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トランジスタ（4003）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
BC69PA,115 NXP USA Inc. bc69pa 、115 0.0700
RFQ
 ECAD 1004 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-powerudfn 420 MW 3-HUSON （2x2） ダウンロード ear99 8541.29.0075 2,050 20 v 2 a 100na（icbo） PNP 600mv @ 200ma 、2a 85 @ 500MA、1V 140MHz
AFV121KHR5 NXP USA Inc. AFV121KHR5 749.9594
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 112 v シャーシマウント SOT-979A AFV121 960MHz〜1.22GHz ldmos NI-1230-4H ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 935323779178 ear99 8541.29.0075 50 デュアル - 100 Ma 1000W 19.6db - 50 v
PBSS4160QA147 NXP USA Inc. PBSS4160QA147 0.0600
RFQ
 ECAD 290 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 5,000
ON5262,127 NXP USA Inc. on5262,127 -
RFQ
 ECAD 8289 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 on5262 - - TO-220AB - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934058089127 ear99 8541.29.0095 50 - - - - -
BUK9523-75A,127 NXP USA Inc. BUK9523-75A 、127 -
RFQ
 ECAD 5434 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk95 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 75 v 53a（tc） 4.5V 、10V 22mohm @ 25a 、10V 2V @ 1MA ±10V 3120 PF @ 25 V - 138W
AFT09MP055NR1 NXP USA Inc. AFT09MP055NR1 21.9432
RFQ
 ECAD 8536 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 40 v 表面マウント TO-270AB AFT09 870MHz ldmos TO-270 WB-4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 935315139528 ear99 8541.29.0075 500 - 550 Ma 1W 15.7dB - 12.5 v
MRF8S21200HR5 NXP USA Inc. MRF8S21200HR5 -
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント NI-1230 MRF8 2.14GHz ldmos NI-1230 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 デュアル - 1.4 a 48W 18.1db - 28 v
BCP54-16,115 NXP USA Inc. BCP54-16,115 -
RFQ
 ECAD 6572 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BCP54 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1,000
PVR100AZ-B2V5,115 NXP USA Inc. PVR100AZ-B2V5,115 -
RFQ
 ECAD 9921 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-261-4、TO-261AA PVR10 550 MW SC-73 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1,000 45 v 100 Ma 100na（icbo） npn + zener - 160 @ 100MA、1V -
PUMD4,115 NXP USA Inc. PUMD4,115 -
RFQ
 ECAD 9732 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PUMD4 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
MRF7S19210HR5 NXP USA Inc. MRF7S19210HR5 -
RFQ
 ECAD 4495 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント SOT-957A MRF7 1.99GHz ldmos NI-780H-2L ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 - 1.4 a 63W 20db - 28 v
PMV25ENEA215 NXP USA Inc. PMV25ENEA215 1.0000
RFQ
 ECAD 5527 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,000
PMF280UN,115 NXP USA Inc. PMF280UN 、115 -
RFQ
 ECAD 6644 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 PMF28 モスフェット（金属酸化物） SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 1.02a 1.8V 、4.5V 340mohm @ 200ma 、4.5V 1V @ 250µA 0.89 NC @ 4.5 V ±8V 45 pf @ 20 v - 560MW
PBHV8115X,115 NXP USA Inc. PBHV8115X 、115 0.1400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1.5 w SOT-89 ダウンロード ear99 8541.29.0075 2,197 150 v 1 a 100NA npn 50MV @ 20MA 、100mA 100 @ 50ma 、10V 30MHz
PDTD113EUF NXP USA Inc. PDTD113EUF -
RFQ
 ECAD 8362 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 PDTD113 300 MW SOT-323 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 50 v 500 Ma 500na npn-バイアス化 100MV @ 2.5MA 、50mA 33 @ 50ma 、5V 225 MHz 1 KOHMS 1 KOHMS
BC69-25PAS115 NXP USA Inc. BC69-25PAS115 1.0000
RFQ
 ECAD 9379 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 3,000
BUK752R7-30B,127 NXP USA Inc. BUK752R7-30B 、127 -
RFQ
 ECAD 2919 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk75 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 30 V 75a（tc） 10V 2.7mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 91 NC @ 10 V ±20V 6212 PF @ 25 V - 300W （TC）
PDTC123JS,126 NXP USA Inc. PDTC123JS、126 -
RFQ
 ECAD 8061 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆ボックス（ TB） 廃止 穴を通して to-226-3 PDTC123 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 100MV @ 250µA、5MA 100 @ 10ma 、5v 2.2 KOHMS 47 Kohms
J5C145MU0/T0BC7DUP NXP USA Inc. J5C145MU0/T0BC7DUP -
RFQ
 ECAD 7483 0.00000000 NXP USA Inc. * テープ＆リール（ tr） 廃止 J5C145 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 2,500
PSMN011-30YL,115 NXP USA Inc. psmn011-30yl 、115 -
RFQ
 ECAD 1492 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 psmn0 モスフェット（金属酸化物） LFPAK56 、POWER-SO8 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 30 V 51a（tj） 4.5V 、10V 10.7mohm @ 15a 、10V 2.15V @ 1MA 14.8 NC @ 10 V ±20V 726 PF @ 15 V - 49W （TC）
PHE13003A,412 NXP USA Inc. PHE13003A 、412 -
RFQ
 ECAD 7567 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2.1 w to-92-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 950 400 V 1 a 1ma npn 1.5V @ 250ma 、750ma 10 @ 400MA 、5V -
MRF6S23140HR3 NXP USA Inc. MRF6S23140HR3 -
RFQ
 ECAD 6122 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 68 v シャーシマウント SOT-957A MRF6 2.39GHz ldmos NI-880H-2L ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 250 - 1.3 a 28W 15.2db - 28 v
PSMN004-60P,127 NXP USA Inc. PSMN004-60P、127 -
RFQ
 ECAD 7318 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 psmn0 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 75a（tc） 3.6mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 168 NC @ 10 V 8300 PF @ 25 V - -
MRF8P20161HSR3 NXP USA Inc. MRF8P20161HSR3 -
RFQ
 ECAD 8983 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v 表面マウント NI-780S-4L MRF8 1.92GHz ldmos NI-780S-4L ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 935317234128 ear99 8541.29.0075 250 デュアル - 550 Ma 37W 16.4db - 28 v
MW7IC2020NT1 NXP USA Inc. MW7IC2020NT1 30.7569
RFQ
 ECAD 3693 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 65 v 表面マウント 24-POWERQFN MW7IC2020 2.14GHz ldmos 24-PQFN （8x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 5A991G 8542.33.0001 1,000 - 40 Ma 2.4W 32.6dB - 28 v
PIMH9,115 NXP USA Inc. PIMH9,115 1.0000
RFQ
 ECAD 4063 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 PIMH9 600MW 6-tsop ダウンロード 0000.00.0000 1 50V 100mA 1µA 2 npn- バイアス（デュアル） 100MV @ 250µA、5MA 100 @ 5MA 、5V - 10kohms 47kohms
2PC4081R,115 NXP USA Inc. 2PC4081R 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ 2PC40 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
BC52-10PAS115 NXP USA Inc. BC52-10PAS115 -
RFQ
 ECAD 6430 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 3,000
PBLS4004D,115 NXP USA Inc. PBLS4004D 、115 -
RFQ
 ECAD 7074 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 PBLS4004 600MW 6-tsop ダウンロード ear99 8541.21.0075 3,372 50V 、40V 100MA 、700mA 1µA 、100NA 1 NPN 事前にバイアス、 1 PNP 150mv @ 500µa、10ma / 310mv @ 100ma、1a 60 @ 5MA 、5V / 300 @ 100MA 、5V 150MHz 22kohms 22kohms
PBSS5620PA,115 NXP USA Inc. PBSS5620PA 、115 -
RFQ
 ECAD 7805 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBSS5 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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