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トランジスタ（4003）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
PBSS4350D,125 NXP USA Inc. PBSS4350D、125 -
RFQ
 ECAD 2813 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBSS4 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000
PDTC115EEF,115 NXP USA Inc. PDTC115EEF 、115 -
RFQ
 ECAD 9960 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 PDTC115 250 MW SC-89 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 4,000 50 v 20 ma 1µA npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 80 @ 5MA 、5V 100 Kohms 100 Kohms
PDTA144ES,126 NXP USA Inc. PDTA144ES、126 -
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 ECAD 9491 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆ボックス（ TB） 廃止 穴を通して to-226-3 PDTA144 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 50 v 100 Ma 1µA pnp-前バイアス 150mv @ 500µa 、10ma 80 @ 5MA 、5V 47 Kohms 47 Kohms
BUK9Y07-30B115 NXP USA Inc. buk9y07-30b115 -
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 ECAD 6231 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.29.0095 1
PHB145NQ06T,118 NXP USA Inc. PHB145NQ06T 、118 -
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 ECAD 9436 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 PHB14 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 6mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 64.7 NC @ 10 V ±20V 3825 PF @ 25 V - 250W
PSMN7R0-100XS,127 NXP USA Inc. PSMN7R0-100XS、127 -
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 ECAD 5185 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ PSMN7 モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 55a（tc） 10V 6.8mohm @ 15a 、10V 4V @ 1MA 121 NC @ 10 V ±20V 6686 PF @ 50 V - 57.7W
PDTC114TK,115 NXP USA Inc. PDTC114TK 、115 -
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 ECAD 7288 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-236-3 PDTC114 250 MW SMT3; mpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 200 @ 1MA 、5V 10 Kohms
PDTC144WU,115 NXP USA Inc. PDTC144WU 、115 0.0200
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 ECAD 57 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 PDTC144 200 MW SOT-323 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 60 @ 5MA 、5V 47 Kohms 22 Kohms
PMP4201G,115 NXP USA Inc. PMP4201G 、115 -
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 ECAD 7289 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 PMP4201 300MW 5-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 45V 100mA 15NA 2 NPN （デュアル）マッチングペア、一般的なエミッター 400MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 250MHz
BFU530AR NXP USA Inc. BFU530AR 0.5800
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 ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-236-3 BFU530 450MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 18db 12V 40ma npn 60 @ 10ma 、8v 11ghz 0.6dB @ 900MHz
BLF574112 NXP USA Inc. BLF574112 -
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 ECAD 1790 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1
MRF372R3 NXP USA Inc. MRF372R3 -
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 ECAD 7726 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 68 v シャーシマウント NI-860C3 MRF37 857MHz〜863MHz ldmos NI-860C3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 250 17a 800 Ma 180W 17dB - 32 v
BUK951R9-40E,127 NXP USA Inc. buk951r9-40e、127 -
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 ECAD 2005年 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk95 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 40 v 120a（tc） 5V、10V 1.7mohm @ 25a 、10V 2.1V @ 1MA 120 NC @ 5 V ±10V 16400 PF @ 25 V - 349W
BFU530AVL NXP USA Inc. BFU530AVL 0.1380
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 ECAD 4280 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-236-3 BFU530 450MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934067698235 ear99 8541.21.0075 10,000 12db 12V 40ma npn 60 @ 10ma 、8v 11ghz 1.1DB @ 1.8GHz
PBLS4002D,115 NXP USA Inc. PBLS4002D 、115 -
RFQ
 ECAD 6469 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBLS40 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
AFT09S220-02NR3 NXP USA Inc. AFT09S220-02NR3 -
RFQ
 ECAD 5427 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 70 v 表面マウント OM-780-2 AFT09 920MHz ldmos OM-780-2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 935312921528 ear99 8541.29.0075 250 - 1.4 a 54W 19.5dB - 28 v
BFG505/X,215 NXP USA Inc. BFG505/X 、215 -
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 ECAD 9479 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-253-4、to-253aa BFG50 150MW SOT-143B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 18ma npn 60 @ 5MA 、6V 9GHz 1.2DB〜1.9DB @ 900MHz〜2GHz
PMT200EN,115 NXP USA Inc. PMT200EN 、115 -
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 ECAD 1743 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA PMT2 モスフェット（金属酸化物） SC-73 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 100 V 1.8a（ta） 4.5V 、10V 235mohm @ 1.5a 、10V 2.5V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 475 PF @ 80 V - 800MW
BUK9213-30A,118 NXP USA Inc. Buk9213-30a 、118 -
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 ECAD 8552 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 buk92 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934057315118 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 55a（tc） 4.5V 、10V 11mohm @ 25a 、10V 2V @ 1MA 37 NC @ 5 V ±15V 2852 PF @ 25 V - 150W
PDTD123YK,115 NXP USA Inc. PDTD123YK 115 -
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 ECAD 4011 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-236-3 PDTD123 250 MW SMT3; mpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 500 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 2.5MA 、50mA 70 @ 50MA 、5V 2.2 KOHMS 10 Kohms
BLF4G22S-100,112 NXP USA Inc. BLF4G22S-100,112 -
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 ECAD 3367 0.00000000 NXP USA Inc. - トレイ 廃止 65 v シャーシマウント SOT-502B BLF4 2.11GHz〜2.17GHz ldmos SOT502B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 20 12a 900 Ma 25W 13.5dB - 28 v
MRF9045GNR1 NXP USA Inc. MRF9045GNR1 -
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 ECAD 2257 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-270BA MRF90 - ldmos TO-270-2カモメ - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 5A991G 8541.21.0075 500 - - - -
A2V09H400-04SR3 NXP USA Inc. A2V09H400-04SR3 93.2316
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 ECAD 1533 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 105 v 表面マウント NI-780S-4L 720MHz〜960MHz ldmos NI-780S-4L ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 250 デュアル 10µA 750 Ma 102W 18.7db - 48 v
PDTB143EU135 NXP USA Inc. PDTB143EU135 -
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 ECAD 6430 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 10,000
MRF7S38040HR3 NXP USA Inc. MRF7S38040HR3 -
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 ECAD 4128 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント NI-400-240 MRF7 3.4GHz3.6GHz ldmos NI-400-240 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 250 - 450 Ma 8W 14db - 30 V
PBLS6022D,115 NXP USA Inc. PBLS6022D 、115 0.1200
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 ECAD 223 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBLS60 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
BC556A,112 NXP USA Inc. BC556A 、112 -
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 ECAD 4479 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 BC55 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1,000 65 v 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 125 @ 2MA 、5V 100MHz
MMRF1009HSR5 NXP USA Inc. MMRF1009HSR5 594.7988
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 ECAD 5641 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 前回購入します 110 v シャーシマウント NI-780S MMRF1009 1.03GHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 935315335178 ear99 8541.29.0075 50 - 200 ma 500W 19.7db - 50 v
PHP45N03LTA,127 NXP USA Inc. php45n03lta 、127 -
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 ECAD 7718 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 php45 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 25 v 40a（tc） 3.5V 、10V 21mohm @ 25a 、10V 2V @ 1MA 19 NC @ 5 V ±20V 700 PF @ 25 V - 65W
BFR540,215 NXP USA Inc. BFR540,215 -
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 ECAD 7385 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 BFR54 500MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 120ma npn 100 @ 40ma 、8v 9GHz 1.3db〜2.4db @ 900MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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