		ua	-			影響を受けていない	150-MSR2N2907AUA/TR			100																		60 V	600 Ma			50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
Jan2N3440	-	RFQ	3205	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/368	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				800 MW		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																		250 v	1 a			2µA			npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
2N5071	287.8650	RFQ	3773	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-2N5071			1
jansd2n222222aub	101.1302	RFQ	8056	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-Jansd2N22222222222222222222222222222222222222222222222222 222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222			1																		50 v	800 Ma			50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
APT5015BVFRG	13.3600	RFQ	3157	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	APT5015		モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル				500 V	32a		150mohm @ 500ma 、10V	4V @ 1MA	300 NC @ 10 V		5280 PF @ 25 V	-
MIC94031BM4 TR	-	RFQ	7425	マイクロチップテクノロジー	tinyfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	to-253-4、to-253aa	MIC94031		モスフェット（金属酸化物）			SOT-143	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000		pチャネル				16 v	1a（ta）	2.7V 、10V	450mohm @ 100ma 、10V	1.4V @ 250µA		16V	100 pf @ 12 v	-	568MW
mscglq75x065ctyzbnmg	-	RFQ	1989年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール				300 W	三相ブリッジ整流器	-	ダウンロード	ROHS3準拠						1	ブレーキ付きの3相インバーター																-	650 V	100 a	2.3V @ 15V、75a		100 µA	はい	4620 PF @ 25 V
JANTX2N2907AUB	6.2100	RFQ	1927年年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2907			500 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																		60 V	600 Ma			50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jansf2n2907aub	146.8306	RFQ	2444	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2907			500 MW		3-SMD	-			影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																		60 V	600 Ma			50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N2222AUBC	28.6950	RFQ	3414	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		UBC	-		1 （無制限）	影響を受けていない	150-2N222222AUBC	ear99	8541.21.0095	200																		50 v	800 Ma			50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N6693	755.0400	RFQ	5902	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MA				3 W		to-61	-			影響を受けていない	150-2N6693	ear99	8541.29.0095	1																		400 V	15 a			100µA			npn	1V @ 3a 、15a	15 @ 1a、3V	-
MSCSM120DUM31TBL1NG	140.4500	RFQ	9941	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120		炭化シリコン（原文）	310W		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120DUM31TBL1NG	ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）共通ソース					1200V（1.2kv）	79a		31mohm @ 40a 、20V	2.8V @ 3MA	232NC @ 20V		3020pf @ 1000V	-
mscglq75x120ctyzbnmg	-	RFQ	1513	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール				452 w	三相ブリッジ整流器	-	-				150-MSCGLQ75X120CTYZBNMG			1	ブレーキ付きの3相インバーター																-	1200 v	150 a	2.4V @ 15V 、75a		50 µA	はい	4400 PF @ 25 V

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²