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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	テスト条件	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
jantxv2n5794auc	190.1800	RFQ	7428	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/495	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N5794				600MW	6-SMD	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				40V	600MA							10µa（icbo）	2 NPN （デュアル）	900MV @ 30MA、300MA	100 @ 150ma 、10V	-
Jan2N3420	-	RFQ	2393	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/393	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N3420				1 W	to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				60 V	3 a							5µA	npn	500MV @ 200MA 、2a	40 @ 1a 、2V	-
JAN2N335T2	-	RFQ	4852	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		175°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶						to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																				45 v	10 Ma							-	npn	-	-	-
jansp2n2222aua	156.9608	RFQ	5462	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし					650 MW	ua	-			影響を受けていない	150-JANSP2N2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222			1																				50 v	800 Ma							50NA	npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
MQ2N4391UB/TR	69.5324	RFQ	5629	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ											-			影響を受けていない	150-MQ2N4391UB/TR			100
Jan2N706	-	RFQ	3623	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ			-	-						-	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
VRF141MP	142.7700	RFQ	3576	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	80 v		シャーシマウント	SOT-123a	VRF141		175MHz	モスフェット		M174	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1	nチャネル		20a		4 a	150W	23dB											-									28 v
APT6025BVRG	15.3700	RFQ	2945	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	APT6025			モスフェット（金属酸化物）		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						600 V	25a（tc）		250mohm @ 500ma 、10V	4V @ 1MA	275 NC @ 10 V		5160 PF @ 25 V	-
jantxv2n2222a	3.5910	RFQ	7328	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N2222				500 MW	TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				50 v	800 Ma							50NA	npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
APTM120U10SCAVG	417.5333	RFQ	2704	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM120			モスフェット（金属酸化物）		SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						1200 v	116a（tc）	10V	120mohm @ 58a 、10V	5V @ 20MA	1100 NC @ 10 V	±30V	28900 PF @ 25 V	-	3290W
jans2n2905a	68.5204	RFQ	7627	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/290	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N2905				800 MW	to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				60 V	600 Ma							1µA	PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
90025-01TXV	-	RFQ	2566	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	TO-213AA、to-66-2						to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																												-	-	-	-	-
2N6328	124.7939	RFQ	6012	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-204aa、to-3					200 W	to-3	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				100 V	30 a							-	PNP	-	-	-
apt20m20jfll	44.0405	RFQ	6381	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT20M20			モスフェット（金属酸化物）		ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						200 v	104a（tc）		20mohm @ 52a 、10V	5V @ 2.5MA	110 NC @ 10 V		6850 PF @ 25 V	-
jantxv2n7372	-	RFQ	3365	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/612	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-254-3					4 w	TO-254	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				80 v	50 µA							50µA	PNP	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
JANTX2N6691	-	RFQ	5665	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/538	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MA					3 W	to-61	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				300 V	15 a							1ma	npn	1V @ 3a 、15a	15 @ 1a、3V	-
Jan2N6437	-	RFQ	8273	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ			-	-	2N6437					-	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
2N4237	36.1627	RFQ	8785	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N4237				1 W	to-39	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2N4237MS	ear99	8541.29.0095	1																				40 v	1 a							100NA	npn	600MV @ 100MA、1A	30 @ 500MA、1V	-
2N4405	-	RFQ	2869	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	sicで中止されました			-	-						-	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
jantxv2n4854u	-	RFQ	1139	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/421	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N4854				600MW	6-SMD	-			影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				40V	600MA							10µa（icbo）	NPN、PNP	400MV @ 15MA、150MA	100 @ 150ma 、10V	-
Jan2N1715	-	RFQ	5019	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		175°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3						to-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																				100 V	750 Ma							-	npn	-	-	-
JANTX2N3700	4.3800	RFQ	301	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N3700				500 MW	TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				80 v	1 a							10na	npn	500MV @ 50MA 、500MA	50 @ 500MA 、10V	-
Jan2N1717	-	RFQ	5717	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		175°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3						to-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																				100 V	750 Ma							-	npn	-	-	-
jantxv2n3467l	-	RFQ	6538	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/348	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	to-205aa、to-5-3					1 W	to-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1																				40 v	1 a							100µa（icbo）	PNP	1.2V @ 100MA、1a	40 @ 500MA、1V	175MHz
2N333ALT2	65.1035	RFQ	3496	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N333						-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
APT15GT120BRG	-	RFQ	4875	マイクロチップテクノロジー	Thunderboltigbt®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT15GT120	標準			250 W	to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1				800V、15a															npt	1200 v	36 a	45 a	3.6V @ 15V、15a	585µj（on 260µj （オフ）	105 NC	10ns/85ns
JANSM2N3440UA	-	RFQ	1596	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/368	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし					800 MW	ua	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-JANSM2N3440UA	ear99	8541.21.0095	1																				250 v	1 a							2µA	npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
2N3719	17.3698	RFQ	2973	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3					6 W	to-5	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1																				40 v	10 µA							10µA	PNP	1.5V @ 300MA、3a	25 @ 1a 、1.5V	60MHz
2N5666S	19.7106	RFQ	3573	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N5666				1.2 w	to-39	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				200 v	5 a							200na	npn	1V @ 1a 、5a	40 @ 1a 、5V	-
2N6053	54.2700	RFQ	7585	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-2N6053			1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²