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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価( amp) 現在 -テスト 電力 -出力 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) ノイズ図 電圧 -テスト
BLF7G20LS-90P,112 NXP USA Inc. blf7g20ls-90p、112 64.1700
RFQ
ECAD 100 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ アクティブ 65 v 表面マウント SOT-1121B 2.11GHz〜2.17GHz ldmos LDのほとんど ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 6 デュアル、共通のソース 2µA 550 Ma 90W 19.5dB - 28 v
BUK6E3R4-40C,127 NXP USA Inc. buk6e3r4-40c、127 0.5500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. * チューブ アクティブ buk6 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
PSMN5R0-100ES NXP USA Inc. PSMN5R0-100ES -
RFQ
ECAD 5915 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PSMN5R0 - ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 -
MRF8S18120HSR3,128 NXP USA Inc. MRF8S18120HSR3,128 -
RFQ
ECAD 2731 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ MRF8S18120 - ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー 1 -
BUK9E1R9-40E NXP USA Inc. buk9e1r9-40e 1.0000
RFQ
ECAD 1158 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ - 適用できない 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1
BLF8G10LS-270V,112 NXP USA Inc. blf8g10ls-270v、112 79.6700
RFQ
ECAD 13 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ アクティブ 65 v SOT-1244B blf8 871.5MHz〜891.5MHz ldmos CDFM6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 5 - 2 a 67W 19.5dB - 28 v
PSMN070-200P,127-NXP NXP USA Inc. PSMN070-200P、127-NXP -
RFQ
ECAD 8242 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1,000 nチャネル 200 v 35a(tc) 10V 70mohm @ 17a 、10V 4V @ 1MA 77 NC @ 10 V ±20V 4570 PF @ 25 V - 250W
BUK7E5R2-100E,127-NXP NXP USA Inc. buk7e5r2-100e、127-nxp 1.0000
RFQ
ECAD 7907 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット(金属酸化物) i2pak - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 100 V 120a(tc) 10V 5.2mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 180 NC @ 10 V ±20V 11810 PF @ 25 V - 349W
BUK9520-100A,127 NXP USA Inc. BUK9520-100A、127 0.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * チューブ アクティブ buk95 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
BUK7909-75AIE,127 NXP USA Inc. buk7909-75aie 、127 0.9200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * チューブ アクティブ buk79 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
BUK7575-100A,127 NXP USA Inc. BUK7575-100A、127 0.3300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 100 V 23a(ta) 75mohm @ 13a 、10V 4V @ 1MA ±20V 1210 pf @ 25 v - 99W
BUK9506-40B,127 NXP USA Inc. BUK9506-40B 、127 0.5200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. * チューブ アクティブ buk95 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
PBSS4032SP,115 NXP USA Inc. PBSS4032SP、115 -
RFQ
ECAD 7442 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBSS4 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1,000
BUK7535-55A,127 NXP USA Inc. BUK7535-55A、127 0.2600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 55 v 35a(tc) 10V 35mohm @ 20a 、10V 4V @ 1MA ±20V 872 PF @ 25 V - 85W
BUK9509-40B,127 NXP USA Inc. BUK9509-40B 、127 0.4400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. * チューブ アクティブ buk95 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
PMZB370UNE,315 NXP USA Inc. PMZB370UNE 、315 -
RFQ
ECAD 3565 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 3-xfdfn モスフェット(金属酸化物) DFN1006B-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 10,000 nチャネル 30 V 900ma(ta) 1.8V 、4.5V 490mohm @ 500MA 、4.5V 1.05V @ 250µA 1.16 NC @ 15 V ±8V 78 PF @ 25 V - 360MW
BLA6G1011L-200RG112 NXP USA Inc. BLA6G1011L-200RG112 592.9400
RFQ
ECAD 40 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1
BLF6G10LS-135RN112 NXP USA Inc. BLF6G10LS-135RN112 76.1800
RFQ
ECAD 92 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 4
PSMN4R3-100ES,127 NXP USA Inc. PSMN4R3-100ES、127 -
RFQ
ECAD 2460 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット(金属酸化物) i2pak - 適用できない 1 (無制限) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 100 V 120a(tc) 4.5V 、10V 4.3mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 170 NC @ 10 V ±20V 9900 PF @ 50 V - 338W(TC)
PH2625L,115 NXP USA Inc. PH2625L 、115 0.3000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PH26 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500
PHK12NQ03LT,518 NXP USA Inc. PHK12NQ03LT 、518 -
RFQ
ECAD 3662 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PHK12 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500
BUK754R0-55B,127 NXP USA Inc. BUK754R0-55B 、127 0.7700
RFQ
ECAD 959 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 55 v 75a(tc) 10V 4mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 86 NC @ 10 V ±20V 6776 PF @ 25 V - 300W (TC)
BUK7230-55A NXP USA Inc. BUK7230-55A -
RFQ
ECAD 5164 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ buk7230 - ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 -
BLF184XR112 NXP USA Inc. BLF184XR112 564.5800
RFQ
ECAD 80 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1
BLF7G27LS-140,112 NXP USA Inc. BLF7G27LS-140,112 102.3500
RFQ
ECAD 18 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ アクティブ 65 v SOT-502B BLF7G27 2.5GHz〜2.7GHz ldmos SOT502B ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 4 28a 1.3 a 30W 16.5dB - 28 v
BLF574XRS112 NXP USA Inc. BLF574XRS112 192.3000
RFQ
ECAD 47 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1
PSMN4R3-80ES,127 NXP USA Inc. PSMN4R3-80ES、127 1.1900
RFQ
ECAD 540 0.00000000 NXP USA Inc. * チューブ アクティブ PSMN4 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1,000
BUK7108-40AIE,118 NXP USA Inc. BUK7108-40AIE 、118 0.8100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-5 モスフェット(金属酸化物) SOT-426 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 40 v 75a(tc) 10V 8mohm @ 50a 、10V 4V @ 1MA 84 NC @ 10 V ±20V 3140 PF @ 25 V 現在のセンシング 221W
BLF7G27LS-90P,112 NXP USA Inc. BLF7G27LS-90P 、112 70.2800
RFQ
ECAD 16 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ アクティブ 65 v SOT-1121B BLF7G27 2.5GHz〜2.7GHz ldmos LDのほとんど ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 1 デュアル、共通のソース 18a 720 Ma 16W 18.5dB - 28 v
PMN70XPE,115 NXP USA Inc. PMN70XPE 、115 0.0600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-74、SOT-457 モスフェット(金属酸化物) 6-tsop ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 pチャネル 20 v 3.2a(ta) 2.5V 、4.5V 85mohm @ 2a 、4.5V 1.25V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 v ±12V 602 PF @ 10 V - 500MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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