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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
APT38F80B2	18.4400	RFQ	1246	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3バリアント	APT38F80		モスフェット（金属酸化物）			T-Max™[B2]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		800 V	41a（tc）	10V	240mohm @ 20a 、10V	5V @ 2.5MA	260 NC @ 10 V	±30V	8070 PF @ 25 V	-	1040W
jan2n5794uc/tr	113.1697	RFQ	7897	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/495	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N5794			600MW		UC	-			影響を受けていない	150-jan2n5794uc/tr			100															40V	600MA									10µa（icbo）				2 NPN （デュアル）	900MV @ 30MA、300MA	100 @ 150ma 、10V	-
APTGF300U120DG	-	RFQ	6131	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止	-	シャーシマウント	SP6				1780 w	標準	SP6	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	1	シングル													npt	1200 v	400 a		3.9V @ 15V 、300A							500 µA	いいえ	21 nf @ 25 v
MNS2N3637UBP/TR	15.7000	RFQ	5931	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1.5 w		ub	-			影響を受けていない	150-MNS2N3637UBP/TR	ear99	8541.29.0095	1															175 v	1 a									10µA				PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
MX2N4093UB	89.1233	RFQ	1091	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/431	バルク	アクティブ	-65°C〜175°C	表面マウント	3-SMD 、リードなし				360 MW		3-ub（3.09x2.45）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1		nチャネル		40 v							16pf @ 20V											40 v	8 ma @ 20 v					80オーム
jantxv2n3635ub/tr	17.8486	RFQ	8260	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1.5 w		3-SMD	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv2n3635ub/tr	ear99	8541.29.0095	1															140 v	1 a									10µA				PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
APTGT225DU170G	342.6400	RFQ	2292	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTGT225			1250 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	デュアル、共通のソース													トレンチフィールドストップ	1700 v	340 a		2.4V @ 15V 、225a							500 µA	いいえ	20 nf @ 25 v
MSCGTQ100HD65C1AG	131.3800	RFQ	2	マイクロチップテクノロジー	MSC	チューブ	アクティブ	-	シャーシマウント	モジュール	MSCGTQ100				標準	SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCGTQ100HD65C1AG	ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ													溝	650 V	80 a		-							80 a	いいえ
APTM10SKM05TG	126.6100	RFQ	8719	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	APTM10		モスフェット（金属酸化物）			SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		100 V	278a（tc）	10V	5mohm @ 125a 、10V	4V @ 5MA	700 NC @ 10 V	±30V	20000 PF @ 25 V	-	780W
2N5339QFN/TR	22.1850	RFQ	1789	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜200°C	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-2N5339QFN/TR	ear99	8541.29.0095	100															100 V	5 a									100µA				npn	1.2V @ 500MA 、5a	60 @ 2a 、2V	-
JANKCA2N3810	61.8583	RFQ	5874	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810			350MW		to-78-6	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankca2n3810	ear99	8541.21.0095	1															60V	30ma									10µa（icbo）				2 NPN （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
jans2N3737	89.9200	RFQ	5843	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/395	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206ab、to-46-3金属缶				500 MW		to-46	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-Jans2N3737	ear99	8541.21.0095	1															40 v	1.5 a									200na				npn	900mv @ 100ma、1a	40 @ 500MA、1V	-
jansl2n3810u/tr	342.8814	RFQ	9123	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N3810			350MW		6-SMD	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jansl2n3810u/tr	ear99	8541.21.0095	1															60V	50ma									10µa（icbo）				2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
2C5681	9.6300	RFQ	1140	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2C5681			1
APT47N60SC3G	14.5600	RFQ	80	マイクロチップテクノロジー	coolmos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3	APT47N60		モスフェット（金属酸化物）			d3 [s]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30		nチャネル		600 V	47a（tc）	10V	70mohm @ 30a 、10V	3.9V @ 2.7MA	260 NC @ 10 V	±20V	7015 PF @ 25 V	-	417W
APT50GR120JD30	36.1800	RFQ	1001	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4	APT50GR120			417 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル													npt	1200 v	84 a		3.2V @ 15V 、50a							1.1 Ma	いいえ	5.55 nf @ 25 v
APTM10HM09FT3G	150.3300	RFQ	1664	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	APTM10		モスフェット（金属酸化物）	390W		SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）			100V	139a		10mohm @ 69.5a、10V	4V @ 2.5MA	350NC @ 10V		9875pf @ 25V	-
APT25GR120S	6.5900	RFQ	20	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3	APT25GR120	標準		521 w		d3pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			600V 、25A 、4.3OHM、15V											npt	1200 v	75 a	100 a	3.2V @ 15V 、25a	742µj （427µj（オフ）	203 NC	16ns/122ns
jantxv2n2432ub/tr	-	RFQ	2731	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				360 MW		ub	-			影響を受けていない	150-jantxv2n2432ub/tr			100															30 V	100 Ma									10na				npn	150mv @ 500µa 、10ma	80 @ 1MA 、5V	-
jansd2n5152	95.9904	RFQ	1747	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-Jansd2N5152			1															80 v	2 a									50µA				npn	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
MSC180SMA120S	9.6200	RFQ	1213	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-268-3	MSC180		sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ）			TO-268	-		1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSC180SMA120S	ear99	8541.29.0095	30		nチャネル		1200 v	21a（tc）	20V	225mohm @ 8a 、20V	3.26V @ 500µA	34 NC @ 20 V	+23V、-10V	510 pf @ 1000 v	-	125W
jankca2n3634	-	RFQ	7878	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W		to-39	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankca2n3634	ear99	8541.29.0095	1															140 v	1 a									10µA				PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
MSC035SMA170B4	41.8000	RFQ	2291	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-4			sicfet （炭化シリコン）			TO-247-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSC035SMA170B4	ear99	8541.29.0095	30		nチャネル		1700 v	68a（tc）	20V	45mohm @ 30a 、20V	3.25V @ 2.5MA（タイプ）	178 NC @ 20 V	+23V、-10V	3300 pf @ 1000 v	-	370W （TC）
APT5010JLLU2	29.8300	RFQ	2106	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT5010		モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		500 V	41a（tc）	10V	100mohm @ 23a 、10V	5V @ 2.5MA	96 NC @ 10 V	±30V	4360 PF @ 25 V	-	378W
2N760A	30.5700	RFQ	9898	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2N760A			1
2N6687	142.3950	RFQ	9137	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa、to-3				200 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N6687	ear99	8541.29.0075	1															180 v	25 a									-				npn	1.5V @ 2.5MA 、10MA	25 @ 10a 、2V	20MHz
2N4138	18.1200	RFQ	7690	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2N4138			1
MSCSM120DUM042AG	678.0600	RFQ	6524	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120		炭化シリコン（原文）	2031W		-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120DUM042AG	ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）共通ソース			1200V（1.2kv）	495a		5.2mohm @ 240a 、20V	2.8V @ 6MA	1392NC @ 20V		18100pf @ 1000V	-
2N5560	613.4700	RFQ	7206	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MB				150 W		to-63	-			影響を受けていない	150-2N5560	ear99	8541.29.0095	1															120 v	30 a									-				PNP	-	-	-
2N3823	39.3900	RFQ	40	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/375	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-206af、to-72-4金属缶	2N3823			300 MW		to-72	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1		nチャネル		30 V							6PF @ 15V											30 V	20 ma @ 15 v	8 V @ 500 PA

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²