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トランジスタ（4003）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価（ amp） | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | ノイズ図 | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース（r1） | 抵抗 -エミッターベース（r2） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PH5830DL 、115 | 0.2200 |  | 106 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK762R6-40E118 | - | | 3400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMST6429,115 | 0.0200 | | 941 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 Ma | 10na （icbo） | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 500 @ 100µA 、5V | 700MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| BLF8G09LS-400PGWQ | 80.1400 | | 29 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 65 v | シャーシマウント | SOT-1242C | 718.5MHz〜725.5MHz | ldmos | CDFM8 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 4 | デュアル、共通のソース | - | 3.4 a | 95W | 20.6dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||
 | PMBS3906,215 | - | | 2870 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMBS3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBT2907A 、215 | - | | 2881 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMBT2907 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCX56,135 | 0.0700 | | 162 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | TO-243AA | 1.25 w | SOT-89 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 80 v | 1 a | 100na（icbo） | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 63 @ 150MA 、2V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | buk9875-100a/cux | - | | 9397 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCV62A 、215 | - | | 5646 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BCV62 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSH111,215 | 0.0600 | | 357 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BSH1 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC123ET 、215 | 0.0200 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | PDTC123 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 15,000 | 50 v | 100 Ma | 1µA | npn-バイアス化 | 150mv @ 500µa 、10ma | 30 @ 20MA 、5V | 2.2 KOHMS | 2.2 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||
| PBRP123ET 、215 | - | | 3083 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PBRP12 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA1444、315 | 0.0300 | | 200 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | PDTA144 | 250 MW | DFN1006B-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 Ma | 1µA | pnp-前バイアス | 150mv @ 500µa 、10ma | 80 @ 5MA 、5V | 180 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4032nd 、115 | 0.1500 | | 31 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PBSS4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC846DS | 1.0000 | | 5637 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | pemb1,115 | 0.0400 | | 62 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | pemb1 | 300MW | SOT-666 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 2 pnp- バイアス（デュアル） | 150mv @ 500µa 、10ma | 60 @ 5MA 、5V | - | 22kohms | 22kohms | ||||||||||||||||||||||||||
| BC807-40,235 | - | | 2638 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | 500 Ma | 100na（icbo） | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA、1V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | psmn021-100ylx | 1.0000 | | 2749 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | SC-100 、SOT-669 | モスフェット（金属酸化物） | LFPAK56 、POWER-SO8 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 100 V | 49a（tc） | 5V、10V | 21.5mohm @ 15a 、10V | 2.1V @ 1MA | 65.6 NC @ 10 V | ±20V | 4640 PF @ 25 V | - | 147W | ||||||||||||||||||||||||
| 2PD601ARL 、215 | 0.0200 | | 741 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 2PD60 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCV47,215 | - | | 2332 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BCV47 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-25W 、115 | 0.0200 | | 4296 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BC817 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN028-100ys 、115 | - | | 5277 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | psmn0 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| psmn1r2-30ylc 、115 | - | | 4700 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PSMN1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| buk9y104-100b、115 | 1.0000 | | 1854年年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | SC-100 、SOT-669 | モスフェット（金属酸化物） | LFPAK56 、POWER-SO8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | nチャネル | 100 V | 14.8a | 5V、10V | 99mohm @ 5a、10V | 2.15V @ 1MA | 11 NC @ 5 V | ±15V | 1139 PF @ 25 V | - | 59W （TC） | |||||||||||||||||||||
 | BC846BW/ZL 、135 | 0.0200 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 15,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFS19,215 | 0.0900 | | 66 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BFS19 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| bujd203ax、127 | 0.3300 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | bujd2 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7212-55B 、118 | - | | 7007 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | Buk72 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC69PASX | 0.0700 | | 100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | 3-udfn露出パッド | 420 MW | DFN2020D-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 20 v | 2 a | 100na（icbo） | PNP | 600mv @ 200ma 、2a | 85 @ 500MA、1V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9615-100E 、118 | - | | 6859 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 100 V | 66a（tc） | 5V、10V | 14mohm @ 15a 、10V | 2.1V @ 1MA | 60 NC @ 5 V | ±10V | 6813 PF @ 25 V | - | 182W |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
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