画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価( amp) | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ノイズ図 | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 電圧 -テスト | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VRF157FL | 466.8410 | ![]() | 2696 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | 170 v | T2 | VRF157 | 80MHz | モスフェット | T2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | nチャネル | 4MA | 800 Ma | 600W | 21dB | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
APT100GT120JRDQ4 | 61.8200 | ![]() | 6560 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | Thunderboltigbt® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | ISOTOP | APT100 | 570 w | 標準 | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | npt | 1200 v | 123 a | 3.7V @ 15V 、100A | 200 µA | いいえ | 7.85 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4910 | 19.9101 | ![]() | 1201 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 2N4910 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANTX2N3506A | 14.1113 | ![]() | 6348 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/349 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 2N3506 | 1 W | to-39 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 a | - | npn | 1.5V @ 250MA 、2.5a | 40 @ 1.5a 、2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jansr2n3635ub/tr | 147.3102 | ![]() | 1525 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/357 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 1.5 w | ub | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
JANTX2N1711S | 193.0500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/225 | バルク | sicで中止されました | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 800 MW | to-39 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 V | 500 Ma | 10na (icbo) | npn | 1.5V @ 15MA、150ma | 100 @ 150ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N2369AUA | 35.5509 | ![]() | 7706 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/317 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 2N2369A | 360 MW | ua | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 V | 400na | npn | 450mv @ 10ma 、100ma | 40 @ 10ma、1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jansh2N222222Aub | 261.9204 | ![]() | 7966 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/255 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 500 MW | ub | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 Ma | 50NA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT7F100B | 4.0698 | ![]() | 8118 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | APT7F100 | モスフェット(金属酸化物) | to-247 [b] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 1000 V | 7a(tc) | 10V | 2OHM @ 4A 、10V | 5V @ 500µA | 58 NC @ 10 V | ±30V | 1800 pf @ 25 v | - | 290W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N6650 | 414.9600 | ![]() | 6998 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/527 | バルク | アクティブ | -65°C〜175°C | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 5 W | to-204aa | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | 1ma | pnp-ダーリントン | 3V @ 100MA 、10a | 1000 @ 5a 、3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N3879 | 33.5426 | ![]() | 6567 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/526 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | TO-213AA、to-66-2 | 2N3879 | 35 W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 75 v | 7 a | 25ma | npn | 1.2V @ 400MA 、4a | 20 @ 4a 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTMC120AM55CT1AG | - | ![]() | 5088 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP1 | APTMC120 | 炭化シリコン(原文) | 250W | SP1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 nチャンネル(ハーフブリッジ) | 1200V(1.2kv) | 55a(tc) | 49mohm @ 40a 、20V | 2.2V @ 2MA(タイプ) | 98NC @ 20V | 1900pf @ 1000V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
jantxv2n3724 | - | ![]() | 5537 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | to-39 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | 30 V | - | npn | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N3763L | - | ![]() | 2662 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/396 | バルク | アクティブ | -55°C〜200°C (TJ | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 1 W | to-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 1.5 a | 100µa(icbo) | PNP | 900mv @ 100ma、1a | 40 @ 500MA、1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3878 | 29.9782 | ![]() | 3019 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | TO-213AA、to-66-2 | 35 W | to-66(to-213aa | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 7 a | - | npn | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7375 | 244.5450 | ![]() | 2136 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | TO-257-3 | 52.5 w | TO-257 | - | 影響を受けていない | 150-2N7375 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 5 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n3637ub | 23.4612 | ![]() | 4776 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/357 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 2N3637 | 1.5 w | 3-SMD | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 50ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n6059 | 89.8548 | ![]() | 7766 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/502 | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-3 | 2N6059 | 150 W | to-3(to-204aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 12 a | 1ma | npn-ダーリントン | 3V @ 120ma 、12a | 1000 @ 6a、3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan2n3506l | 12.1695 | ![]() | 1469 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/349 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 2N3506 | 1 W | to-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 a | - | npn | 1.5V @ 250MA 、2.5a | 40 @ 1.5a 、2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLRGF60V601AMXG-AS | - | ![]() | 3648 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | トレイ | 廃止 | - | 150-CMLRGF60V601AMXG-AS | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM170HM45CT3AG | 320.5900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | MSCSM170 | 炭化シリコン(原文) | 319W | - | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-MSCSM170HM45CT3AG | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 nチャネル(フルブリッジ) | 1700V(1.7kV) | 64a(tc) | 45mohm @ 30a 、20V | 3.2V @ 2.5MA | 178NC @ 20V | 3300PF @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120AM042D3AG | 732.2000 | ![]() | 3223 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | MSCSM120 | 炭化シリコン(原文) | 2.031KW | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-MSCSM120AM042D3AG | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n チャネル(位相レッグ) | 1200V(1.2kv) | 495a | 5.2mohm @ 240a 、20V | 2.8V @ 18MA | 1392NC @ 20V | 18100pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
jans2N3867S | 184.7706 | ![]() | 5204 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/350 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 Ma | 100µa(icbo) | PNP | 1.5V @ 250MA 、2.5a | 40 @ 1.5a 、2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 90025-06TX | - | ![]() | 2690 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | TO-213AA、to-66-2 | to-66(to-213aa | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT34M60S/TR | 12.7281 | ![]() | 5415 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | Power Mos 8™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-268-3 | APT34M60 | モスフェット(金属酸化物) | d3pak | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-apt34m60s/tr | ear99 | 8541.29.0095 | 400 | nチャネル | 600 V | 36a(tc) | 10V | 190mohm @ 17a 、10V | 5V @ 1MA | 165 NC @ 10 V | ±30V | 6640 PF @ 25 V | - | 624W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM70TAM19T3AG | 279.2600 | ![]() | 7724 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | MSCSM70 | 炭化シリコン(原文) | 365W | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-MSCSM70TAM19T3AG | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 nチャネル(位相レッグ) | 700V | 124a(tc) | 19mohm @ 40a 、20V | 2.4V @ 4MA | 215NC @ 20V | 4500pf @ 700V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
2N720A | 7.3682 | ![]() | 8632 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-206aa | 2N720 | 500 MW | TO-18(to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2n720ams | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 500 Ma | 10µa(icbo) | npn | 5V @ 15MA、150MA | 40 @ 150ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
2N2608 | 71.3279 | ![]() | 7960 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-206aa | 300 MW | TO-18(to-206aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-2N2608 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | pチャネル | 10pf @ 5V | 30 V | 1 MA @ 5 V | 750 mV @ 1 µa | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT48M80L | 21.1700 | ![]() | 9399 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-264-3、TO-264AA | APT48M80 | モスフェット(金属酸化物) | to-264 [l] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 800 V | 49a(tc) | 10V | 200mohm @ 24a 、10V | 5V @ 2.5MA | 305 NC @ 10 V | ±30V | 9330 PF @ 25 V | - | 1135W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jansd2N3439U4 | 413.4420 | ![]() | 4044 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 800 MW | U4 | - | 影響を受けていない | 150-JANSD2N3439U4 | 1 | 350 V | 1 a | 2µA | npn | 500MV @ 4MA 、50MA | 40 @ 20MA 、10V | - |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫