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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
MNS2N222222AUBP/TR	12.6500	RFQ	2871	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-MNS2N222222AUBP/TR	ear99	8541.21.0095	1																			50 v	800 Ma			50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N744a	30.5700	RFQ	3677	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-2N744a			1
JANSP2N2221AUB	150.3406	RFQ	6931	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-JANSP2N2221AUB			1																			50 v	800 Ma			50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
APT7F120S	7.0200	RFQ	5540	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3	APT7F120		モスフェット（金属酸化物）			d3pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt7f120S	ear99	8541.29.0095	30		nチャネル					1200 v	7a（tc）	10V	2.4OHM @ 3A 、10V	5V @ 1MA	80 NC @ 10 V	±30V	2565 PF @ 25 V	-	335W
APTM120A20SG	318.1600	RFQ	3309	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM120		モスフェット（金属酸化物）	1250W		SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）						1200V（1.2kv）	50a		240mohm @ 25a 、10V	5V @ 6MA	600NC @ 10V		15200pf @ 25V	-
aptgt200h60g	224.1800	RFQ	9281	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP6	aptgt200			625 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジインバーター																	トレンチフィールドストップ	600 V	290 a	1.9V @ 15V 、200A		250 µA	いいえ	12.3 nf @ 25 v
2N3439U4/TR	271.4850	RFQ	1678	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				800 MW		U4	-			影響を受けていない	150-2N3439U4/TR	ear99	8541.21.0095	100																			350 V	1 a			2µA			npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
2729GN-300VP	-	RFQ	1735	マイクロチップテクノロジー	VP	バルク	アクティブ	125 v		表面マウント	55-QP		2.7GHz〜2.9GHz	hemt			55-QP	ダウンロード			影響を受けていない	150-2729GN-300VP	ear99	8541.29.0095	5			-	75 Ma	335W	15.3db											-					50 v
2N5542	519.0900	RFQ	8656	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	スタッドマウント	TO-211MA				87.5 w		to-61	-			影響を受けていない	150-2N5542	ear99	8541.29.0095	1																			130 v	10 a			-			PNP	-	-	-
jans2n5796uc/tr	506.3136	RFQ	7400	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/496	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N5796			600MW		UC	-			影響を受けていない	150-jans2n5796uc/tr			50																			60V	600MA			10µa（icbo）			2 PNP （デュアル）	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
apt50m75jll	35.1800	RFQ	4480	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT50M75		モスフェット（金属酸化物）			ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					500 V	51a（tc）		75mohm @ 25.5a 、10V	5V @ 2.5MA	125 NC @ 10 V		5590 PF @ 25 V	-
MSCSM170AM029CT6LIAG	1.0000	RFQ	5231	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM170		炭化シリコン（原文）	3KW （TC）		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM170AM029CT6LIAG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）						1700V（1.7kV）	676a		3.75mohm @ 360a 、20V	3.3V @ 30MA	2136NC @ 20V		39600PF @ 1000V	-
APTM50AM24SCG	367.0600	RFQ	8784	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM50		炭化シリコン（原文）	1250W		SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）						500V	150a		28mohm @ 75a 、10V	5V @ 6MA	434NC @ 10V		19600pf @ 25V	-
2N3497	33.6900	RFQ	4728	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa				400MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-2N3497	ear99	8541.21.0095	1						-													120V	100mA						PNP		40 @ 50ma 、10V	150MHz	-
2N6306T1	349.2000	RFQ	1301	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C	穴を通して	to-204aa、to-3				125 w		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N6306T1	ear99	8541.29.0095	1																			250 v	8 a			50µA			npn	5V @ 2a 、8a	15 @ 3a 、5V	-
2N5416U4	145.1562	RFQ	1126	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/485	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W		U4	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2N5416U4	ear99	8541.29.0095	1																			300 V	1 a			50µA			PNP	2V @ 5MA 、50mA	30 @ 50ma 、10V	-
jansm2n3440l	233.7316	RFQ	3864	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/368	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C	穴を通して	to-205aa、to-5-3				800 MW		to-5aa	-			影響を受けていない	150-JANSM2N3440L			1																			250 v	1 a			2µA			npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
jankcaf2n2484	-	RFQ	8963	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/376	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N2484			360 MW		TO-18（to-206aa	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankcaf2n2484	ear99	8541.21.0095	1																			60 V	50 Ma			2NA			npn	300MV @ 100µA、1MA	250 @ 1MA 、5V	-
MSR2N2369AUB	-	RFQ	9134	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				360 MW		ub	-			影響を受けていない	150-MSR2N2369AUB			100																			15 V				400na			npn	250MV @ 3MA 、30ma	40 @ 10ma、1V	-
APTM10TAM19FPG	178.9900	RFQ	9523	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM10		モスフェット（金属酸化物）	208W		SP6-P	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	6 N-Channel（3 フェーズブリッジ）						100V	70a		21mohm @ 35a 、10V	4V @ 1MA	200NC @ 10V		5100pf @ 25V	-
TN0604N3-G-P005	1.1400	RFQ	8727	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	TN0604		モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000		nチャネル					40 v	700ma	5V、10V	750mohm @ 1.5a、10V	1.6V @ 1MA		±20V	190 pf @ 20 v	-	740MW
MSCSM70HM038CAG	1.0000	RFQ	4439	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ					MSCSM70		-				-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-MSCSM70HM038CAG	ear99	8541.29.0095	1															-
LN100LA-G	-	RFQ	1960年	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-25°C〜125°C	表面マウント	6-vflga	LN100		モスフェット（金属酸化物）	350MW		6-LFGA（3x3）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000	2 n チャンネル（カスコード）						1200V（1.2kv）	-		3000OHM @ 2MA 、2.8V	1.6V @ 10µA	-		50pf @ 25V	-
APTMC60TLM55CT3AG	-	RFQ	9973	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	aptmc60		炭化シリコン（原文）	250W		SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（3 レベルインバーター）						1200V（1.2kv）	48a		49mohm @ 40a 、20V	2.2V @ 2MA（タイプ）	98NC @ 20V		1900pf @ 1000V	-
2N2974	33.4200	RFQ	2717	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N297						-			影響を受けていない	150-2N2974			1
jantxv2n6676	177.2092	RFQ	9162	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/538	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C	穴を通して	to-204aa、to-3	2N6676			6 W		TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			300 V	15 a			100µA			npn	1V @ 3a 、15a	15 @ 1a、3V	-
JANKCBP2N3700	-	RFQ	8414	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa				500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jankcbp2n3700			100																			80 v	1 a			10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	-
2N5405	26.8050	RFQ	1944年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-205aa、to-5-3				7.5 w		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N5405	ear99	8541.29.0095	1																			100 V	5 a			-			PNP	-	-	-
VN2410L-G	1.1600	RFQ	7564	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	VN2410		モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル					240 v	190ma	2.5V 、10V	10OHM @ 500MA 、10V	2V @ 1MA		±20V	125 pf @ 25 v	-	1W （TC）
jansl2n2219	114.6304	RFQ	5908	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				800 MW		to-39	-			影響を受けていない	150-Jansl2N2219			1																			50 v	800 Ma			10na			npn	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²