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トランジスタ（4003）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
PDTC114TU,115 NXP USA Inc. PDTC114TU 、115 -
RFQ
 ECAD 5592 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTC11 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
BUK655R0-75C,127 NXP USA Inc. BUK655R0-75C 、127 -
RFQ
 ECAD 9580 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk65 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 75 v 120a（tc） 4.5V 、10V 5.3mohm @ 25a 、10V 2.8V @ 1MA 177 NC @ 10 V ±16V 11400 PF @ 25 V - 263W
MRF6S21050LSR5 NXP USA Inc. MRF6S21050LSR5 -
RFQ
 ECAD 4173 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 68 v シャーシマウント NI-400S MRF6 2.16GHz ldmos NI-400S ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 - 450 Ma 11.5W 16dB - 28 v
PBSS4041SP,115 NXP USA Inc. PBSS4041SP、115 -
RFQ
 ECAD 1875年 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBSS4 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1,000
BUK9624-55A118 NXP USA Inc. BUK9624-55A118 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.29.0095 515
MRF7S21110HSR5 NXP USA Inc. MRF7S21110HSR5 -
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント NI-780S MRF7 2.17GHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 - 1.1 a 33W 17.3db - 28 v
BUK7516-55A,127 NXP USA Inc. BUK7516-55A、127 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 55 v 65.7a 10V 16mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA ±20V 2245 PF @ 25 V - 138W
IRFZ24N,127 NXP USA Inc. IRFZ24N、127 -
RFQ
 ECAD 5929 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 IRFZ2 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 55 v 17a（tc） 10V 70mohm @ 10a 、10V 4V @ 1MA 19 NC @ 10 V ±20V 500 PF @ 25 V - 45W
PUMB16,115 NXP USA Inc. PUMB16,115 0.0200
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 PUMB16 300MW SOT-363 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1 50V 100mA 1µA 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 150mv @ 500µa 、10ma 80 @ 5MA 、5V - 22kohms 47kohms
BFU550XR235 NXP USA Inc. BFU550XR235 -
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 ECAD 9783 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 10,000
BUK7Y08-40B/C,115 NXP USA Inc. buk7y08-40b/c、115 -
RFQ
 ECAD 4690 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 buk7y08 モスフェット（金属酸化物） LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934064767115 ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 40 v 75a（tc） 10V 8mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 36.3 NC @ 10 V ±20V 2040 PF @ 25 V - 105W
BLF7G24LS-160P,112 NXP USA Inc. BLF7G24LS-160P 、112 113.5700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ アクティブ 65 v SOT539B BLF7G24 2.3GHz〜2.4GHz ldmos SOT539B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 1 デュアル、共通のソース - 1.2 a 30W 18.5dB - 28 v
MRF6VP3450HSR5-NXP NXP USA Inc. MRF6VP3450HSR5-NXP 225.1400
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 110 v シャーシマウント NI-1230-4S 470MHz〜860MHz ldmos NI-1230-4S ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 デュアル 10µA 1.4 a 450W 22.5dB - 50 v
BF904R,235 NXP USA Inc. BF904R 、235 -
RFQ
 ECAD 4441 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 7 v 表面マウント SOT-143R BF904 200MHz モスフェット SOT-143R ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934020440235 ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネルデュアルゲート 30ma 10 Ma - - 1db 5 v
PDTD123TK,115 NXP USA Inc. PDTD123TK 、115 -
RFQ
 ECAD 4066 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-236-3 PDTD123 250 MW SMT3; mpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 500 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 2.5MA 、50mA 100 @ 50ma 、5v 2.2 KOHMS
MRF6VP121KHR6 NXP USA Inc. MRF6VP121KHR6 -
RFQ
 ECAD 5288 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 110 v シャーシマウント NI-1230 MRF6 1.03GHz ldmos NI-1230 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 150 デュアル - 150 Ma 1000W 20db - 50 v
BCX71H,215 NXP USA Inc. BCX71H 、215 0.0200
RFQ
 ECAD 131 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BCX71 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
BUK7528-100A,127 NXP USA Inc. BUK7528-100A、127 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. * チューブ アクティブ buk75 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
BST15,115 NXP USA Inc. BST15,115 -
RFQ
 ECAD 5330 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA BST1 1.3 w SOT-89-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 200 v 200 ma 100na（icbo） PNP 750mv @ 5ma 、50ma 30 @ 50ma 、10V 15MHz
BUK9Y153-100E,115 NXP USA Inc. buk9y153-100e、115 1.0000
RFQ
 ECAD 2230 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 モスフェット（金属酸化物） LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 100 V 9.4a（tc） 5V 146mohm @ 2a 、10V 2.1V @ 1MA 6.8 NC @ 5 V ±10V 716 PF @ 25 V - 37W （TC）
MRF8P20165WHSR5 NXP USA Inc. MRF8P20165WHSR5 -
RFQ
 ECAD 9718 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 65 v 表面マウント NI-780S-4L MRF8 1.98GHz〜2.01GHz ldmos NI-780S-4L ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 デュアル - 550 Ma 37W 14.8db - 28 v
MRF8HP21080HR3 NXP USA Inc. MRF8HP21080HR3 -
RFQ
 ECAD 1925年年 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント NI-780-4 MRF8 2.17GHz ldmos NI-780-4 - ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 935310794128 ear99 8541.29.0075 250 デュアル - 150 Ma 16W 14.4db - 28 v
PMGD8000LN,115 NXP USA Inc. PMGD8000LN 、115 -
RFQ
 ECAD 1879 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 PMGD8 モスフェット（金属酸化物） 200mw 6-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 125ma 8OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA 0.35NC @ 4.5V 18.5pf @ 5V ロジックレベルゲート
BLF888AS,112 NXP USA Inc. BLF888AS 、112 224.6300
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 NXP USA Inc. * チューブ アクティブ BLF88 - ROHS3準拠 影響を受けていない 60
BUK7Y25-80E/CX NXP USA Inc. buk7y25-80e/cx -
RFQ
 ECAD 9726 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 buk7 モスフェット（金属酸化物） LFPAK56 、POWER-SO8 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 80 v 39a 10V 25mohm @ 10a 、10V 4V @ 1MA 25.9 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 25 v - 95W
MRFG35005ANT1 NXP USA Inc. MRFG35005ANT1 -
RFQ
 ECAD 1116 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 15 V 表面マウント PLD-1.5 MRFG35 3.55GHz フェットフェット PLD-1.5 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 935313745515 ear99 8541.29.0075 1,000 - 80 Ma 4.5W 11db - 12 v
BFG310/XR,215 NXP USA Inc. BFG310/XR 215 -
RFQ
 ECAD 5560 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント SOT-143R BFG31 60MW SOT-143R ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 18db 6V 10ma npn 60 @ 5MA、3V 14GHz 1DB @ 2GHz
PBRP123YS,126 NXP USA Inc. PBRP123ys、126 -
RFQ
 ECAD 2509 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆ボックス（ TB） 廃止 穴を通して to-226-3 PBRP123 500 MW to-92-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 50 v 800 Ma - pnp-前バイアス - - 2.2 KOHMS 10 Kohms
BF1105WR,115 NXP USA Inc. BF1105WR 、115 -
RFQ
 ECAD 1823年 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 7 v 表面マウント SC-82A 、SOT-343 BF110 800MHz モスフェット CMPAK-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネルデュアルゲート 30ma - 20db 1.7db 5 v
ON5250,135 NXP USA Inc. on5250,135 -
RFQ
 ECAD 7168 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-261-4、TO-261AA on52 - - SC-73 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934057275135 ear99 8541.29.0095 4,000 - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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