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トランジスタ（4003）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
buk6607-75c、118	-	RFQ	9969	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1	nチャネル	75 v	100a（tc）	10V	7mohm @ 25a 、10V	2.8V @ 1MA	123 NC @ 10 V	±16V	7600 PF @ 25 V	-	204W
buk762r6-60e 、118	-	RFQ	6607	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード					0000.00.0000	1	nチャネル	60 V	120a（tc）	10V	2.6mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	140 NC @ 10 V	±20V	10170 PF @ 25 V	-	324W
BUK7608-40B 、118	0.7600	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ				Buk76				-	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	800
BC52-16PA 、115	-	RFQ	9453	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	3-powerudfn			420 MW	3-HUSON （2x2）	ダウンロード				ear99	8541.29.0075	1												60 V	1 a	100na（icbo）	PNP	500MV @ 50MA 、500MA	63 @ 150MA 、2V	145MHz
buk9e04-40a 、127	-	RFQ	7608	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		モスフェット（金属酸化物）		i2pak	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	84	nチャネル	40 v	75a（tc）	4.3V 、10V	4mohm @ 25a 、10V	2V @ 1MA	128 NC @ 5 V	±15V	8260 PF @ 25 V	-	300W （TC）
buk7y20-30b115	1.0000	RFQ	7818	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ								ダウンロード					0000.00.0000	1
buk7y65-100ex	-	RFQ	6099	NXP USA Inc.	trenchmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	SC-100 、SOT-669	buk7y65	モスフェット（金属酸化物）		LFPAK56 、POWER-SO8	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1	nチャネル	100 V	19a（tc）	10V	65mohm @ 5a 、10V	4V @ 1MA	17.8 NC @ 10 V	±20V	1023 PF @ 25 V	-	64W
BUK7606-55B 、118	-	RFQ	1447	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1	nチャネル	55 v	75a（tc）	10V	6mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	64 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	254W
MRF24301HR5178	1.0000	RFQ	9953	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ								ダウンロード					0000.00.0000	1
BCX51-10115	1.0000	RFQ	3209	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ								ダウンロード					0000.00.0000	1
psmn1r2-30ylc 、115	-	RFQ	4700	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ				PSMN1				ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1,500
buk7y7r2-60ex	-	RFQ	2919	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	SC-100 、SOT-669		モスフェット（金属酸化物）		LFPAK56 、POWER-SO8	ダウンロード					0000.00.0000	1	nチャネル	60 V	-	10V	-	-		±20V		-	167W （TC）
BUK7575-100A、127	0.3300	RFQ	10	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1	nチャネル	100 V	23a（ta）		75mohm @ 13a 、10V	4V @ 1MA		±20V	1210 pf @ 25 v	-	99W
BUK9506-40B 、127	0.5200	RFQ	6	NXP USA Inc.	*	チューブ	アクティブ				buk95				-	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1,000
BUK754R0-55B 、127	0.7700	RFQ	959	NXP USA Inc.	trenchmos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1	nチャネル	55 v	75a（tc）	10V	4mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	86 NC @ 10 V	±20V	6776 PF @ 25 V	-	300W （TC）
MRF8S18120HSR3,128	-	RFQ	2731	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ				MRF8S18120	-			ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー			1										-
php45nq11t 、127	0.4100	RFQ	11	NXP USA Inc.	*	チューブ	アクティブ				php45				ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1,000
BUK7508-55A、127	-	RFQ	6763	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1	nチャネル	55 v	75a（ta）		8mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	76 NC @ 0 V	±20V	4352 PF @ 25 V	-	254W
buk7909-75aie 、127	0.9200	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	チューブ	アクティブ				buk79				ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1,000
buk7c10-75aite、118	-	RFQ	6965	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ				buk7				-	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	800
BLF184XR112	564.5800	RFQ	80	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ								ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0075	1
buk6e2r3-40c、127	-	RFQ	7460	NXP USA Inc.	*	チューブ	アクティブ				buk6				-	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1,000
buk6218-40c	-	RFQ	6178	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）		dpak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	0000.00.0000	1	nチャネル	40 v	42a	10V	16mohm @ 10a 、10v	2.8V @ 1MA	22 NC @ 10 V		1170 PF @ 25 V		60W （TC）
buk6e3r4-40c、127	0.5500	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	チューブ	アクティブ				buk6				-	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1,000
PH3120L 、115-NXP	-	RFQ	3809	NXP USA Inc.	trenchmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-100 、SOT-669		モスフェット（金属酸化物）		LFPAK56 、POWER-SO8	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	0000.00.0000	1,500	nチャネル	20 v	100a（tc）	4.5V 、10V	2.65mohm @ 25a 、10V	2V @ 1MA	48.5 NC @ 4.5 v	±20V	4457 PF @ 10 V	-	62.5W
PSMN070-200P、127-NXP	-	RFQ	8242	NXP USA Inc.	trenchmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	0000.00.0000	1,000	nチャネル	200 v	35a（tc）	10V	70mohm @ 17a 、10V	4V @ 1MA	77 NC @ 10 V	±20V	4570 PF @ 25 V	-	250W
A2T26H165-24SR3128	127.1600	RFQ	497	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ								ダウンロード				ear99	8541.29.0075	1
buk6228-55c、118	0.2400	RFQ	2	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）		dpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	0000.00.0000	1,268	nチャネル	55 v	31a（tc）	10V	29mohm @ 10a 、10V	2.8V @ 1MA	20.2 NC @ 10 V	±16V	1340 PF @ 25 V	-	60W （TC）
PBHV8515QA147	0.1000	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ								ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.21.0095	5,000
BUK9510-100B 、127	0.7700	RFQ	10	NXP USA Inc.	*	チューブ	アクティブ				buk95				ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1,000

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²