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トランジスタ（4003）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -テスト	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）	電流排水（ id） -最大
bujd203a 、127	0.3000	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3				80 w	TO-220AB	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	875																		425 v	4 a				100µA	npn	1V @ 600MA、3a	11 @ 2a 、5V	-
psmn5r9-30yl 、115	-	RFQ	6195	NXP USA Inc.	trenchmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	SC-100 、SOT-669	psmn5		モスフェット（金属酸化物）		LFPAK56 、POWER-SO8	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500		nチャネル					30 V	78a（tc）	4.5V 、10V	6.1mohm @ 20a 、10v	2.15V @ 1MA	21.3 NC @ 10 V	±20V	1226 PF @ 15 V	-	63W
PhD98N03LT 、118	-	RFQ	9496	NXP USA Inc.	trenchmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	PhD98		モスフェット（金属酸化物）		dpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500		nチャネル					25 v	75a（tc）	5V、10V	5.9mohm @ 25a 、10V	2V @ 1MA	40 NC @ 5 V	±20V	3000 pf @ 20 v	-	111W
J2A012ZXS/S1AZ197J	-	RFQ	7723	NXP USA Inc.	*	テープ＆リール（ tr）	廃止					J2A0					-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		廃止	0000.00.0000	2,500
BF1102,115	-	RFQ	7660	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	7 v		表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	BF110	800MHz	モスフェット		6-tssop	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000	nチャネルデュアルゲート		40ma	15 Ma	-	-											2db			5 v
MRFE6VP61K25GNR6	195.5361	RFQ	8842	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	133 v		シャーシマウント	OM-1230G-4L	Mrfe6	230MHz	ldmos		OM-1230G-4L	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	935315986528	ear99	8541.29.0075	150	デュアル		-	100 Ma	1250W	23dB											-			50 v
PHP174NQ04LT 、127	-	RFQ	2807	NXP USA Inc.	trenchmos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	php17		モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル					40 v	75a（tc）	4.5V 、10V	4mohm @ 25a 、10V	2V @ 1MA	64 NC @ 5 V	±15V	5345 PF @ 25 V	-	250W
PDTC143TS、126	-	RFQ	1916年年	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	to-226-3	PDTC143			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000																		50 v	100 Ma				1µA	npn-バイアス化	100MV @ 250µA、5MA	200 @ 1MA 、5V		4.7 Kohms
A2I25H060GNR1	-	RFQ	9763	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	65 v		表面マウント	TO-270-17 バリアント、ガルウィング	A2I25	2.59GHz	ldmos		TO-270WBG-17	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	935316196528	ear99	8542.33.0001	500	デュアル		-	26 Ma	10.5W	26.1db											-			28 v
MRF8VP13350GNR3	162.8896	RFQ	2939	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	100 V		表面マウント	OM-780G-4L	MRF8VP13350	1.3GHz	ldmos		OM-780G-4L	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	935320727528	ear99	8541.29.0075	250	デュアル		-	100 Ma	350W	19.2db											-			50 v
buk9c1r3-40ej	-	RFQ	8643	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-	表面マウント	TO-263-7	buk9c1		モスフェット（金属酸化物）		D2PAK-7	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934067866118	ear99	8541.29.0095	800		nチャネル					40 v	190a		1.3mohm @ 90a 、5v	-				-	-
BFR31,215	-	RFQ	3834	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	BFR31			250 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000		nチャネル					25 v							4PF @ 10V							1 mA @ 10 v	2.5 V @ 0.5 Na									10 Ma
BLF4G20LS-110B、112	-	RFQ	3899	NXP USA Inc.	-	トレイ	廃止	65 v		シャーシマウント	SOT-502B	BLF4	1.93GHz1.99GHz	ldmos		SOT502B	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	60			12a	650 Ma	100W	13.4db											-			28 v
BUK9509-40B 、127	0.4400	RFQ	6	NXP USA Inc.	*	チューブ	アクティブ					buk95					ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000
buk6607-75c、118	-	RFQ	9969	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					75 v	100a（tc）	10V	7mohm @ 25a 、10V	2.8V @ 1MA	123 NC @ 10 V	±16V	7600 PF @ 25 V	-	204W
PDTC143XS、126	-	RFQ	3635	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	to-226-3	PDTC143			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000																		50 v	100 Ma				1µA	npn-バイアス化	100MV @ 500µA 、10mA	50 @ 10ma 、5v		4.7 Kohms	10 Kohms
A2T21S161W12SR3	-	RFQ	6110	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	28 v		シャーシマウント	NI-780-2S2L	A2T21	2.11GHz〜2.2GHz	ldmos		NI-780-2S2L	-	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	935363146128	ear99	8541.29.0075	250			-		38W	-											-
MRF8S26060HSR5	-	RFQ	1417	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	65 v		表面マウント	NI-400S-2S	MRF8	2.69GHz	ldmos		NI-400S-2S	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	935321447138	5A991G	8541.29.0075	50			-	450 Ma	15.5W	16.3db											-			28 v
BFG540,215	-	RFQ	5084	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	to-253-4、to-253aa	BFG54			400MW	SOT-143B	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000						-												15V	120ma					npn		60 @ 40ma 、8V	9GHz			1.3db〜1.8db @ 900MHz
on5452518	1.0000	RFQ	8360	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ										-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	2,000
BUK765R2-40B 、118	0.7900	RFQ	13	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	379		nチャネル					40 v	75a（tc）	10V	5.2mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	52 NC @ 10 V	±20V	3789 PF @ 25 V	-	203W
PH4830L 、115	-	RFQ	9776	NXP USA Inc.	trenchmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	SC-100 、SOT-669	PH48		モスフェット（金属酸化物）		LFPAK56 、POWER-SO8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500		nチャネル					30 V	84a（tc）	4.5V 、10V	4.8mohm @ 25a 、10V	2.15V @ 1MA	22.9 NC @ 4.5 v	±20V	2786 PF @ 12 v	-	62.5W
PDTD114EU115	0.0300	RFQ	28	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ										ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	3,000
PDTA123EMB 315	0.0300	RFQ	139	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-101 、SOT-883	PDTA123			250 MW	DFN1006B-3	ダウンロード					ear99	8541.21.0075	1																		50 v	100 Ma				1µA	pnp-前バイアス	150mv @ 500µa 、10ma	30 @ 20MA 、5V	180 MHz	2.2 KOHMS	2.2 KOHMS
MRF5S21150HSR5	-	RFQ	2179	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	65 v			NI-880S	MRF5	2.11GHz〜2.17GHz	ldmos		NI-880S	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	50			-	1.3 a	33W	12.5dB											-			28 v
PSMN4R6-100XS、127	-	RFQ	9597	NXP USA Inc.	-	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	PSMN4		モスフェット（金属酸化物）		TO-220F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル					100 V	70.4a	10V	4.6mohm @ 15a 、10V	4V @ 1MA	153 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 50 V	-	63.8W
PRF957,115	-	RFQ	9538	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		175°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323	PRF95			270MW	SC-70	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000						-												10V	100mA					npn		50 @ 5MA 、6V	8.5GHz			1.3db〜1.8db @ 1GHz〜2GHz
AFT26HW050GSR3-NXP	115.4500	RFQ	250	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ										ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0040	1
BUK7514-55A 、127	-	RFQ	6366	NXP USA Inc.	trenchmos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	buk75		モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル					55 v	73a（tc）	10V	14mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA		±20V	2464 PF @ 25 V	-	166W
PDTA143EQA147	0.0300	RFQ	40	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ										ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	5,000

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²