画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT20M22LVFRG | 22.6100 | ![]() | 6451 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMosv® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-264-3、TO-264AA | APT20M22 | モスフェット(金属酸化物) | to-264 [l] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 200 v | 100a(tc) | 10V | 22mohm @ 500ma 、10V | 4V @ 2.5MA | 435 NC @ 10 V | ±30V | 10200 PF @ 25 V | - | 520W | |||||||||||||||||||||||
![]() | jansr2n2221aua | 150.3406 | ![]() | 2179 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/255 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 650 MW | ua | - | 影響を受けていない | 150-Jansr2N2221AUA | 1 | 50 v | 800 Ma | 50NA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 40 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3629 | 509.6550 | ![]() | 6682 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | スタッドマウント | TO-211MA | 30 W | to-61 | - | 影響を受けていない | 150-2N3629 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 5 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT106N60LC6 | 20.9500 | ![]() | 63 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | coolmos™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-264-3、TO-264AA | APT106 | モスフェット(金属酸化物) | TO-264 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-apt106n60lc6 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 600 V | 106a(tc) | 10V | 35mohm @ 53a 、10V | 3.5V @ 3.4MA | 308 NC @ 10 V | ±20V | 8390 PF @ 25 V | - | 833W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | APT43GA90B | 6.3100 | ![]() | 1631 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | Power Mos 8™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | APT43GA90 | 標準 | 337 w | to-247 [b] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V 、25A 、4.7OHM、15V | pt | 900 V | 78 a | 129 a | 3.1V @ 15V 、25a | 875µj (425µj(オフ) | 116 NC | 12ns/82ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | Apt50m75jfll | 44.8700 | ![]() | 2107 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMos7® | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | APT50M75 | モスフェット(金属酸化物) | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 500 V | 51a(tc) | 75mohm @ 25.5a 、10V | 5V @ 2.5MA | 125 NC @ 10 V | 5590 PF @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN5325K1-G | 0.6800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C(Ta) | 表面マウント | TO-236-3 | TN5325 | モスフェット(金属酸化物) | TO-236AB (SOT23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 250 v | 150ma(ta) | 4.5V 、10V | 7OHM @ 1A 、10V | 2V @ 1MA | ±20V | 110 PF @ 25 V | - | 360MW | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3499UB/TR | 28.1250 | ![]() | 2187 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 1 W | ub | - | 影響を受けていない | 150-2N3499UB/TR | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 100 V | 500 Ma | 10µa(icbo) | npn | 600MV @ 30MA、300MA | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT8052BLLG | 14.9100 | ![]() | 8873 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMos7® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | APT8052 | モスフェット(金属酸化物) | to-247 [b] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 800 V | 15a(tc) | 520mohm @ 7.5a 、10V | 5V @ 1MA | 75 NC @ 10 V | 2035 PF @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n3867p | 39.3547 | ![]() | 6794 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/350 | バルク | アクティブ | -55°C〜200°C | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 1 W | to-5aa | - | 影響を受けていない | 150-jantxv2n3867p | 1 | 40 v | 3 a | 1µA | PNP | 1.5V @ 250MA 、2.5a | 50 @ 500MA、1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
2N759A | 30.5700 | ![]() | 5001 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | to-206aa | 500 MW | TO-18(to-206aa | - | 影響を受けていない | 150-2N759A | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 100 Ma | - | npn | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3634ub/tr | 13.5128 | ![]() | 5416 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 1 W | 3-SMD | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-2N3634UB/TR | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma 、50ma | 50 @ 50ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | jansf2n3057a | 127.0302 | ![]() | 9453 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/391 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-206ab、to-46-3金属缶 | 500 MW | to-46 | - | 影響を受けていない | 150-jansf2n3057a | 1 | 80 v | 1 a | 10na | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5660U3 | 97.5900 | ![]() | 2361 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 2 W | U3 | - | 影響を受けていない | 150-2N5660U3 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 2 a | 200na | npn | 800mv @ 400ma 、2a | 40 @ 500MA 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptgtq100h65t3g | 120.8100 | ![]() | 8770 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | aptgtq100 | 250 W | 標準 | SP3F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | フルブリッジ | - | 650 V | 100 a | 2.2V @ 15V 、100A | 100 µA | はい | 6 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||
2N1715S | 20.3850 | ![]() | 4044 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜175°C | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | to-39 | - | 影響を受けていない | 150-2N1715S | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 750 Ma | - | npn | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jansm2N22222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 | 156.9608 | ![]() | 5223 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/255 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 650 MW | ua | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-JANSM2N22222222222222222222222222222222222222222222222222 222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 Ma | 50NA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120DUM027AG | 932.4200 | ![]() | 4698 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | MSCSM120 | 炭化シリコン(原文) | 2968W | - | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-MSCSM120DUM027AG | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 nチャンネル(デュアル)共通ソース | 1200V(1.2kv) | 733a(tc) | 3.5mohm @ 360a 、20V | 2.8V @ 9MA | 2088NC @ 20V | 27000pf @ 1000V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | APT50GP60bg | 12.8400 | ![]() | 1042 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMos7® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | APT50GP60 | 標準 | 625 w | to-247 [b] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V 、50A 、5OHM、15V | pt | 600 V | 100 a | 190 a | 2.7V @ 15V 、50a | 465µj(637µj (オフ) | 165 NC | 19ns/83ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | aptglq400a120t6g | 378.7425 | ![]() | 6977 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | SP6 | aptglq400 | 1900 w | 標準 | SP6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ハーフブリッジ | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 700 a | 2.4V @ 15V 、400A | 200 µA | はい | 24.6 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC60HM70BT3G | 116.5400 | ![]() | 2623 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | coolmos™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP3 | APTC60 | モスフェット(金属酸化物) | 250W | SP3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 nチャネル(ハーフブリッジ) | 600V | 39a | 70mohm @ 39a 、10V | 3.9V @ 2.7MA | 259NC @ 10V | 700pf @ 25V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CMSDDF40H60T1G | - | ![]() | 3978 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | トレイ | 廃止 | - | 150-CMSDDF40H60T1G | 廃止 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | apt6021bfllg | 18.7000 | ![]() | 6604 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMos7® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | APT6021 | モスフェット(金属酸化物) | to-247 [b] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 600 V | 29a | 210mohm @ 14.5a 、10V | 5V @ 1MA | 80 NC @ 10 V | 3470 PF @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2994 | 27.6600 | ![]() | 7538 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 5 W | to-5aa | - | 影響を受けていない | 150-2N2994 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 1 a | - | npn | 3V @ 50µA 、200µA | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan2n5664p | 33.9017 | ![]() | 5241 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/455 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | TO-213AA、to-66-2 | 2.5 W | to-66(to-213aa | - | 影響を受けていない | 150-jan2n5664p | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 5 a | 200na | npn | 400MV @ 300MA、3a | 40 @ 1a 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
apt35gn120sg/tr | 9.2302 | ![]() | 1773 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-268-3 | APT35GN120 | 標準 | 379 W | d3pak | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-apt35gn120sg/tr | ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 800V、35a | npt 、トレンチフィールドストップ | 1200 v | 84 a | 105 a | 2.1V @ 15V、35a | -、2.315MJ (オフ) | 220 NC | 24ns/300ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100SK170TG | 117.5900 | ![]() | 4991 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP4 | aptgt100 | 560 w | 標準 | SP4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | トレンチフィールドストップ | 1700 v | 150 a | 2.4V @ 15V 、100A | 250 µA | はい | 9 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||
APT40GP90B2DQ2G | 18.8700 | ![]() | 4555 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMos7® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3バリアント | APT40GP90 | 標準 | 543 w | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V 、40A 、4.3OHM、15V | pt | 900 V | 101 a | 160 a | 3.9V @ 15V 、40a | 795µJ | 145 NC | 14ns/90ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APT25GN120SG | 7.8900 | ![]() | 9717 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-268-3 | APT25GN120 | 標準 | 272 w | d3pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800V 、25a、1OHM、15V | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 67 a | 75 a | 2.1V @ 15V 、25a | - | 155 NC | 22ns/280ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | aptgt30h60t1g | 55.3800 | ![]() | 2004年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SP1 | aptgt30 | 90 w | 標準 | SP1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | フルブリッジインバーター | トレンチフィールドストップ | 600 V | 50 a | 1.9V @ 15V 、30a | 250 µA | はい | 1.6 nf @ 25 v |
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