SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価( amp) 現在 -テスト 電力 -出力 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 電圧 -テスト 電圧 -破壊( V 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id 現在 -コレクターカットオフ(最大) 抵抗-RDS (オン) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2)
J109,126 NXP USA Inc. J109,126 -
RFQ
ECAD 2489 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&ボックス( TB) 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 J109 400 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 nチャネル 25 v 30pf @ 10V 25 v 80ma @ 15 v 2 V @ 1 µA 12オーム
PHP101NQ04T,127 NXP USA Inc. php101nq04t 、127 -
RFQ
ECAD 1046 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 php10 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 40 v 75a(tc) 10V 8mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 36.6 NC @ 10 V ±20V 2020 PF @ 25 V - 157W
J3E082EA4/S0BE5AQJ NXP USA Inc. J3E082EA4/S0BE5AQJ -
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ECAD 5577 0.00000000 NXP USA Inc. * テープ&リール( tr) 廃止 J3E0 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 2,500
BF824235 NXP USA Inc. BF824235 -
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ECAD 8649 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.21.0075 1
PHC21025,118 NXP USA Inc. PHC21025,118 0.2900
RFQ
ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PHC21 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500
BLD6G22LS-50,112 NXP USA Inc. BLD6G22LS-50,112 90.0800
RFQ
ECAD 30 0.00000000 NXP USA Inc. - トレイ 廃止 65 v 表面マウント SOT-1130B 2.14GHz ldmos CDFM4 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 20 デュアル、共通のソース 10.2a 170 Ma 8W 14db - 28 v
PBSS5140T,215 NXP USA Inc. PBSS5140T 、215 -
RFQ
ECAD 5227 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBSS5 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000
AFT18S230SR3 NXP USA Inc. AFT18S230SR3 -
RFQ
ECAD 3982 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 65 v シャーシマウント NI-780S AFT18 1.88GHz ldmos NI-780S - ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 5A991G 8541.29.0095 250 - 1.8 a 50W 19db - 28 v
BUK9635-100A-118 NXP USA Inc. Buk9635-100A-118 -
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ECAD 6322 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 40 nチャネル 100 V 41a(tc) 4.5V 、10V 34mohm @ 25a 、10V 2V @ 1MA ±10V 3573 PF @ 25 V - 149W
BF545A,215 NXP USA Inc. BF545A 、215 -
RFQ
ECAD 5567 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 30 V 表面マウント TO-236-3 BF545 - jfet SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 6.5mA - - -
MRF6S19060MBR1 NXP USA Inc. MRF6S19060MBR1 -
RFQ
ECAD 7325 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 68 v TO-272-4 MRF6 1.93GHz ldmos TO-272 WB-4 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 500 - 610 Ma 12W 16dB - 28 v
NMBT3904215 NXP USA Inc. NMBT3904215 0.0200
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ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 3,000
BUK653R5-55C,127 NXP USA Inc. BUK653R5-55C 、127 -
RFQ
ECAD 9522 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk65 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB - ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 55 v 120a(tc) 4.5V 、10V 3.9mohm @ 25a 、10V 2.8V @ 1MA 191 NC @ 10 V ±16V 11516 PF @ 25 V - 263W
PBSS5350X,115 NXP USA Inc. PBSS5350X 、115 -
RFQ
ECAD 7825 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBSS5 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
MRF19085LR3 NXP USA Inc. MRF19085LR3 -
RFQ
ECAD 2458 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 65 v シャーシマウント SOT-957A MRF19 1.93GHz1.99GHz ldmos NI-780H-2L ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.31.0001 250 - 850 Ma 18W 13dB - 26 v
BUK9637-100E,118 NXP USA Inc. buk9637-100e 、118 0.5600
RFQ
ECAD 5896 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1 nチャネル 100 V 31a(tc) 5V、10V 36mohm @ 10a 、10V 2.1V @ 1MA 22.8 NC @ 5 V ±10V 2681 PF @ 25 V - 96W
BF909A215 NXP USA Inc. BF909A215 0.1800
RFQ
ECAD 2342 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク 廃止 7 v 表面マウント to-253-4、to-253aa 800MHz モスフェット SOT-143B ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1,474 nチャネルデュアルゲート 40ma - - 2db
BUK7524-55A,127 NXP USA Inc. BUK7524-55A、127 -
RFQ
ECAD 4840 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk75 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 55 v 47a(tc) 10V 24mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA ±20V 1310 pf @ 25 v - 106W
BFU550XRR215 NXP USA Inc. BFU550XRR215 -
RFQ
ECAD 4031 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 3,000
MRF6VP41KHSR6 NXP USA Inc. MRF6VP41KHSR6 -
RFQ
ECAD 7769 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) sicで中止されました 110 v シャーシマウント NI-1230S MRF6 450MHz ldmos NI-1230S ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 150 デュアル - 150 Ma 1000W 20db - 50 v
BUK625R0-40C,118-NXP NXP USA Inc. buk625r0-40c、118-nxp -
RFQ
ECAD 5150 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) dpak - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 40 v 90a(ta) 5mohm @ 25a 、10V 2.8V @ 1MA 88 NC @ 10 V ±16V 5200 PF @ 25 V - 158W
MRF5S21150HR5 NXP USA Inc. MRF5S21150HR5 -
RFQ
ECAD 3553 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 65 v NI-880 MRF5 2.11GHz〜2.17GHz ldmos NI-880 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 - 1.3 a 33W 12.5dB - 28 v
BCX53-10/L135 NXP USA Inc. BCX53-10/L135 0.0600
RFQ
ECAD 1172 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 3,300
PDTA124TMB,315 NXP USA Inc. PDTA124TMB 、315 0.0200
RFQ
ECAD 168 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 PDTA124 250 MW DFN1006B-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 50 v 100 Ma 1µA pnp-前バイアス 150mv @ 500µa 、10ma 100 @ 1MA 、5V 180 MHz 22 Kohms
BUK7C06-40AITE,118 NXP USA Inc. buk7c06-40aite、118 1.3600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-7 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 40 v 75a(tc) 10V 6mohm @ 50a 、10V 4V @ 1MA 120 NC @ 10 V ±20V 4300 PF @ 25 V 現在のセンシング 272W
BUK7Y25-40B/C,115 NXP USA Inc. buk7y25-40b/c、115 -
RFQ
ECAD 1717 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 buk7y25 モスフェット(金属酸化物) LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 40 v 35.3a 10V 25mohm @ 20a 、10V 4V @ 1MA 12.1 NC @ 10 V ±20V 693 PF @ 25 V - 59.4W
BF1217WR,115 NXP USA Inc. BF1217WR 、115 -
RFQ
ECAD 5086 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 6 v 表面マウント SC-82A 、SOT-343 BF121 400MHz モスフェット CMPAK-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネルデュアルゲート 30ma 18 Ma - 30dB 1db 5 v
PMV16XN215 NXP USA Inc. PMV16XN215 1.0000
RFQ
ECAD 5485 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,000
BUK7611-55A,118 NXP USA Inc. Buk7611-55a 、118 0.5700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード ear99 8541.29.0095 523 nチャネル 55 v 75a(tc) 10V 11mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA ±20V 3093 PF @ 25 V - 166W
PUMB20,115 NXP USA Inc. PUMB20,115 -
RFQ
ECAD 9840 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 Pumb20 300MW SOT-363 ダウンロード ear99 8541.21.0095 5,800 50V 100mA 1µA 2 pnp- バ​​イアス(デュアル) 150mv @ 500µa 、10ma 30 @ 20MA 、5V - 2.2kohms 2.2kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫