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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
aptgtq100sk65t1g	56.4000	RFQ	7730	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	aptgtq100		250 W	標準	SP1	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	バックチョッパー													-	650 V	100 a	2.2V @ 15V 、100A	100 µA	はい	6 NF @ 25 V
APTM20DAM05G	204.8417	RFQ	8431	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	aptm20	モスフェット（金属酸化物）			SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		200 v	317a（tc）	10V	6mohm @ 158.5a 、10V	5V @ 10MA	448 NC @ 10 V	±30V	27400 PF @ 25 V	-	1136W
2N1725	453.0300	RFQ	5828	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	175°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MA			3W		to-61	-			影響を受けていない	150-2N1725	ear99	8541.29.0095	1			-												80V	5a					3 npn		50 @ 2a、15V	-	-
JANTX2N3019SP	15.0822	RFQ	6901	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			800 MW		to-39	-			影響を受けていない	150-JANTX2N3019SP			1															80 v	1 a		10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	-
MSCSM120HM31CTBL2NG	296.3200	RFQ	7230	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120	炭化シリコン（原文）	310W		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120HM31CTBL2NG	ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（フルブリッジ）			1200V	79a		31mohm @ 40a 、20V	2.8V @ 1MA	232NC @ 20V		3020pf @ 1000V	-
JANSP2N2221AUA	150.2006	RFQ	7767	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし			650 MW		ua	-			影響を受けていない	150-JANSP2N2221AUA			1															50 v	800 Ma		50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
2C3724	6.1500	RFQ	4378	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-2C3724			1
2N6693	755.0400	RFQ	5902	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MA			3 W		to-61	-			影響を受けていない	150-2N6693	ear99	8541.29.0095	1															400 V	15 a		100µA			npn	1V @ 3a 、15a	15 @ 1a、3V	-
jansf2n2221aua	154.1904	RFQ	2592	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし			650 MW		ua	-			影響を受けていない	150-jansf2n2221aua			1															50 v	800 Ma		50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
2N2222AUBC	28.6950	RFQ	3414	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW		UBC	-		1 （無制限）	影響を受けていない	150-2N222222AUBC	ear99	8541.21.0095	200															50 v	800 Ma		50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
JANSP2N2222222AUB/TR	108.5100	RFQ	6971	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-				150-JANSP2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222チ222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222チ			50
MSCSM120DUM31TBL1NG	140.4500	RFQ	9941	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120	炭化シリコン（原文）	310W		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120DUM31TBL1NG	ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）共通ソース			1200V（1.2kv）	79a		31mohm @ 40a 、20V	2.8V @ 3MA	232NC @ 20V		3020pf @ 1000V	-
jansr2n2222al	100.9002	RFQ	6787	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa			500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jansr2n2222al			1															50 v	800 Ma		50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jankcbl2n3700	-	RFQ	5209	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa			500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jankcbl2n3700			100															80 v	1 a		10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	-
JANKCCD2N3498	-	RFQ	2245	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-jankccd2n3498			100															100 V	500 Ma		10µa（icbo）			npn	600MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-
2N5006	537.9600	RFQ	7861	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MA			100 W		to-61	-			影響を受けていない	150-2N5006	ear99	8541.29.0095	1															80 v	10 a		-			PNP	900mv @ 500µa 、5ma	-	-
mscglq75x120ctyzbnmg	-	RFQ	1513	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール			452 w	三相ブリッジ整流器	-	-				150-MSCGLQ75X120CTYZBNMG			1	ブレーキ付きの3相インバーター													-	1200 v	150 a	2.4V @ 15V 、75a	50 µA	はい	4400 PF @ 25 V
2N6189	287.8650	RFQ	7623	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-210AA			60 W		to-59	-			影響を受けていない	150-2N6189	ear99	8541.29.0095	1															100 V	10 a		-			PNP	1.2V @ 100µA 、2MA	-	-
jantx2n3637ub/tr	15.7073	RFQ	2468	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1.5 w		3-SMD	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx2n3637ub/tr	ear99	8541.29.0095	1															175 v	1 a		10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
APT30M85BVRG	11.1100	RFQ	33	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT30M85	モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		300 V	40a（tc）	10V	85mohm @ 500ma 、10V	4V @ 1MA	195 NC @ 10 V	±30V	4950 PF @ 25 V	-	300W （TC）
2N5796AU	71.0700	RFQ	5568	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜175°C	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N5796		600MW		u	-			影響を受けていない	150-2N5796AU	ear99	8541.21.0095	1															60V	600MA		10µa（icbo）			2 PNP （デュアル）	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jan2n2907aua	18.8860	RFQ	3972	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2907		500 MW		ua	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															60 V	600 Ma		50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
JANTX2N2219A	8.9509	RFQ	5587	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N2219		800 MW		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															50 v	800 Ma		10na			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N3775	33.0450	RFQ	3634	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-205aa、to-5-3			5 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N3775	ear99	8541.29.0095	1															60 V	1 a		-			PNP	-	-	-
2N4111	74.8500	RFQ	4981	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa、to-3			15 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N4111	ear99	8541.29.0095	1															60 V	5 a		-			PNP	-	-	-
TN2540N8-G	1.6700	RFQ	2080	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-243AA	TN2540	モスフェット（金属酸化物）			TO-243AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		nチャネル		400 V	260ma	4.5V 、10V	12OHM @ 500MA 、10V	2V @ 1MA		±20V	125 pf @ 25 v	-	1.6W
jansp2n2369aub/tr	149.5210	RFQ	1267	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2369A		360 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-JANSP2N2369AUB/TR	ear99	8541.21.0095	1															20 v			400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
2C3418-MSCL	5.4750	RFQ	2384	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-2C3418-MSCL			1
JanHCA2N4150	19.2001	RFQ	9478	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/394	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W		to-5	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-janhca2n4150	ear99	8541.29.0095	1															70 v	10 a		10µA			npn	2.5V @ 1a 、10a	50 @ 1a 、5V	-
jans2N3498	54.3900	RFQ	4062	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-Jans2N3498			1															100 V	500 Ma		10µa（icbo）			npn	600MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²