SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価( amp) 現在 -テスト 電力 -出力 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2) ノイズフィギュア(DBタイプ @ f)
A2G22S251-01SR3 NXP USA Inc. A2G22S251-01SR3 85.8978
RFQ
ECAD 8111 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 125 v 表面マウント NI-400S-2S A2G22 1.805GHz〜2.2GHz ldmos NI-400S-2S ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 935313179528 ear99 8541.29.0075 250 - 200 ma 52dbm 17.7db - 48 v
BUK652R0-30C,127 NXP USA Inc. buk652R0-30c、127 -
RFQ
ECAD 3607 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk65 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 30 V 120a(tc) 4.5V 、10V 2.2mohm @ 25a 、10V 2.8V @ 1MA 229 NC @ 10 V ±16V 14964 PF @ 25 V - 306W
BUK6228-55C,118 NXP USA Inc. buk6228-55c、118 0.2400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1,268 nチャネル 55 v 31a(tc) 10V 29mohm @ 10a 、10V 2.8V @ 1MA 20.2 NC @ 10 V ±16V 1340 PF @ 25 V - 60W (TC)
PDTC143XK,115 NXP USA Inc. PDTC143XK 、115 -
RFQ
ECAD 7787 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-236-3 PDTC143 250 MW SMT3; mpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 100MV @ 500µA 、10mA 50 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 10 Kohms
BUK7E11-55B,127 NXP USA Inc. buk7e11-55b、127 -
RFQ
ECAD 6209 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads buk7 モスフェット(金属酸化物) i2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 55 v 75a(tc) 10V 11mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 37 NC @ 10 V ±20V 2604 PF @ 25 V - 157W
MRF8P23080HR3 NXP USA Inc. MRF8P23080HR3 -
RFQ
ECAD 3999 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 65 v シャーシマウント NI-780-4 MRF8 2.3GHz ldmos NI-780-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 935314247128 ear99 8541.29.0075 250 デュアル - 280 Ma 16W 14.6db - 28 v
BC337-16,112 NXP USA Inc. BC337-16,112 -
RFQ
ECAD 2142 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 BC33 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1,000 45 v 500 Ma 100na(icbo) npn 700mv @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 100MHz
2PB709AR,115 NXP USA Inc. 2PB709AR 、115 -
RFQ
ECAD 6089 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 2pb70 250 MW SMT3; mpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 15,000 45 v 100 Ma 10na (icbo) PNP 500MV @ 10MA 、100mA 210 @ 2MA 、10V 70MHz
MMRF1007HSR5 NXP USA Inc. MMRF1007HSR5 679.4412
RFQ
ECAD 8500 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 110 v NI-1230-4S MMRF1007 1.03GHz ldmos NI-1230-4S ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 935320316178 ear99 8541.29.0075 50 デュアル - 150 Ma 1000W 20db - 50 v
BC547C,116 NXP USA Inc. BC547C 、116 -
RFQ
ECAD 4767 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 BC54 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 Ma 15NA npn 400MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 100MHz
MRF18030ALSR5 NXP USA Inc. MRF18030ALSR5 -
RFQ
ECAD 9311 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 65 v シャーシマウント NI-400S MRF18 1.81GHz1.88GHz ldmos NI-400S ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 5A991G 8542.31.0001 50 - 250 Ma 30W 14db - 26 v
2PB1219AR/ZLX NXP USA Inc. 2PB1219AR/ZLX -
RFQ
ECAD 3503 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-70、SOT-323 2pb12 SC-70 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 934069197115 廃止 0000.00.0000 10,000
BCX52,115 NXP USA Inc. BCX52,115 0.0700
RFQ
ECAD 17 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BCX52 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1,000
PVR100AZ-B3V0,115 NXP USA Inc. PVR100AZ-B3V0,115 -
RFQ
ECAD 2613 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント TO-261-4、TO-261AA PVR10 550 MW SC-73 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1,000 45 v 100 Ma 100na(icbo) npn + zener - 160 @ 100MA、1V -
PDTA114TE,115 NXP USA Inc. PDTA114TE 、115 -
RFQ
ECAD 4848 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 PDTA114 150 MW SC-75 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 1µA pnp-前バイアス 150mv @ 500µa 、10ma 200 @ 1MA 、5V 10 Kohms
BUK663R5-30C,118 NXP USA Inc. buk663r5-30c、118 0.4300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ buk66 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 800
PHK24NQ04LT,518 NXP USA Inc. PHK24NQ04LT 、518 -
RFQ
ECAD 1983年年 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) PHK24 モスフェット(金属酸化物) 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 40 v 21.2a 4.5V 、10V 7.7mohm @ 14a 、10V 2V @ 1MA 64 NC @ 10 V ±20V 2985 PF @ 25 V - 6.25W
PEMF21,115 NXP USA Inc. PEMF21,115 -
RFQ
ECAD 7225 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PEMF2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 4,000
PEMT1,315 NXP USA Inc. PEMT1,315 1.0000
RFQ
ECAD 8345 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SOT-563、SOT-666 pemt1 300MW SOT-666 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 40V 100mA 100na(icbo) 2 PNP (デュアル) 200mV @ 5MA 、50mA 120 @ 1MA 、6V 100MHz
MRF5S21150HSR5 NXP USA Inc. MRF5S21150HSR5 -
RFQ
ECAD 2179 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 65 v NI-880S MRF5 2.11GHz〜2.17GHz ldmos NI-880S ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 - 1.3 a 33W 12.5dB - 28 v
PUMB2,115 NXP USA Inc. PUMB2,115 -
RFQ
ECAD 1278 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ Pumb2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
MRF7S18125AHSR5 NXP USA Inc. MRF7S18125AHSR5 -
RFQ
ECAD 6379 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 65 v シャーシマウント NI-780S MRF7 1.88GHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 - 1.1 a 125W 17dB - 28 v
PHM15NQ20T,518 NXP USA Inc. PHM15NQ20T 、518 -
RFQ
ECAD 4755 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-vdfn露出パッド PHM15 モスフェット(金属酸化物) 8-HVSON ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 200 v 17.5a 10V 85mohm @ 15a 、10V 4V @ 1MA 40 NC @ 10 V ±20V 2170 PF @ 30 V - 62.5W
A2T26H165-24SR3128 NXP USA Inc. A2T26H165-24SR3128 127.1600
RFQ
ECAD 497 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.29.0075 1
PDTA123YT,215 NXP USA Inc. PDTA123YT 、215 0.0200
RFQ
ECAD 162 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTA12 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
BFG520W/X,115 NXP USA Inc. BFG520W/X、115 -
RFQ
ECAD 6008 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 175°C (TJ) 表面マウント SOT-343逆ピン留め BFG52 500MW 4-SO ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 70ma npn 60 @ 20MA 、6V 9GHz 1.1DB〜2.1DB @ 900MHz
BUK753R1-40B,127 NXP USA Inc. BUK753R1-40B 、127 -
RFQ
ECAD 3949 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk75 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 40 v 75a(tc) 10V 3.1mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 94 NC @ 10 V ±20V 6808 PF @ 25 V - 300W (TC)
BUK6C2R1-55C,118-NX NXP USA Inc. buk6c2r1-55c、118-nx -
RFQ
ECAD 1965年年 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-7 モスフェット(金属酸化物) D2PAK-7 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 55 v 228a(tc) 10V 2.3mohm @ 90a 、10V 2.8V @ 1MA 253 NC @ 10 V ±16V 16000 pf @ 25 V - 300W (TC)
BF1204,115 NXP USA Inc. BF1204,115 -
RFQ
ECAD 8977 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 10 v 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 BF120 400MHz モスフェット 6-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネルデュアルゲート 30ma 12 Ma - 30dB 0.9db 5 v
BSP60,115 NXP USA Inc. BSP60,115 1.0000
RFQ
ECAD 9998 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1.25 w SOT-223 ダウンロード 0000.00.0000 1 45 v 1 a 50NA pnp-ダーリントン 1.3V @ 500µA 、500mA 2000 @ 500MA 、10V 200MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫