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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	テスト条件	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
89100-03TX	-	RFQ	7741	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	TO-213AA、to-66-2							to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																															-				-	-	-	-
VP0550N3-G	2.2000	RFQ	990	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	VP0550			モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		pチャネル					500 V	54MA （TJ）	5V、10V	125OHM @ 10MA 、10V	4.5V @ 1MA		±20V	70 pf @ 25 V	-	1W （TC）
apt5020bvrg	10.0000	RFQ	15	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	APT5020			モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					500 V	26a（tc）		200mohm @ 500ma 、10V	4V @ 1MA	225 NC @ 10 V		4440 PF @ 25 V	-
2N3468	10.3740	RFQ	2509	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N3468				1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	1																				50 v	1 a										100NA				PNP	1.2V @ 100MA、1a	25 @ 1a 、5V	500MHz
2N3740U4	88.5300	RFQ	3811	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし					25 W		U4	-			影響を受けていない	150-2N3740U4	ear99	8541.29.0095	1																				60 V	4 a										10µA				PNP	600mv @ 125ma、1a	40 @ 100MA、1V	-
APT17F80S	8.6400	RFQ	8865	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3	APT17F80			モスフェット（金属酸化物）			d3pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					800 V	18a（tc）	10V	580mohm @ 9a 、10V	5V @ 1MA	122 NC @ 10 V	±30V	3757 PF @ 25 V	-	500W （TC）
APTC80DDA15T3G	67.8606	RFQ	3356	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	APTC80			モスフェット（金属酸化物）	277W		SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）						800V	28a		150mohm @ 14a 、10V	3.9V @ 2MA	180NC @ 10V		4507pf @ 25V	-
ARF468AG	65.5000	RFQ	3726	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	500 V			TO-264-3、TO-264AA	ARF468		40.68MHz	モスフェット			TO-264	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	nチャネル		22a		300W	15dB											-										150 v
2C3500	9.5494	RFQ	8036	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ												-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2C3500			1
APT6025SVRG	16.4300	RFQ	9368	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-268-3	APT6025			モスフェット（金属酸化物）			d3 [s]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					600 V	25a（tc）		250mohm @ 500ma 、10V	4V @ 1MA	275 NC @ 10 V		5160 PF @ 25 V	-
MV2N4856	57.2964	RFQ	9502	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/385	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	MV2N4856				360 MW		TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1		nチャネル					40 v							18pf @ 10V														40 v	175 mA @ 15 v	10 V @ 500 PA				25オーム
jantxv2n2907aub/tr	12.4355	RFQ	5865	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2907				500 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv2n2907aub/tr	ear99	8541.21.0095	1																				60 V	600 Ma										50NA				PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
JANTV2N6546	59.2781	RFQ	5515	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/525	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3					175 w		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-jantv2n6546			1																				300 V	15 a										-				npn	5V @ 3a 、15a	12 @ 5a 、2V	-
jantxv2n2604ub/tr	-	RFQ	5762	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/354	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし					400 MW		ub	-			影響を受けていない	150-jantxv2n2604ub/tr			50																				60 V	30 Ma										10na				PNP	300MV @ 500µA 、10mA	60 @ 500µA 、5V	-
apt20gn60bdq2g	7.0000	RFQ	11	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	apt20gn60	標準			136 W		TO-247-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt20gn60bdq2g	ear99	8541.29.0095	30				400V 、20A 、4.3OHM、15V														30 ns	トレンチフィールドストップ	600 V	40 a	60 a	1.9V @ 15V 、20a	230µj（on ）、 580µj （オフ）	120 NC	9ns/140ns
2N5738	77.3850	RFQ	3817	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-204aa、to-3					87.5 w		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N5738	ear99	8541.29.0095	1																				100 V	10 a										-				PNP	-	-	-
jan2n2906aua/tr	23.0356	RFQ	6445	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2906				500 MW		4-SMD	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan2n2906aua/tr	ear99	8541.21.0095	1																				60 V	600 Ma										50NA				PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
APTC80H29SCTG	144.7313	RFQ	8251	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	APTC80			モスフェット（金属酸化物）	156W		SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）						800V	15a		290mohm @ 7.5a 、10V	3.9V @ 1MA	91NC @ 10V		2254pf @ 25V	-
2C5882	37.0050	RFQ	8420	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ												-			影響を受けていない	150-2C5882			1
MSCSM120AM027T6AG	939.0300	RFQ	6544	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120			炭化シリコン（原文）	2.97KW		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120AM027T6AG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）						1200V（1.2kv）	733a（tc）		3.5mohm @ 360a 、20V	2.8V @ 27MA	2088NC @ 20V		27000pf @ 1000V	-
JANKCCP2N5151	-	RFQ	7967	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/545	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-jankccp2n5151			100																				80 v	2 a										50µA				PNP	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
JANKCD2N5152	-	RFQ	4268	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					1 W		to-39	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankcd2n5152	ear99	8541.29.0095	1																				80 v	2 a										50µA				npn	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
APTCV60HM45RT3G	103.2008	RFQ	9671	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP3	APTCV60				250 W	単相ブリッジ整流器	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジインバーター																		トレンチフィールドストップ	600 V	50 a		1.9V @ 15V 、50a								250 µA	はい	3.15 nf @ 25 v
JANTX2N3439P	15.4014	RFQ	3978	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/368	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					800 MW		to-39	-			影響を受けていない	150-jantx2n3439p			1																				350 V	1 a										2µA				npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
jantxv2n2919u/tr	57.6156	RFQ	7749	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/355	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2919				350MW		3-SMD	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv2n2919u/tr	ear99	8541.21.0095	1																				60V	30ma										10µa（icbo）				2 NPN （デュアル）	300MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
jantxv2n5684	-	RFQ	4135	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/466	バッグ	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3					300 W		to-204aa	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				80 v	50 a										5µA				npn	5V @ 10a 、50a	30 @ 5a 、2V	-
SG2013J-883B	-	RFQ	2231	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	-	SG2013				-		16-CDIP	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	25																				50V	600MA										-				7 npnダーリントン	1.9V @ 600µA 、500mA	900 @ 500MA 、2V	-
2N5682E4	23.4600	RFQ	5587	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-2N5682E4	ear99	8541.29.0095	1																				120 v	1 a										10µA				npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 250ma 、2V	-
JANKCA2N3635	-	RFQ	4399	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					1 W		to-39	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankca2n3635	ear99	8541.29.0095	1																				140 v	1 a										10µA				PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
2N3725UB/TR	21.7588	RFQ	1010	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			-	-							-	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2N3725UB/TR			1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²