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トランジスタ（5714）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
JANTXV2N3791 Microchip Technology jantxv2n3791 72.1104
RFQ
 ECAD 8657 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/379 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-3 2N3791 5 W to-3（to-204aa ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 60 V 10 a 5MA PNP 2.5V @ 2a 、10a 30 @ 3a 、2V -
2N5839 Microchip Technology 2N5839 54.8359
RFQ
 ECAD 7520 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * バルク アクティブ 2N5839 - ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1
JANTX2N3810L Microchip Technology JANTX2N3810L 22.6100
RFQ
 ECAD 8253 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/336 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-78-6金属缶 2N3810 350MW to-78-6 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 60V 50ma 10µa（icbo） 2 PNP （デュアル） 250MV @ 100µA、1MA 150 @ 1MA 、5V -
SG2023J-DESC Microchip Technology SG2023J-DESC -
RFQ
 ECAD 8153 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して 16-CDIP （0.300 "、7.62mm） SG2023 - 16-CDIP ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 25 95V 500mA - 7 npnダーリントン 1.6V @ 500µA、350MA 1000 @ 350MA 、2V -
JANTX2N1716S Microchip Technology JANTX2N1716S -
RFQ
 ECAD 7076 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 to-39 - ROHS非準拠 影響を受けていない 0000.00.0000 1 60 V 750 Ma - npn - - -
JAN2N2945AUB Microchip Technology Jan2N2945Aub 323.6006
RFQ
 ECAD 1164 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/382 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 4-SMD 、リードなし 400 MW ub - 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 20 v 100 Ma 10µa（icbo） PNP - 70 @ 1MA 、500mv -
JANKCB2N3700 Microchip Technology JANKCB2N3700 17.5959
RFQ
 ECAD 6382 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/391 テープ＆リール（ tr） アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-206aa 2N3700 500 MW TO-18（to-206aa ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jankcb2n3700 ear99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10na npn 500MV @ 50MA 、500MA 100 @ 150ma 、10V -
APTC60SKM24T1G Microchip Technology APTC60SKM24T1G 70.8100
RFQ
 ECAD 1127 0.00000000 マイクロチップテクノロジー coolmos™ バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP1 APTC60 モスフェット（金属酸化物） SP1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 95a 10V 24mohm @ 47.5a 、10V 3.9V @ 5MA 300 NC @ 10 V ±20V 14400 PF @ 25 V - 462W
APT5018BFLLG Microchip Technology apt5018bfllg 10.4400
RFQ
 ECAD 8658 0.00000000 マイクロチップテクノロジー PowerMos7® チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 APT5018 モスフェット（金属酸化物） to-247 [b] ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 500 V 27a（tc） 180mohm @ 13.5a 、10V 5V @ 1MA 58 NC @ 10 V 2596 PF @ 25 V -
APT8M100B Microchip Technology APT8M100B 4.5300
RFQ
 ECAD 2488 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 APT8M100 モスフェット（金属酸化物） to-247 [b] ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 1000 V 8a（tc） 10V 1.8OHM @ 4A 、10V 5V @ 1MA 60 NC @ 10 V ±30V 1885 pf @ 25 v - 290W
JANS2N2919U/TR Microchip Technology jans2n2919u/tr 153.2106
RFQ
 ECAD 5645 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/355 テープ＆リール（ tr） アクティブ 200°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、リードなし 6-SMD - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jans2n2919u/tr 1 60 V 30 Ma - npn - - -
APT60M60JFLL Microchip Technology apt60m60jfll 96.6300
RFQ
 ECAD 8383 0.00000000 マイクロチップテクノロジー PowerMos7® チューブ アクティブ -55°C〜150°C シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック APT60M60 モスフェット（金属酸化物） ISOTOP® ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 70a 10V 60mohm @ 35a 、10V 5V @ 5MA 289 NC @ 10 V ±30V 12630 PF @ 25 V - 694W
JANTX2N5795A Microchip Technology JANTX2N5795A 120.3406
RFQ
 ECAD 7856 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/496 バルク アクティブ -65°C〜175°C 穴を通して to-78-6金属缶 2N5795 600MW to-78-6 - ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 60V 600MA 10µa（icbo） 2 PNP （デュアル） 1.6V @ 50ma 、500ma 40 @ 150ma 、10V -
APT40GP90BG Microchip Technology APT40GP90bg 15.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 マイクロチップテクノロジー PowerMos7® チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 APT40GP90 標準 543 w to-247 [b] ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 600V 、40A 、5OHM 、15V pt 900 V 100 a 160 a 3.9V @ 15V 、40a 825µj （オフ） 145 NC 16ns/75ns
APT10M11JVFR Microchip Technology apt10m11jvfr 59.1400
RFQ
 ECAD 6777 0.00000000 マイクロチップテクノロジー PowerMosv® チューブ アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック APT10M11 モスフェット（金属酸化物） ISOTOP® ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 100 V 144a（tc） 11mohm @ 500ma 、10v 4V @ 2.5MA 450 NC @ 10 V 10380 PF @ 25 V -
JANTX2N6284 Microchip Technology JANTX2N6284 50.1400
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/504 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-204aa、to-3 2N6284 175 w to-204aa ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 100 V 20 a 1ma npn-ダーリントン 3V @ 200MA 、20a 1250 @ 10a 、3V -
2N6301 Microchip Technology 2N6301 28.6800
RFQ
 ECAD 6172 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -55°C〜200°C （TJ 穴を通して TO-213AA、to-66-2 - 75 W to-66（to-213aa ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 80 v 8 a 500µA npn-ダーリントン 3V @ 80ma 、8a 750 @ 4a、3V -
LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150N3-G-P003 0.5000
RFQ
 ECAD 5471 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 LND150 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 nチャネル 500 V 30MA （TJ） 0V 1000OHM @ 500µA 、0V - ±20V 10 pf @ 25 V 枯渇モード 740MW
2N5886 Microchip Technology 2N5886 63.9597
RFQ
 ECAD 6994 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * バルク アクティブ 2N5886 - ROHS非準拠 影響を受けていない 2N5886MS ear99 8541.29.0095 1
JAN2N5157 Microchip Technology Jan2N5157 61.1268
RFQ
 ECAD 7696 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/371 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-204aa、to-3 2N5157 5 W to-204aa ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 500 V 3.5 a 250µA npn 2.5V @ 700MA 、3.5a 30 @ 1a 、5V -
2N3442 Microchip Technology 2N3442 37.7587
RFQ
 ECAD 8099 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -55°C〜200°C （TJ 穴を通して to-204aa、to-3 2N3442 6 W TO-204AD（to-3） ダウンロード ROHS非準拠 影響を受けていない 2N3442ms ear99 8541.29.0095 1 140 v 10 a 1ma npn 1V @ 300MA、3a 20 @ 3a 、4V -
2N706 Microchip Technology 2N706 88.9371
RFQ
 ECAD 8529 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * バルク アクティブ 2N706 - ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1
2N5415 Microchip Technology 2N5415 22.1046
RFQ
 ECAD 2138 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205aa、to-5-3 2N5415 750 MW to-5aa ダウンロード ROHS非準拠 影響を受けていない 2N5415ms ear99 8541.21.0095 1 200 v 1 a 1ma PNP 2V @ 5MA 、50mA 30 @ 50ma 、10V -
JANSR2N3634UB/TR Microchip Technology jansr2n3634ub/tr -
RFQ
 ECAD 3740 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/357 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 4-SMD 、リードなし 1 W ub - ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 140 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 5ma 、50ma 50 @ 50ma 、10V -
JAN2N5681 Microchip Technology Jan2N5681 24.0198
RFQ
 ECAD 4210 0.00000000 マイクロチップテクノロジー MIL-PRF-19500/583 バルク アクティブ -65°C〜200°C 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 2N5681 1 W to-39 ダウンロード ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 100 V 1 a 10µA npn 1V @ 50ma 、500ma 40 @ 250ma 、2V -
JANTXV2N2060 Microchip Technology jantxv2n2060 -
RFQ
 ECAD 7561 0.00000000 マイクロチップテクノロジー mil-prf-19500/270 バルク sicで中止されました -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-78-6金属缶 2N2060 600MW to-78-6 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 60V 500mA 10µa（icbo） 2 NPN （デュアル） 300mv @ 5ma 、50ma 50 @ 10ma 、5v -
JAN2N3634UB Microchip Technology jan2n3634ub 13.5527
RFQ
 ECAD 1031 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/357 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、リードなし 2N3634 1 W 3-SMD ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 140 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5ma 、50ma 50 @ 50ma 、10V -
2N2484UA Microchip Technology 2N2484UA 15.2286
RFQ
 ECAD 4530 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 4-SMD 、リードなし 2N2484 360 MW ua ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 60 V 50 Ma 2NA npn 300MV @ 100µA、1MA 225 @ 10MA 、5V -
APT10078SLLG Microchip Technology APT10078SLLG 23.8300
RFQ
 ECAD 6533 0.00000000 マイクロチップテクノロジー PowerMos7® チューブ アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-268-3 APT10078 モスフェット（金属酸化物） d3 [s] ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 1000 V 14a（tc） 10V 780mohm @ 7a、10V 5V @ 1MA 95 NC @ 10 V ±30V 2525 PF @ 25 V - 403W
APT30M70BVRG Microchip Technology APT30M70BVRG 13.7100
RFQ
 ECAD 5565 0.00000000 マイクロチップテクノロジー PowerMosv® チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 APT30M70 モスフェット（金属酸化物） to-247 [b] ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 300 V 48a 10V 70mohm @ 500ma 、10V 4V @ 1MA 225 NC @ 10 V ±30V 5870 PF @ 25 V - 370W （TC）
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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