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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
JANTX2N3583	219.8608	RFQ	5394	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2			35 W		to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														175 v	10 Ma		10ma			npn		40 @ 500MA 、10V	-
APT60M80L2VRG	43.0900	RFQ	5722	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT60M80	モスフェット（金属酸化物）			264 MAX™[L2]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	600 V	65a（tc）	10V	80mohm @ 32.5a 、10V	4V @ 5MA	590 NC @ 10 V	±30V	13300 PF @ 25 V	-	833W （TC）
jantxv2n3810u	43.1585	RFQ	6362	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810		350MW		to-78-6	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														60V	50ma		10µa（icbo）			2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
JANTX2N5152L	14.8295	RFQ	4928	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N5152		1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														80 v	2 a		50µA			npn	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
aptgt75h120tg	173.6100	RFQ	5950	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	aptgt75		357 w	標準	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジインバーター												トレンチフィールドストップ	1200 v	110 a	2.1V @ 15V 、75a	250 µA	はい	5.34 NF @ 25 V
Jan2N3636L	10.5868	RFQ	2429	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3636		1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														175 v	1 a		10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
2N2219AP	19.6500	RFQ	3924	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			800 MW		to-39	-			影響を受けていない	150-2N2219AP	ear99	8541.21.0095	1														50 v	800 Ma		10na			npn	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
Jan2N3442	334.7344	RFQ	2054	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/370	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-204aa、to-3	2N3442		6 W		to-3（to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														140 v	10 a		-			npn	1V @ 300MA、3a	20 @ 3a 、4V	-
jan2n3634l	11.5444	RFQ	2734	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3634		1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														140 v	1 a		10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
Jansr2N2920U	275.9500	RFQ	8530	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/355	トレイ	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N2920		350MW		6-SMD	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														60V	30ma		10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	300MV @ 100µA、1MA	300 @ 1MA 、5V	-
MSCSM120HM16TBL3NG	-	RFQ	1024	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120	炭化シリコン（原文）	560W		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120HM16TBL3NG	ear99	8541.29.0095	1	6 nチャネル（位相レッグ）		1200V（1.2kv）	150a		16mohm @ 80a 、20V	2.8V @ 6MA	464NC @ 20V		6040pf @ 1000V	-
jantxv2n2605ub	-	RFQ	8966	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/354	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2605		400 MW		ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														60 V	30 Ma		10na			PNP	300MV @ 500µA 、10mA	150 @ 500µa 、5V	-
2N336AT2	65.1035	RFQ	6404	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N336					-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
APTM10HM05FG	353.8900	RFQ	5199	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM10	モスフェット（金属酸化物）	780w		SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）		100V	278a		5mohm @ 125a 、10V	4V @ 5MA	700NC @ 10V		20000pf @ 25V	-
2N4931	9.5494	RFQ	2491	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N4931		1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														250 v	200 ma		250na（icbo）			PNP	1.2V @ 3MA 、30ma	50 @ 30ma 、10V	-
jansr2N3634	-	RFQ	5006	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W		to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50														140 v	10 µA		10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
JANTXV2N5666S	17.7688	RFQ	7631	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/455	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N5666		1.2 w		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														200 v	5 a		200na			npn	1V @ 1a 、5a	40 @ 1a 、5V	-
TN2504N8-G	1.3800	RFQ	31	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-243AA	TN2504	モスフェット（金属酸化物）			TO-243AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		nチャネル	40 v	890ma	5V、10V	1OHM @ 1.5A 、10V	1.6V @ 1MA		±20V	125 pf @ 20 v	-	1.6W
jantxv2n2905al	-	RFQ	1404	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/290	バルク	sicで中止されました	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			800 MW		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 Ma		1µA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jan2n5152l	12.3158	RFQ	6201	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N5152		1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														80 v	2 a		50µA			npn	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
jankcbp2n2222a	-	RFQ	6658	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa			500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jankcbp2n2222a			100														50 v	800 Ma		50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N6052	48.1194	RFQ	5573	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N6052					-	ROHS非準拠		影響を受けていない	2N6052ms	ear99	8541.29.0095	1
2N3741	14.7600	RFQ	5782	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2	2N3741		25 W		to-66（to-213aa	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														80 v	4 a		10µA			PNP	600mv @ 125ma、1a	40 @ 100MA、1V	-
JANTX2N6308T1	-	RFQ	9747	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	200°C （TJ）	穴を通して	TO-254-3					TO-254	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1														350 V	8 a		-			npn	-	-	-
2C3716-MSCL	45.3300	RFQ	1808	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-2C3716-MSCL			1
jansd2n3635ub/tr	147.3102	RFQ	3404	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし			1.5 w		ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														140 v	10 µA		10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 10ma 、10V	-
2N5326	287.8650	RFQ	9828	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-11-4 、スタッド			30 W		TO-111	-			影響を受けていない	150-2N5326	ear99	8541.29.0095	1														80 v	5 a		-			npn	1V @ 500µA、1MA	-	-
JAN2N333LT2	-	RFQ	7082	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	175°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3					to-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1														45 v	10 Ma		-			npn	-	-	-
aptgl60h120t3g	105.2900	RFQ	6704	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP3	aptgl60		280 W	標準	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジ												トレンチフィールドストップ	1200 v	80 a	2.25V @ 15V 、50a	250 µA	はい	2.77 NF @ 25 V
APT1003RKLLG	-	RFQ	3431	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）			TO-220 [k]	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル	1000 V	4a（tc）	10V	3OHM @ 2A 、10V	5V @ 1MA	34 NC @ 10 V	±30V	694 PF @ 25 V	-	139W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²