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トランジスタ（4003）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価（ amp） | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | ノイズ図 | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース（r1） | 抵抗 -エミッターベース（r2） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC807-40,235 | - |  | 2638 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | 500 Ma | 100na（icbo） | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA、1V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PBLS2021D 、115 | - | | 5929 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PBLS20 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PhD13005,127 | 0.1900 | | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PhD13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMST5089,115 | 0.0200 | | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMST5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS305NZ 、135 | - | | 4669 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PBSS3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBS3906,235 | 0.0200 | | 38 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 v | 100 Ma | 50na（icbo） | PNP | 400mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma、1V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | psmn3r5-80ps | - | | 4544 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK765R3-40E 、118 | - | | 3258 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 40 v | 75a（tc） | 10V | 4.9mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 35.5 NC @ 10 V | ±20V | 2772 PF @ 25 V | - | 137W | ||||||||||||||||||||||||
 | 2PD601ARL 、215 | 0.0200 | | 741 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 2PD60 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| buj403a/dg、127 | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 穴を通して | TO-220-3 | 100 W | TO-220AB | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 760 | 550 V | 6 a | 100µA | npn | 1V @ 400MA 、2a | 20 @ 500MA 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BCM856DS 、115 | 0.0700 | | 9281 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BCM85 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCX56-16115 | 1.0000 | | 7300 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | TO-243AA | 500 MW | SOT-89 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 80 v | 1 a | 100na（icbo） | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 100 @ 150ma 、2V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||
| BC846BW 、115 | - | | 1435 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BC84 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CLF1G0035-100PU | 263.3300 | | 25 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150 v | シャーシマウント | SOT-1228A | 3GHz | ガン・ヘムト | LDのほとんど | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 100 Ma | 100W | 14db | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PH5830DL 、115 | 0.2200 | | 106 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK762R6-40E118 | - | | 3400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMST6429,115 | 0.0200 | | 941 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 Ma | 10na （icbo） | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 500 @ 100µA 、5V | 700MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| BLF8G09LS-400PGWQ | 80.1400 | | 29 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 65 v | シャーシマウント | SOT-1242C | 718.5MHz〜725.5MHz | ldmos | CDFM8 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 4 | デュアル、共通のソース | - | 3.4 a | 95W | 20.6dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||
 | BC53-16PA 、115 | - | | 8453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | 3-powerudfn | BC53 | 420 MW | 3-HUSON （2x2） | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 80 v | 1 a | 100na（icbo） | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 63 @ 150MA 、2V | 145MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| PBRP123ET 、215 | - | | 3083 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PBRP12 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| buk969r3-100e、118 | 1.1100 | | 8475 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 100 V | 100a（tc） | 5V、10V | 8.9mohm @ 25a 、10V | 2.1V @ 1MA | 94.3 NC @ 5 V | ±10V | 11650 PF @ 25 V | - | 263W | ||||||||||||||||||||||||
| PMBS3906,215 | - | | 2870 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMBS3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBT2907A 、215 | - | | 2881 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMBT2907 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHB18NQ10T 、118 | 0.4500 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 727 | nチャネル | 100 V | 18a（tc） | 10V | 90mohm @ 9a、10V | 4V @ 1MA | 21 NC @ 10 V | ±20V | 633 PF @ 25 V | - | 79W | ||||||||||||||||||||||||
 | pemb4,115 | 0.0400 | | 56 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | pemb4 | 300MW | SOT-666 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 2 pnp- バイアス（デュアル） | 150mv @ 500µa 、10ma | 200 @ 1MA 、5V | - | 10kohms | - | ||||||||||||||||||||||||||
| PSMN030-150P 、127 | - | | 5355 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | psmn0 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN057-200B 、118 | - | | 3831 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | psmn0 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| psmn1r5-30yl 、115 | - | | 3777 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PSMN1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC847CQAZ | 0.0300 | | 84 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | 3-XDFN露出パッド | 280 MW | DFN1010D-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 9,947 | 45 v | 100 Ma | 15NA | npn | 400MV @ 5MA 、100mA | 420 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | buk9y12-55b 、115 | - | | 8017 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | SC-100 、SOT-669 | モスフェット（金属酸化物） | LFPAK56 、POWER-SO8 | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | nチャネル | 55 v | 61.8a | 5V、10V | 11mohm @ 20a 、10V | 2.15V @ 1MA | 32 NC @ 5 V | ±15V | 2880 PF @ 25 V | - | 106W |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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