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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	テスト条件	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
2N2905AL	-	RFQ	3131	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3					800 MW		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				60 V	600 Ma							1µA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N3735L	9.4563	RFQ	7233	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3735				1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				40 v	1.5 a							10µa（icbo）			npn	900mv @ 100ma、1a	20 @ 1a 、1.5V	-
2N5626	74.1300	RFQ	6816	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3					116 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N5626	ear99	8541.29.0095	1																				80 v	10 a							-			npn	1.5V @ 1MA 、5MA	-	-
JANSP2N2219AL	114.6304	RFQ	6220	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205aa、to-5-3					800 MW		to-5aa	-			影響を受けていない	150-JANSP2N2219AL			1																				50 v	800 Ma							10na			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
MSC040SMA120B	24.2300	RFQ	7	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	MSC040			sicfet （炭化シリコン）			TO-247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						1200 v	66a（tc）	20V	50mohm @ 40a 、20V	2.7V @ 2MA	137 NC @ 20 V	+23V、-10V	1990 pf @ 1000 v	-	323W （TC）
2C5004-MSC	-	RFQ	4675	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ												-			影響を受けていない	150-2C5004-MSC			100
2C6274-MSCL	184.9800	RFQ	1812年年	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ												-			影響を受けていない	150-2C6274-MSCL			1
jan2n3498l	13.1404	RFQ	1430	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3498				1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				100 V	500 Ma							10µa（icbo）			npn	600MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-
APT40GR120B2D30	9.7200	RFQ	7164	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT40GR120	標準			500 W		TO-247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1				600V 、40A 、4.3OHM、15V															npt	1200 v	88 a	160 a	3.2V @ 15V 、40a	1.38MJ	210 NC	22ns/163ns
jansl2n3637ub	147.1604	RFQ	8217	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし					1 W		ub	-			影響を受けていない	150-jansl2n3637ub			1																				175 v	1 a							10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
APTM50HM75FTG	160.9213	RFQ	5864	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	APTM50			モスフェット（金属酸化物）	357W		SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）							500V	46a		90mohm @ 23a 、10V	5V @ 2.5MA	123NC @ 10V		5600PF @ 25V	-
2N6308	53.4394	RFQ	8132	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C	穴を通して	to-204aa、to-3	2N6308				125 w		TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				350 V	8 a							50µA			npn	5V @ 2.67a 、8a	12 @ 3a 、5V	-
APT18M80B	7.2500	RFQ	6953	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT18M80			モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						800 V	19a（tc）	10V	530mohm @ 9a 、10V	5V @ 1MA	120 NC @ 10 V	±30V	3760 PF @ 25 V	-	500W （TC）
aptglq80hr120ct3g	134.6800	RFQ	1867年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	穴を通して	SP3	aptglq80				500 W	標準	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			トレンチフィールドストップ	1200 v	150 a		2.4V @ 15V 、80a					150 µA	はい	4.6 nf @ 25 v
jansr2n3019	77.3204	RFQ	4108	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3019				800 MW		to-5	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				80 v	1 a							10µa（icbo）			npn	500MV @ 50MA 、500MA	50 @ 500MA 、10V	-
APTGT200A120D3G	264.8800	RFQ	9479	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	D-3モジュール	aptgt200				1040 w	標準	D3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ																		トレンチフィールドストップ	1200 v	300 a		2.1V @ 15V 、200A					6 Ma	いいえ	14 nf @ 25 v
jantxv2n3999p	158.6158	RFQ	9841	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/374	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-210AA					2 W		to-59	-			影響を受けていない	150-jantxv2n3999p			1																				80 v	10 a							10µA			npn	2V @ 500MA 、5a	80 @ 1a 、2V	-
janhcc2n5151	34.1677	RFQ	5292	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/545	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					1 W		to-39	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-JANHCC2N5151	ear99	8541.29.0095	1																				80 v	2 a							50µA			PNP	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
jans2n3700ub	38.6602	RFQ	6395	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N3700				500 MW		ub	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	2266-Jans2N3700UB	ear99	8541.21.0095	1																				80 v	1 a							10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	50 @ 500MA 、10V	-
0912GN-500LV	-	RFQ	5939	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	150 v		表面マウント	55-kr			960MHz〜1.215GHz	hemt			55-kr	ダウンロード			影響を受けていない	150-0912GN-500LV	ear99	8541.29.0095	1			-		100 Ma	550W	16.5dB											-									50 v
jansm2n3019s	114.8808	RFQ	4148	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶					800 MW		to-39	-			影響を受けていない	150-JANSM2N3019S			1																				80 v	1 a							10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	-
VN2210N2	16.8700	RFQ	715	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	VN2210			モスフェット（金属酸化物）			to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	2266-VN2210N2	ear99	8541.21.0095	500		nチャネル						100 V	1.7a	5V、10V	350mohm @ 4a 、10V	2.4V @ 10MA		±20V	500 PF @ 25 V	-	360MW
jans2n222222aub	20.0100	RFQ	6152	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし					500 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				50 v	800 Ma							50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
JANTX2N6678	154.0672	RFQ	6930	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/538	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3					6 W		to-3	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				400 V	1 Ma							1ma			npn	1V @ 3a 、15a	15 @ 1a、3V	-
2N5004	287.5460	RFQ	3203	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-210AA	2N5004				2 W		to-59	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				80 v	5 a							50µA			npn	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
2N5966	613.4700	RFQ	9207	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MB					220 W		to-63	-			影響を受けていない	150-2N5966	ear99	8541.29.0095	1																				100 V	40 a							-			PNP	-	-	-
2N2221AUA/TR	16.8450	RFQ	6638	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし					650 MW		ua	-			影響を受けていない	150-2N2221AUA/TR	ear99	8541.21.0095	100																				50 v	800 Ma							50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
2N3017	31.9050	RFQ	7099	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3					5 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N3017	ear99	8541.29.0095	1																				50 v	5 a							-			PNP	-	-	-
2N2222AP	18.0000	RFQ	9907	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa					500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-2N2222AP	ear99	8541.21.0095	1																				50 v	800 Ma							50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2C5666-MSCL	16.8000	RFQ	7606	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ												-			影響を受けていない	150-2C5666-MSCL			1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²