画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N6381 | 836.8360 | ![]() | 8096 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | スタッドマウント | TO-211MB | 250 W | to-63 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 50 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | VP2206N3-G | 2.5700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バッグ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | VP2206 | モスフェット(金属酸化物) | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | pチャネル | 60 V | 640ma | 5V、10V | 900mohm @ 3.5a 、10V | 3.5V @ 10MA | ±20V | 450 pf @ 25 v | - | 740MW | ||||||||||||
![]() | JAN2N4931U4 | - | ![]() | 5251 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/397 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 1 W | U4 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 v | 200 ma | PNP | 1.2V @ 3MA 、30ma | 50 @ 30ma 、10V | - | ||||||||||||||||||
![]() | Jan2N1711 | - | ![]() | 9574 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/225 | バルク | sicで中止されました | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 800 MW | to-5 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 V | 500 Ma | 10na (icbo) | npn | 1.5V @ 15MA、150ma | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||
2N2812 | 117.9178 | ![]() | 9265 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 2N2812 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6273 | 849.4200 | ![]() | 4149 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | スタッドマウント | TO-211MB | 262 w | to-63 | - | 影響を受けていない | 150-2N6273 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 30 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | MSCSM120AM31TBL1NG | 140.4500 | ![]() | 8495 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | MSCSM120 | 炭化シリコン(原文) | 310W | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-MSCSM120AM31TBL1NG | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n チャネル(位相レッグ) | 1200V(1.2kv) | 79a | 31mohm @ 40a 、20V | 2.8V @ 3MA | 232NC @ 20V | 3020pf @ 1000V | - | ||||||||||||
![]() | 2N3868U4 | 67.0985 | ![]() | 7081 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 1 W | U4 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 3 Ma | 100µa(icbo) | PNP | 1.5V @ 250MA 、2.5a | 30 @ 1.5a 、2V | - | ||||||||||||||||||
![]() | TN2130K1-G-VAO | - | ![]() | 5442 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C(Ta) | 表面マウント | TO-236-3 | TN2130 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-TN2130K1-G-VAOTR | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 300 V | 85ma(tj) | 4.5V | 25OHM @ 120MA 、4.5V | 2.4V @ 1MA | ±20V | 50 pf @ 25 V | - | 360MW | ||||||||||||
![]() | jansm2n3498l | 41.5800 | ![]() | 5773 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/366 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 1 W | to-5aa | - | 影響を受けていない | 150-JANSM2N3498L | 1 | 100 V | 500 Ma | 10µa(icbo) | npn | 600MV @ 30MA、300MA | 40 @ 150ma 、10V | - | |||||||||||||||||||
2N4261 | - | ![]() | 9961 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-72-3金属缶 | 2N4261 | 200 MW | to-72 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 V | 30 Ma | 10µa(icbo) | PNP | 350MV @ 1MA 、10MA | 30 @ 10ma、1V | - | ||||||||||||||||
![]() | 2N5153L | 14.4837 | ![]() | 7494 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 1 W | to-5 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 Ma | 1ma | PNP | 1.5V @ 500MA 、5a | 70 @ 2.5a 、5V | - | ||||||||||||||||||
![]() | 2N3583 | 26.8261 | ![]() | 3256 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | TO-213AA、to-66-2 | 35 W | to-66(to-213aa | - | 影響を受けていない | 2N3583ms | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 v | 10 Ma | 10ma | npn | 40 @ 500MA 、10V | - | ||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N3741U4 | - | ![]() | 5927 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/441 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 25 W | U4 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 1.25ma、1a | 30 @ 250ma、1V | - | |||||||||||||||||
![]() | 90025-04TXV | - | ![]() | 3203 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | TO-213AA、to-66-2 | to-66(to-213aa | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N3439UA/TR | 47.0288 | ![]() | 4921 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 800 MW | - | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-2N3439UA/TR | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 V | 1 a | 2µA | npn | 500MV @ 4MA 、50MA | 40 @ 20MA 、10V | - | ||||||||||||||||
![]() | 2N5955 | 44.9673 | ![]() | 4162 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | TO-213AA、to-66-2 | 40 W | to-66(to-213aa | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 6 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||
jansd2n3498 | 41.5800 | ![]() | 3822 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/366 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | - | 影響を受けていない | 150-Jansd2N3498 | 1 | 100 V | 500 Ma | 10µa(icbo) | npn | 600MV @ 30MA、300MA | 40 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||
2N3507A | 15.7206 | ![]() | 5800 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 1 µA | 1µA | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 30 @ 1.5a 、2V | - | |||||||||||||||||||
jantxv2n3507 | 17.8752 | ![]() | 2188 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/349 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 3 a | - | npn | 1.5V @ 250MA 、2.5a | 30 @ 1.5a 、2V | - | |||||||||||||||||
![]() | Jan2N4930U4 | - | ![]() | 6315 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/397 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 1 W | U4 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 200 ma | PNP | 1.2V @ 3MA 、30ma | 50 @ 30ma 、10V | - | ||||||||||||||||||
Jan2N918 | - | ![]() | 6733 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/301 | バルク | sicで中止されました | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-72-3金属缶 | 200 MW | to-72 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 V | 50 Ma | 1µa(icbo) | npn | 400MV @ 1MA 、10MA | 20 @ 3MA、1V | - | |||||||||||||||||
![]() | 2N3637L | 11.4646 | ![]() | 8783 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 2N3637 | 1 W | to-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 50ma 、10V | - | |||||||||||||||
![]() | Jan2N2920U | 43.0920 | ![]() | 3504 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/355 | バルク | アクティブ | 200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 2N2920 | 350MW | 3-SMD | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30ma | 10µa(icbo) | 2 NPN (デュアル) | 300MV @ 100µA、1MA | 300 @ 1MA 、5V | - | |||||||||||||||
![]() | 2N497 | 18.7397 | ![]() | 1327 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 2N497 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
2N2906AL | 12.9808 | ![]() | 9851 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-206aa | 2N2906 | 500 MW | TO-18(to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 Ma | 50NA | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 40 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||
![]() | jans2n2907aubc | 185.4600 | ![]() | 2708 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/291 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-CLCC | 2N2907 | 500 MW | UBC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 Ma | 50NA | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||
![]() | jantxv2n5302 | 211.5600 | ![]() | 3746 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/456 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 5 W | to-3 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 10 µA | 10µA | npn | 15 @ 15a 、2V | - | ||||||||||||||||||
![]() | 2N6496 | 82.1250 | ![]() | 2985 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 140 w | TO-204AD(to-3) | - | 影響を受けていない | 150-2N6496 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 110 v | 15 a | - | PNP | 1V @ 800µA 、8mA | - | - | |||||||||||||||||
![]() | jantxv2n3810 | 52.7478 | ![]() | 7985 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/336 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-78-6金属缶 | 2N3810 | 350MW | to-78-6 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50ma | 10µa(icbo) | 2 PNP (デュアル) | 250MV @ 100µA、1MA | 150 @ 1MA 、5V | - |
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