画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 逆回復時間( trr) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | 抵抗-RDS (オン) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APTM50H15FT1G | 65.0300 | ![]() | 4513 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP1 | APTM50 | モスフェット(金属酸化物) | 208W | SP1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 nチャネル(ハーフブリッジ) | 500V | 25a | 180mohm @ 21a 、10V | 5V @ 1MA | 170NC @ 10V | 5448PF @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
APT150GN60J | 32.4300 | ![]() | 3032 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | シャーシマウント | ISOTOP | APT150 | 536 w | 標準 | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | トレンチフィールドストップ | 600 V | 220 a | 1.85V @ 15V 、150a | 25 µA | いいえ | 9.2 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150SK170G | 190.7100 | ![]() | 3289 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP6 | aptgt150 | 890 w | 標準 | SP6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | トレンチフィールドストップ | 1700 v | 250 a | 2.4V @ 15V 、150a | 350 µA | いいえ | 13.5 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | apt50m38jll | 76.8000 | ![]() | 89 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMos7® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | APT50M38 | モスフェット(金属酸化物) | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 500 V | 88a(tc) | 10V | 38mohm @ 44a 、10V | 5V @ 5MA | 270 NC @ 10 V | ±30V | 12000 PF @ 25 V | - | 694W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT40GT60BRG | 9.7000 | ![]() | 544 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | Thunderboltigbt® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | APT40GT60 | 標準 | 345 w | to-247 [b] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V 、40A 、5OHM 、15V | npt | 600 V | 80 a | 160 a | 2.5V @ 15V 、40a | 828µj (オフ) | 200 NC | 12ns/124ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT1003RSFLLG/TR | 12.6900 | ![]() | 4507 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMos7® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-268-3 | APT1003 | モスフェット(金属酸化物) | d3pak | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-apt1003rsfllg/tr | ear99 | 8541.29.0095 | 400 | nチャネル | 1000 V | 4a(tc) | 10V | 3OHM @ 2A 、10V | 5V @ 1MA | 34 NC @ 10 V | ±30V | 694 PF @ 25 V | - | 139W | ||||||||||||||||||||||||||||
JANKCB2N3440 | 22.6366 | ![]() | 4696 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/368 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜200°C (TJ | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 800 MW | to-39 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jankcb2n3440 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 v | 1 a | 2µA | npn | 500MV @ 4MA 、50MA | 40 @ 20MA 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
MSC360SMA120B | 6.2800 | ![]() | 237 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | MSC360 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-MSC360SMA120B | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT12060LVRG | 20.3800 | ![]() | 9246 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMosv® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-264-3、TO-264AA | APT12060 | モスフェット(金属酸化物) | TO-264 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-apt12060lvrg | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 1200 v | 20a(tc) | 10V | 600mohm @ 10a 、10V | 4V @ 2.5MA | 650 NC @ 10 V | ±30V | 9500 PF @ 25 V | - | 625W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC040SMA120B4 | 24.9500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-4 | MSC040 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-4 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-MSC040SMA120B4 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 1200 v | 66a(tc) | 20V | 50mohm @ 40a 、20V | 2.6V @ 2MA | 137 NC @ 20 V | +23V、-10V | 1990 pf @ 1000 v | - | 323W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C4239 | 13.4862 | ![]() | 8237 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-2C4239 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MX2N4859UB/TR | 68.9206 | ![]() | 7887 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-MX2N4859UB/TR | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM100H45FT3G | 153.0300 | ![]() | 1310 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP3 | APTM100 | モスフェット(金属酸化物) | 357W | SP3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 nチャネル(ハーフブリッジ) | 1000V(1kv) | 18a | 540mohm @ 9a、10V | 5V @ 2.5MA | 154NC @ 10V | 4350pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4861 | 65.3100 | ![]() | 7433 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 360 MW | ub | - | 影響を受けていない | 150-2N4861 | 1 | nチャネル | 30 V | 18pf @ 10V | 30 V | 8 ma @ 15 v | 800 mV @ 500 Pa | 60オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n5794uc/tr | 152.4978 | ![]() | 7595 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/495 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、リードなし | 2N5794 | 600MW | UC | - | 影響を受けていない | 150-jantx2n5794uc/tr | 100 | 40V | 600MA | 10µa(icbo) | 2 NPN (デュアル) | 900MV @ 30MA、300MA | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TP0606N3-G-P003 | 0.9100 | ![]() | 8669 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | TP0606 | モスフェット(金属酸化物) | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | pチャネル | 60 V | 320ma | 5V、10V | 3.5OHM @ 750MA 、10V | 2.4V @ 1MA | ±20V | 150 PF @ 25 V | - | 1W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100TL60T3G | 111.2300 | ![]() | 1470 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SP3 | aptgt100 | 340 w | 標準 | SP3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 3つのレベルインバーター | トレンチフィールドストップ | 600 V | 150 a | 1.9V @ 15V 、100A | 250 µA | はい | 6.1 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
APT10035B2FLLG | 33.1603 | ![]() | 1252 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMos7® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3バリアント | APT10035 | モスフェット(金属酸化物) | T-Max™[B2] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 1000 V | 28a(tc) | 10V | 370mohm @ 14a 、10V | 5V @ 2.5MA | 186 NC @ 10 V | ±30V | 5185 PF @ 25 V | - | 690W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jansh2N22222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 | 167.4308 | ![]() | 9919 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/255 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 650 MW | ua | - | 影響を受けていない | 150-Jansh2N222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 | 50 | 50 v | 800 Ma | 50NA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VN2222LL-G-P003 | 0.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | VN2222 | モスフェット(金属酸化物) | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 60 V | 230MA (TJ) | 5V、10V | 7.5OHM @ 500MA 、10V | 2.5V @ 1MA | ±30V | 60 pf @ 25 v | - | 400MW | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DN2540N8-G | 1.0600 | ![]() | 4293 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-243AA | DN2540 | モスフェット(金属酸化物) | TO-243AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 400 V | 170ma | 0V | 25OHM @ 120MA 、0V | - | ±20V | 300 pf @ 25 V | 枯渇モード | 1.6W | ||||||||||||||||||||||||||||
APT80GA90LD40 | 14.6000 | ![]() | 8035 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | Power Mos 8™ | チューブ | アクティブ | - | 穴を通して | TO-264-3、TO-264AA | APT80GA90 | 標準 | 625 w | TO-264 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | Q4945437 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V 、47A 、4.7OHM、15V | 25 ns | pt | 900 V | 145 a | 239 a | 3.1V @ 15V 、47a | 1652µj(on )、 1389 µj(オフ) | 200 NC | 18ns/149ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SG2815J-883B | - | ![]() | 6954 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 18-cdip (0.300 "、7.62mm) | SG2815 | - | 18カーディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-SG2815J-883B | ear99 | 8541.29.0095 | 21 | 50V | 600MA | - | 8 npnダーリントン | 1.9V @ 600µA 、500mA | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTMC120AM08CD3AG | - | ![]() | 5051 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | D-3モジュール | APTMC120 | 炭化シリコン(原文) | 1100W | D3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 nチャンネル(ハーフブリッジ) | 1200V(1.2kv) | 250a(tc) | 10mohm @ 200a 、20V | 2.2V @ 10ma(タイプ) | 490NC @ 20V | 9500pf @ 1000V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5600 | 43.0350 | ![]() | 8595 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | TO-213AA、to-66-2 | 20 W | to-66(to-213aa | - | 影響を受けていない | 150-2N5600 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MX2N4859UB | 68.7743 | ![]() | 2621 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
janhcb2n3700 | 8.7115 | ![]() | 5384 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/391 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-206aa | 2N3700 | 500 MW | TO-18(to-206aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-janhcb2n3700 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10na | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
jankcbl2n3439 | - | ![]() | 5238 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/368 | バルク | アクティブ | -55°C〜200°C | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 800 MW | to-39 | - | 影響を受けていない | 150-jankcbl2n3439 | 100 | 350 V | 1 a | 2µA | npn | 500MV @ 4MA 、50MA | 40 @ 20MA 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jansf2n6988 | 180.2500 | ![]() | 1125 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/558 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 14フラットパック | 2N6988 | 400MW | 14フラットパック | - | 影響を受けていない | 150-jansf2n6988 | 1 | 60V | 600MA | 10µa(icbo) | 4 PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT200DA60T3AG | 92.6400 | ![]() | 5420 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SP3 | aptgt200 | 750 W | 標準 | SP3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | トレンチフィールドストップ | 600 V | 290 a | 1.9V @ 15V 、200A | 250 µA | はい | 12.3 nf @ 25 v |
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