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トランジスタ（4003）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
BF1210,115	-	RFQ	5859	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	6 v		表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	BF121	400MHz	モスフェット		6-tssop	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000	nチャネルデュアルゲート		30ma	19 Ma	-	31db											0.9db			5 v
MMRF5300NR5	-	RFQ	3800	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	125 v		表面マウント	TO-270AA	MMRF5	2.7GHz〜3.5GHz	hemt		OM-270-2	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	935322537528	廃止		50			-	70 Ma	60W	17dB											-			50 v
php112n06t 、127	-	RFQ	4015	NXP USA Inc.	trenchmos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	php11		モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル					55 v	75a（tc）	10V	8mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	87 NC @ 10 V	±20V	4352 PF @ 25 V	-	200W （TC）
MRF6S24140HSR5	-	RFQ	7324	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	68 v		表面マウント	NI-880S	MRF6	2.39GHz	ldmos		NI-880S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	50			-	1.3 a	28W	15.2db											-			28 v
A2T18S160W31GSR3	-	RFQ	7894	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	65 v		シャーシマウント	NI-780GS-2L2LA	A2T18	1.88GHz	ldmos		NI-780GS-2L2LA	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	935312705128	ear99	8541.29.0075	250			-	1 a	32W	19.9db											-			28 v
PMWD19UN 、518	-	RFQ	2897	NXP USA Inc.	trenchmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	PMWD19		モスフェット（金属酸化物）	2.3W	8-tssop	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500	2 nチャンネル（デュアル）						30V	5.6a		23mohm @ 3.5a 、4.5V	700MV @ 1MA	28NC @ 5V		1478pf @ 10V	ロジックレベルゲート
PBRP113ES、126	-	RFQ	1168	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	to-226-3	PBRP113			500 MW	to-92-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000																		50 v	800 Ma		-	pnp-前バイアス	-	-		1 KOHMS	1 KOHMS
PDTA144VS、126	-	RFQ	7929	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	to-226-3	PDTA144			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000																		50 v	100 Ma		1µA	pnp-前バイアス	150mv @ 500µa 、10ma	40 @ 5MA 、5V		47 Kohms	10 Kohms
PBSS8110AS、126	-	RFQ	9947	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3	PBSS8			830 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	2,000																		100 V	1 a		100NA	npn	200mV @ 100mA、1a	150 @ 250ma 、10V	100MHz
BUK9529-100B/C127	0.6000	RFQ	37	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ										-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1
PHD13005AD、127	-	RFQ	8989	NXP USA Inc.	-	チューブ	廃止		-	表面マウント	to-252-3	PhD13				dpak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934064309127	ear99	8541.29.0095	2,500																		700 V	4 a		-	npn	-	-	-
PDTC114TS、126	-	RFQ	9551	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	to-226-3	PDTC114			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000																		50 v	100 Ma		1µA	npn-バイアス化	150mv @ 500µa 、10ma	200 @ 1MA 、5V		10 Kohms
BUK653R2-55C 、127	-	RFQ	9907	NXP USA Inc.	trenchmos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	buk65		モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル					55 v	120a（tc）	4.5V 、10V	3.2mohm @ 25a 、10V	2.8V @ 1MA	258 NC @ 10 V	±16V	15300 PF @ 25 V	-	306W
BLC8G27LS-245AVJ	-	RFQ	2532	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	65 v		表面マウント	SOT-1251-2	BLC8	2.5GHz〜2.69GHz	ldmos		8-dfm	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	934068216118	ear99	8541.29.0075	100	デュアル、共通のソース		-	500 Ma	56W	14.5dB											-			28 v
PSMN5R0-100XS、127	-	RFQ	2745	NXP USA Inc.	-	チューブ	廃止		-	穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	psmn5		モスフェット（金属酸化物）		TO-220F	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル					100 V	67.5a	10V	5mohm @ 15a 、10V	4V @ 1MA	153 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 50 V	-	63.8W
MRF7S21210HSR5	-	RFQ	3408	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	65 v		シャーシマウント	NI-780S	MRF7	2.17GHz	ldmos		NI-780S	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	50			-	1.4 a	63W	18.5dB											-			28 v
A2G35S160-01SR3	131.2400	RFQ	222	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	125 v		表面マウント	NI-400S-2S	A2G35	3.4GHz3.6GHz	ldmos		NI-400S-2S	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	250			-	190 Ma	51dbm	15.7dB											-			48 v
MRF6V14300HSR3	-	RFQ	3008	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	100 V		シャーシマウント	NI-780S	MRF6	1.4GHz	ldmos		NI-780S	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	250			-	150 Ma	330W	18db											-			50 v
PMF400UN 、115	-	RFQ	3382	NXP USA Inc.	trenchmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323	PMF40		モスフェット（金属酸化物）		SC-70	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000		nチャネル					30 V	830ma（ta）	1.8V 、4.5V	480mohm @ 200ma 、4.5V	1V @ 250µA	0.89 NC @ 4.5 V	±8V	43 PF @ 25 V	-	560MW
PSMN013-100XS、127	-	RFQ	9994	NXP USA Inc.	-	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	psmn0		モスフェット（金属酸化物）		TO-220F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル					100 V	35.2a	10V	13.9mohm @ 10a、10v	4V @ 1MA	57.5 NC @ 10 V	±20V	3195 PF @ 50 V	-	48.4W
BLF6G27LS-75,112	83.4300	RFQ	47	NXP USA Inc.	-	トレイ	廃止	65 v		シャーシマウント	SOT-502B		-	ldmos		SOT502B	ダウンロード	ROHS3準拠				5A991G	8541.29.0075	20			18a	600 Ma	9W	-											-			28 v
BF909AR 、215	-	RFQ	4799	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	7 v		表面マウント	SOT-143R	BF909	800MHz	メスフェット		SOT-143R	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000	デュアルゲート		40ma		-	-											2db
AFT09S282NR3	-	RFQ	1818年	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	70 v		表面マウント	OM-780-2	AFT09	960MHz	ldmos		OM-780-2	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		5A991G	8541.29.0095	250			-	1.4 a	80W	20db											-			28 v
MRFE6VP5600HSR5	132.0164	RFQ	4275	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	130 v		シャーシマウント	NI-1230-4S	Mrfe6	230MHz	ldmos		NI-1230-4S	-	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	935319677178	ear99	8541.29.0075	50	デュアル		-	100 Ma	600W	25dB											-			50 v
PHB174NQ04LT 、118	-	RFQ	7298	NXP USA Inc.	trenchmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	PHB17		モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800		nチャネル					40 v	75a（tc）	4.5V 、10V	4mohm @ 25a 、10V	2V @ 1MA	64 NC @ 5 V	±15V	5345 PF @ 25 V	-	250W
PDTA114YK 115	-	RFQ	1040	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-236-3	PDTA114			250 MW	SMT3; mpak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																		50 v	100 Ma		1µA	pnp-前バイアス	100MV @ 250µA、5MA	100 @ 5MA 、5V		10 Kohms	47 Kohms
MRF6S21140HR5	-	RFQ	6775	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	68 v		シャーシマウント	SOT-957A	MRF6	2.12GHz	ldmos		NI-880H-2L	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	50			-	1.2 a	30W	15.5dB											-			28 v
PMWD26UN 、518	-	RFQ	3513	NXP USA Inc.	trenchmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	PMWD26		モスフェット（金属酸化物）	3.1W	8-tssop	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500	2 nチャンネル（デュアル）						20V	7.8a		30mohm @ 3.5a 、4.5V	700MV @ 1MA	23.6NC @ 4.5V		1366pf @ 16V	ロジックレベルゲート
BSP304A、126	-	RFQ	5129	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-65°C〜150°C	穴を通して	to-226-3	BSP3		モスフェット（金属酸化物）		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		pチャネル					300 V	170ma（ta）	10V	17OHM @ 170MA 、10V	2.55V @ 1MA		±20V	90 pf @ 25 V	-	1W
MRF7S19100NBR1	-	RFQ	7882	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	65 v		シャーシマウント	TO-272bb	MRF7	1.93GHz1.99GHz	ldmos		TO-272 WB-4	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	935319238528	ear99	8541.29.0075	500			-	1 a	29W	17.5dB											-			28 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²