SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価( amp) 現在 -テスト 電力 -出力 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2)
BCX51-10115 NXP USA Inc. BCX51-10115 1.0000
RFQ
ECAD 3209 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 0000.00.0000 1
PHB21N06LT,118 NXP USA Inc. PHB21N06LT 、118 0.3700
RFQ
ECAD 978 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1 nチャネル 55 v 19a(tc) 5V、10V 70mohm @ 10a 、10V 2V @ 1MA 9.4 NC @ 5 V ±15V 650 PF @ 25 V - 56W (TC)
BUK765R2-40B,118 NXP USA Inc. BUK765R2-40B 、118 0.7900
RFQ
ECAD 13 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード ear99 8541.29.0095 379 nチャネル 40 v 75a(tc) 10V 5.2mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 52 NC @ 10 V ±20V 3789 PF @ 25 V - 203W
BFS20,215 NXP USA Inc. BFS20,215 -
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ECAD 2658 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BFS20 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000
BUK7606-55B,118 NXP USA Inc. BUK7606-55B 、118 -
RFQ
ECAD 1447 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1 nチャネル 55 v 75a(tc) 10V 6mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 64 NC @ 10 V ±20V 5100 PF @ 25 V - 254W
2PD602AS NXP USA Inc. 2PD602AS -
RFQ
ECAD 2002年年 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 0000.00.0000 1
BSS84AKM,315 NXP USA Inc. BSS84AKM、315 -
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ECAD 1687 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 モスフェット(金属酸化物) DFN1006-3 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1 pチャネル 50 v 230ma(ta) 10V 7.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.35 NC @ 5 V ±20V 36 PF @ 25 V - 340MW
PSMN041-80YL115 NXP USA Inc. PSMN041-80yl115 1.0000
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ECAD 3638 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 0000.00.0000 1
BUK7Y20-30B115 NXP USA Inc. buk7y20-30b115 1.0000
RFQ
ECAD 7818 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 0000.00.0000 1
BUK7Y65-100EX NXP USA Inc. buk7y65-100ex -
RFQ
ECAD 6099 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 buk7y65 モスフェット(金属酸化物) LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 100 V 19a(tc) 10V 65mohm @ 5a 、10V 4V @ 1MA 17.8 NC @ 10 V ±20V 1023 PF @ 25 V - 64W
BUK7608-40B,118 NXP USA Inc. BUK7608-40B 、118 0.7600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ Buk76 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800
BC52-16PA,115 NXP USA Inc. BC52-16PA 、115 -
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ECAD 9453 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 3-powerudfn 420 MW 3-HUSON (2x2) ダウンロード ear99 8541.29.0075 1 60 V 1 a 100na(icbo) PNP 500MV @ 50MA 、500MA 63 @ 150MA 、2V 145MHz
BUK6607-75C,118 NXP USA Inc. buk6607-75c、118 -
RFQ
ECAD 9969 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 75 v 100a(tc) 10V 7mohm @ 25a 、10V 2.8V @ 1MA 123 NC @ 10 V ±16V 7600 PF @ 25 V - 204W
BUK9E04-40A,127 NXP USA Inc. buk9e04-40a 、127 -
RFQ
ECAD 7608 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット(金属酸化物) i2pak ダウンロード ear99 8541.29.0095 84 nチャネル 40 v 75a(tc) 4.3V 、10V 4mohm @ 25a 、10V 2V @ 1MA 128 NC @ 5 V ±15V 8260 PF @ 25 V - 300W (TC)
BUK762R6-60E,118 NXP USA Inc. buk762r6-60e 、118 -
RFQ
ECAD 6607 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル 60 V 120a(tc) 10V 2.6mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 140 NC @ 10 V ±20V 10170 PF @ 25 V - 324W
BUK762R6-40E118 NXP USA Inc. BUK762R6-40E118 -
RFQ
ECAD 3400 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ - 0000.00.0000 1
2PD601ARL,215 NXP USA Inc. 2PD601ARL 、215 0.0200
RFQ
ECAD 741 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ 2PD60 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
PSMN1R2-30YLC,115 NXP USA Inc. psmn1r2-30ylc 、115 -
RFQ
ECAD 4700 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PSMN1 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500
BLF6G27LS-40P,112 NXP USA Inc. blf6g27ls-40p、112 75.6200
RFQ
ECAD 40 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 65 v 表面マウント SOT-1121B 2.5GHz〜2.7GHz ldmos LDのほとんど ダウンロード ear99 8541.29.0075 4 デュアル、共通のソース - 450 Ma 12W 17.5dB - 28 v
BUK7Y7R2-60EX NXP USA Inc. buk7y7r2-60ex -
RFQ
ECAD 2919 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 モスフェット(金属酸化物) LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル 60 V - 10V - - ±20V - 167W (TC)
PHB18NQ10T,118 NXP USA Inc. PHB18NQ10T 、118 0.4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード ear99 8541.29.0095 727 nチャネル 100 V 18a(tc) 10V 90mohm @ 9a、10V 4V @ 1MA 21 NC @ 10 V ±20V 633 PF @ 25 V - 79W
MRF24301HR5178 NXP USA Inc. MRF24301HR5178 1.0000
RFQ
ECAD 9953 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 0000.00.0000 1
PSMN030-150P,127 NXP USA Inc. PSMN030-150P 、127 -
RFQ
ECAD 5355 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ psmn0 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
PSMN1R5-30YL,115 NXP USA Inc. psmn1r5-30yl 、115 -
RFQ
ECAD 3777 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PSMN1 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500
PMN50UPE,115 NXP USA Inc. PMN50UPE 、115 1.0000
RFQ
ECAD 3851 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SC-74、SOT-457 モスフェット(金属酸化物) 6-tsop ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 3.6a(ta) 1.8V 、4.5V 66mohm @ 3.6a 、4.5V 900MV @ 250µA 15.7 NC @ 10 V ±8V 24 pf @ 10 v - 510MW
BUK7511-55B,127 NXP USA Inc. BUK7511-55B 、127 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 55 v 75a(tc) 10V 11mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 37 NC @ 10 V ±20V 2604 PF @ 25 V - 157W
BUK662R5-30C,118-NXP NXP USA Inc. buk662R5-30c、118-nxp -
RFQ
ECAD 5857 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 30 V 100a(tc) 10V 2.8mohm @ 25a 、10V 2.8V @ 1MA 114 NC @ 10 V ±16V 6960 PF @ 25 V - 204W
BC847BMB315 NXP USA Inc. BC847BMB315 -
RFQ
ECAD 7265 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ - 2156-BC847BMB315 0000.00.0000 1
PHPT60610PYX NXP USA Inc. PHPT60610pyx -
RFQ
ECAD 9450 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 175°C (TJ) 表面マウント SC-100 、SOT-669 PHPT60610 1.5 w LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード ear99 8541.29.0075 1 60 V 10 a 100NA PNP 470mv @ 1a 、10a 120 @ 500MA 、2V 85MHz
PEMH2,115 NXP USA Inc. PEMH2,115 0.0600
RFQ
ECAD 9821 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 PEMH2 300MW SOT-666 ダウンロード ear99 8541.21.0075 960 50V 100mA 1µA 2 npn- バイアス(デュアル) 150mv @ 500µa 、10ma 80 @ 5MA 、5V - 47kohms 47kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    15,000 m2

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