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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
MV2N4857	57.2964	RFQ	8505	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	MV2N4857		360 MW		TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1		nチャネル	40 v							18pf @ 10V							40 v	100 mA @ 15 V	6 V @ 500 PA				40オーム
MSCSM120TAM16CTPAG	807.8750	RFQ	5719	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120	炭化シリコン（原文）	728W （TC）		SP6-P	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120TAM16CTPAG	ear99	8541.29.0095	1	6 N-Channel（3 フェーズブリッジ）		1200V（1.2kv）	171a（tc）		16mohm @ 80a 、20V	2.8V @ 2MA	464NC @ 20V		6040pf @ 1000V	-
MV2N4093UB/TR	92.4882	RFQ	5763	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/431	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜175°C	表面マウント	3-SMD 、リードなし			360 MW		3-ub（3.09x2.45）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-MV2N4093UB/TR			1		nチャネル	40 v							16pf @ 20V							40 v	8 ma @ 20 v					80オーム
jansl2n3439l	270.2400	RFQ	9751	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/368	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C	穴を通して	to-205aa、to-5-3			800 MW		to-5aa	-			影響を受けていない	150-jansl2n3439l			1														350 V	1 a					2µA				npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
MSCSM170AM45CT1AG	147.4400	RFQ	18	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM170	炭化シリコン（原文）	319W		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM170AM45CT1AG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）		1700V（1.7kV）	64a（tc）		45mohm @ 30a 、20V	3.2V @ 2.5MA	178NC @ 20V		3300PF @ 1000V	-
2C5154	8.7381	RFQ	7491	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2C5154			1
2N5861	22.4700	RFQ	5930	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-2N5861			1
jansm2n5152l	98.9702	RFQ	5424	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-JANSM2N5152L			1														80 v	2 a					50µA				npn	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
2N5339QFN/TR	22.1850	RFQ	1789	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜200°C	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-2N5339QFN/TR	ear99	8541.29.0095	100														100 V	5 a					100µA				npn	1.2V @ 500MA 、5a	60 @ 2a 、2V	-
APTM10SKM05TG	126.6100	RFQ	8719	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	APTM10	モスフェット（金属酸化物）			SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	100 V	278a（tc）	10V	5mohm @ 125a 、10V	4V @ 5MA	700 NC @ 10 V	±30V	20000 PF @ 25 V	-	780W
JANKCA2N3810	61.8583	RFQ	5874	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810		350MW		to-78-6	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankca2n3810	ear99	8541.21.0095	1														60V	30ma					10µa（icbo）				2 NPN （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
jans2N3737	89.9200	RFQ	5843	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/395	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206ab、to-46-3金属缶			500 MW		to-46	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-Jans2N3737	ear99	8541.21.0095	1														40 v	1.5 a					200na				npn	900mv @ 100ma、1a	40 @ 500MA、1V	-
MIC94050BM4 TR	-	RFQ	5267	マイクロチップテクノロジー	Symfet™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	to-253-4、to-253aa	MIC94050	モスフェット（金属酸化物）			SOT-143	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000		pチャネル	6 v	1.8a（ta）	1.8V 、4.5V	160mohm @ 100ma 、4.5V	1.2V @ 250µA		6V	600 pf @ 5.5 v	-	568MW
aptglq200h65g	264.8500	RFQ	1456	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	aptglq200		680 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジ												トレンチフィールドストップ	650 V	270 a	2.3V @ 15V 、200A				75 µA	いいえ	12.2 nf @ 25 v
JANKCA2N5237	29.4595	RFQ	5468	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/394	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W		to-5	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankca2n5237	ear99	8541.29.0095	1														120 v	10 a					10µA				npn	2.5V @ 1a 、10a	50 @ 1a 、5V	-
APTC60DAM35T3G	104.1600	RFQ	3172	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	APTC60	モスフェット（金属酸化物）	416W		SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）		600V	72a		35mohm @ 72a 、10V	3.9V @ 5.4ma	518NC @ 10V		14000pf @ 25V	-
APTGF90H60T3G	-	RFQ	6592	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止	-	シャーシマウント	SP3			416 w	標準	SP3	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジインバーター												npt	600 V	120 a	2.45V @ 15V 、100A				250 µA	はい	4.4 nf @ 25 v
JANKCBM2N3440	-	RFQ	7364	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/368	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			800 MW		to-39	-			影響を受けていない	150-jankcbm2n3440			100														250 v	1 a					2µA				npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
BCY59-V111-HQ	30.3107	RFQ	7836	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-BCY59-V111-HQ			1
TC2320TG-G	1.9300	RFQ	4	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	TC2320	モスフェット（金属酸化物）	-		8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,300	nおよびpチャネル		200V	-		7OHM @ 1A 、10V	2V @ 1MA	-		110pf @ 25V	-
APTM100H45STG	189.8514	RFQ	2999	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	APTM100	モスフェット（金属酸化物）	357W		SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）		1000V（1kv）	18a		540mohm @ 9a、10V	5V @ 2.5MA	154NC @ 10V		4350pf @ 25V	-
APT24F50B	4.8100	RFQ	534	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT24F50	モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	500 V	24a（tc）	10V	240mohm @ 11a 、10V	5V @ 1MA	90 NC @ 10 V	±30V	3630 PF @ 25 V	-	335W
jansd2n2219al	114.6304	RFQ	6790	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205aa、to-5-3			800 MW		to-5aa	-			影響を受けていない	150-jansd2n2219al			1														50 v	800 Ma					10na				npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jans2n6193u3	-	RFQ	7131	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	sicで中止されました		-	-					-	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
jans2n2907aua/tr	133.2202	RFQ	9174	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2907		500 MW		ua	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans2n2907aua/tr	ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 Ma					50NA				PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 1ma 、10V	-
2N5385	163.4171	RFQ	6897	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N5385					-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
APTGL475A120D3G	392.6425	RFQ	6737	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	D-3モジュール	aptgl475		2080 w	標準	D3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ												トレンチフィールドストップ	1200 v	610 a	2.2V @ 15V 、400A				5 Ma	いいえ	24.6 nf @ 25 v
2N708	88.9371	RFQ	4266	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C（タタ	穴を通して	to-206aa			360 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	2N708ms	ear99	8541.21.0095	1														15 V						25Na				npn	400MV @ 1MA 、10MA	30 @ 10ma、1V	-
jankccm2n3500	-	RFQ	3773	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-jankccm2n3500			100														150 v	300 Ma					10µa（icbo）				npn	400MV @ 15MA、150MA	40 @ 150ma 、10V	-
LP1030DK1-G	-	RFQ	1667	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-25°C〜125°C	表面マウント	SC-74A 、SOT-753	LP1030	モスフェット（金属酸化物）	-		SOT-23-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	2,500	2 P-Channel （デュアル）		300V	-		180OHM @ 20MA 、7V	2.4V @ 1MA	-		10.8pf @ 25V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²